次世代非揮発性記憶市場サイズ

次世代非揮発性メモリ市場は2023年に980.3万ドルで評価され、2024年から2032年までの8%のCAGRで成長することを期待しています。 より高いストレージソリューションの需要は、IoTデバイスやスマートフォンの普及に著しく上昇しました。 非揮発性メモリ技術は、電力消費を抑えながら、アプリ、写真、ビデオに素早くアクセスできるようにシームレスに統合されています。

また、スマートホームアプライアンス、ウェアラブル、インダストリアルセンサーなど、さまざまな接続デバイスに対応したIoTエコシステムが、データストレージの不揮発性メモリやデータの取得に大きく依存しています。 非揮発性メモリ業界は、拡張デジタルランドスケープをサポートする効率的な、コンパクトで信頼性の高いストレージソリューションの必要性によって駆動され、持続的な成長を経験します。

たとえば、非揮発性メモリ(NVM)市場における主要な統合デバイスメーカーであるMacronix International Co., Ltd.は、業界初のシリアルNORフラッシュメモリメーカーを発表しました。 超低い力(ULP)及び高速120MHz MX25Sの連続NOR モノのインターネット(IoT)、ワイヤレス通信技術(5G、Wi-Fi、狭帯域IoTシステム、コンシューマーアプリケーションなど)を対象とする新しい世代の製品で成長するフラッシュメモリが普及しています。

クラウドサービスの需要が拡大し、メモリおよびストレージソリューションの需要が高まっています。 クラウドベースのプラットフォームは、非揮発性メモリを活用してリアルタイムアプリケーションと人工知能(AI)をサポートします。 複雑なデータとコンピューティングタスクでは、AIの利用で、リアルタイムアプリケーションをサポートできる非揮発性メモリ技術が必要である。 データセンターは、非揮発性メモリの柔軟性から恩恵を受けており、変化するワークロードと動的リソース割り当ての適応を可能にします。 クラウドコンピューティングとデータセンターが主導する継続的な革新は、非揮発性メモリ技術で研究開発を促進し、これらのソリューションはデジタルランドスケープの進化した要求に応えることを保証します。

生産をスケーリングし、次世代NVMデバイスの高い歩留まりを達成することで、プロセスの分散性、欠陥密度、および歩留まりの最適化を含む複雑な製造課題をポーズします。 半導体メーカーは、一貫した信頼性の高い製品品質を確保し、顧客の需要を満たし、市場で効果的に競争するために、現在の課題に対処する必要があります。 また、新しい製造ノードや機器への移行には、投資や専門知識が必要で、製造プロセスの複雑化が進んでいます。

次世代非揮発性メモリ市場 トレンド

フェーズ・チェンジ・メモリ(PCM)の技術の上昇の傾向は拡張性を改善し、持久力および信頼性を高め、CMOSの技術と統合する多レベルおよび複数のビット細胞の技術を実行し、インメモリーおよび神経形態計算の適用を調査し、他の記憶技術との均質な統合を、そして交差ポイントの建築設計を進めます。 これらのトレンドは、次世代非揮発性メモリソリューションとして、PCMの継続的な技術の進歩と商品化に貢献します。 例えば、2023年3月、インテルとミクロンは、NANDの優位性に挑戦する可能性がある、最初の生産準備段階変更メモリ(PCM)チップを発表しました。

インフォテイメント・システム、テレマティクス、ナビゲーション・システム、アドバンスト・ドライバー・アシスタンス・システム(ADAS)など、コネクティッド・カーとその技術との関係の増大、データを効率的に保存および処理する堅牢なメモリ・ソリューション。 NVM は、マップ、マルチメディアコンテンツ、ソフトウェアアップデート、センサーデータなどのさまざまなデータをこれらのアプリケーションに格納する際に重要な役割を果たしています。 自動運転システムの開発は、高度なセンサー配列、カメラ、レーダー、LiDAR、および膨大な量のデータを生成するその他のコンポーネントに大きく依存しています。 NVM は、このデータをリアルタイムに保存および処理するために不可欠です。自動運転車が情報に基づいた決定を下し、多様な運転条件で安全に移動できるようにします。

次世代非揮発性メモリ市場分析

製品に基づき、市場は FeRAM、PCM、MRAM、およびReRAM に区分されます。 MRAMセグメントは最も急速に成長しているセグメントであり、2024年と2032年の間に8.5%を超えるCAGRで拡大することを期待しています。

• 多様で信頼性の高いストレージソリューションの需要が高まっています。次世代の非揮発性メモリ市場における増加の牽引があります。 MRAMは、動的データの保存に著しく使われています。 磁気貯蔵要素を実装するために、現在の充電または電気の流れを使用することの考えの後ろに残します。 それらは絶縁層によって間隔をあけられたferromagneticディスクの組から成っています。 ディスクの1つが固定位置の磁石に置かれているように解釈されますが、2番目のディスクは最初のディスクの磁場に一致させ、正からマイナスに変更します。 バイナリ番号のロジックで解釈を行います。 たとえば、先進半導体技術の世界的リーダーであるSamsung Electronicsは、2022年1月、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)に基づく世界初のメモリコンピューティングの実証を発表しました。 その後、サムスンのリサーチチームは、AIコンピューティングを実行することで、このMRAMメモリコンピューティングチップのパフォーマンスをテストしました。 チップは、手書き数字の分類で98%の精度と、シーンから顔を検知する93%の精度を達成しました。

適用に基づいて、市場は消費者の電子工学、ヘルスケア、自動車及び交通機関、産業および企業に分けられます。 消費者電子セグメントは、2023年に35%以上のシェアで市場を支配しました。

• 次世代の非揮発性メモリは、高性能、大容量ストレージを提供し、効率性を高め、幅広いデバイスやアプリケーションでユーザーエクスペリエンスを向上することにより、消費者の電子機器部門に革命をもたらすことを目指しています。 これらの技術は発展し、成熟し続けるにつれて、消費者エレクトロニクスの未来を形作り、業界のイノベーションを推進する上で重要な役割を果たしることが期待されています。 これらのNVM技術は、性能、信頼性、エネルギー効率を向上し、ストレージ業界に革命をもたらす見込みです。

次世代の非揮発性メモリ市場は急速に成長し、変化を遂げています。多様な産業やアプリケーションにおける重要性が高まっています。 この拡張は、2024年から2032年にかけて、先進的なメモリソリューションの需要が高まっています。性能、信頼性、エネルギー効率が向上し、計画されたCAGRのエネルギー効率が向上しました。

スマートシティ、IoTデバイス、自動運転車、スマートシティの普及 エッジコンピューティング次世代NVM技術の新たなチャンスを創出するアプリケーションです。 これらのソリューションは、相互接続されたデバイスのデータストレージと処理の要件を電力化し、リアルタイムの分析を可能にし、新興技術やサービスをサポートしています。

次世代非揮発性メモリ市場シェア

インテルコーポレーションとSamsung Electronics Co., Ltd.は、2023年にスマートサイネージ市場シェアの12%を上回りました。 インテルコーポレーションは、次世代非揮発性メモリソリューションの開発に貢献し、半導体製造技術イノベーションのグローバルリーダーです。 1968年に設立され、カリフォルニア州サンタクララに本社を構え、インテルは、エレクトロニクス業界において重要なプレーヤーとして設立され、コンピューティング、データセンター、モノのインターネット(IoT)、メモリ技術の幅広い製品およびサービスの多様なポートフォリオを備えています。

サムスン電子株式会社はさまざまなセクターを渡る革新的なプロダクト及び解決のために有名な技術の企業の全体的なリーダーです。 サムスンは、次世代の非揮発性メモリ市場で重要なプレーヤーであり、進歩を促進し、メモリ技術の境界線をプッシュしています。 堅牢なR&Dインフラと革新に強い焦点を合わせ、Samsungは、Magano-Resistive Random Access Memory(MRAM)、Phase-Change Memory(PCM)、および3D XPoint Memoryなどの次世代NVM技術の開発の最前線にいます。

次世代非揮発性メモリ市場企業

業界で動作する主要なプレーヤーは次のとおりです。

• インテル株式会社
• サムスン電子株式会社
• マイクロンテクノロジー株式会社
• 株式会社富士通
• IBMコーポレーション
• 東芝株式会社
• エバースピンテクノロジーズ株式会社

次世代非揮発性メモリ業界ニュース

• Everspin Technologies, Inc.は、2022年10月、世界有数のマグネリシスティブ・ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)永続メモリ・ソリューションの開発・製造メーカーであるEverspin Technologies, Inc.(Everspin Technologies, Inc.)が、MRAMテクノロジー、設計、およびライン製造サービスのバックエンドをQuickLogic Corporationに提供する契約を締結しました。
• 当社は、2022年6月、クロスバー株式会社(本社:東京都千代田区、代表取締役社長:樋口 宏、以下「クロスバー」)は、安全保管・加工に用いられるレジデンシブRAM(ReRAM)技術の新アプリケーションを発表しました。また、リバースエンジニアリングや物理攻撃に対する耐性は、システムにとって必須要件です。 酸化物ベースのReRAMと比較して、クロスバーのReRAMは、ReRAMの内容を分析したり、推論するのに役立つより困難である確率的電気化学的イオン運動を利用しています。

次世代非揮発性メモリ市場調査報告書には、業界の詳細なカバレッジが含まれています 2024年から2032年までの収益(USD Million)の面での見積もりと予測 以下のセグメントの場合:

プロダクトによる市場、

• フェラム
• PCMの
• マイページ
• リラム

市場、適用による

• 消費者エレクトロニクス
• ヘルスケア
• 自動車・輸送
• 産業
• エンタープライズ

上記情報は、以下の地域および国に提供いたします。

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