Rapporto sulla dimensione del mercato dei semiconduttori di potenza di SiC e GaN - 2032

Dimensione del mercato dei semiconduttori di potenza di SiC e GaN

SiC e GaN Power Semiconductor Market sono stati valutati a 2,24 miliardi di USD nel 2023 e si prevede di crescere a un CAGR di oltre il 25% tra il 2024 e il 2032. Nel mercato, l'efficienza energetica e la riduzione della perdita di potenza sono i principali vantaggi che guidano l'adozione.

I semiconduttori Silicon Carbide (SiC) e Gallium Nitride (GaN) offrono perdite di resistenza e commutazione significativamente inferiori rispetto alle tradizionali controparti a base di silicio. Questa efficienza si traduce in una riduzione della produzione di calore e in prestazioni migliorate in varie applicazioni, dalle alimentazioni industriali ai sistemi di energia rinnovabile. Riducendo le perdite di potenza durante la conversione e la trasmissione, i semiconduttori SiC e GaN contribuiscono a livelli di efficienza più elevati e a costi operativi inferiori a lungo termine. La loro elevata conducibilità termica e robustezza consentono temperature operative e densità di potenza più elevate, supportando design compatti e affidabilità in ambienti esigenti come il settore automobilistico e aerospaziale.

Il mercato sta assistendo all'adozione crescente di veicoli elettrici (EV) a causa della loro capacità di migliorare l'efficienza e le prestazioni. I dispositivi SiC e GaN consentono alte frequenze di commutazione e minori perdite nell'elettronica di potenza, migliorando la gamma e l'efficienza dei veicoli elettrici. Questi semiconduttori facilitano tempi di ricarica più rapidi, riducono le perdite di energia durante la conversione di potenza e supportano lo sviluppo di sistemi di trasmissione EV più compatti e leggeri. Poiché i produttori automobilistici si sforzano di soddisfare severe normative sulle emissioni e la domanda dei consumatori per i veicoli elettrici a più lungo raggio, l'adozione dei semiconduttori di potenza SiC e GaN è fondamentale per raggiungere questi obiettivi, migliorando le prestazioni complessive del veicolo e l'esperienza di guida.

L'adozione diffusa nei mercati dei semiconduttori di potenza SiC e GaN è gravemente ostacolata da elevati costi di produzione. I semiconduttori Silicon Carbide (SiC) e Gallium Nitride (GaN) sono prodotti utilizzando materiali sofisticati e tecniche di fabbricazione, che si traduce in costi di produzione più elevati rispetto alla tecnologia a base di silicio convenzionale. I principali fattori che influenzano queste spese sono l'esigenza di macchinari specializzati, protocolli di garanzia della qualità rigorosi, e relativamente poco economie di scala in quantità di produzione. Di conseguenza, i produttori di semiconduttori devono sostenere maggiori costi di avvio e costi operativi in corso, che possono influenzare i costi del prodotto e la competitività del mercato. L'espansione dell'uso dei semiconduttori di potenza SiC e GaN in una varietà di applicazioni, dall'energia automobilistica e rinnovabile alle industrie dell'elettronica industriale e dei consumatori, richiederebbe la risoluzione di questi problemi di costo di produzione.

Tendenze del mercato dei semiconduttori di potenza di SiC e GaN

C'è una tendenza crescente verso l'adozione dei semiconduttori di potenza SiC e GaN nell'industria automobilistica. Questi semiconduttori offrono vantaggi come una maggiore efficienza, dimensioni ridotte e peso, e una migliore gestione termica rispetto ai tradizionali componenti a base di silicio. Questa tendenza è guidata dal cambiamento dell'industria automobilistica verso veicoli elettrici e ibridi, dove la gestione efficiente della potenza e l'aumento della gamma sono fattori critici. I produttori stanno investendo nello sviluppo di dispositivi SiC e GaN di livello automotive per soddisfare i severi requisiti di affidabilità e prestazioni delle applicazioni automobilistiche. Ad esempio, nel gennaio 2023, Tesla, Volkswagen e BMW, c'è stato un notevole aumento dell'adozione dei semiconduttori di potenza SiC e GaN nei veicoli elettrici (EV). Ha integrato questi semiconduttori avanzati nelle loro trasmissioni EV per migliorare l'efficienza e le prestazioni

Un'altra tendenza significativa è l'espansione dei semiconduttori di potenza SiC e GaN nelle applicazioni di energia rinnovabile, come inverter solari e turbine eoliche. Questi semiconduttori consentono una maggiore efficienza e affidabilità nei sistemi di conversione di potenza, riducendo le perdite di energia e migliorando le prestazioni complessive del sistema. Con la spinta globale verso soluzioni energetiche sostenibili, c'è una crescente domanda di elettronica di potenza avanzata che può gestire in modo efficiente frequenze e tensioni superiori. Questa tendenza sottolinea il ruolo delle tecnologie SiC e GaN nel sostenere la transizione verso fonti energetiche più verdi e migliorare l'efficienza delle infrastrutture energetiche rinnovabili in tutto il mondo. Ad esempio, nell'aprile del 2023, società come Siemens Energy e Vestas annunciarono la distribuzione dei semiconduttori di energia SiC e GaN nel loro solare e vento energiasistemi. Questi progressi sono volti a migliorare l'efficienza della conversione di energia e a migliorare l'affidabilità delle infrastrutture energetiche rinnovabili.

Analisi del mercato dei semiconduttori di potenza di SiC e GaN

Sulla base del processore, il mercato è diviso in modulo di alimentazione SiC, modulo di alimentazione GaN, SiC discreto, discreta GaN. Il segmento del modulo SiC discreto domina il mercato e si prevede di raggiungere oltre 7 miliardi entro il 2032.

• Discreto I semiconduttori SiC si riferiscono a singoli componenti come diodi, transistor e moduli realizzati in materiale Silicon Carbide. Questi dispositivi discreti offrono valutazioni di tensione e corrente più elevate rispetto alle controparti a base di silicio, insieme a prestazioni superiori in termini di velocità di commutazione ed efficienza.
• Discreto I componenti SiC trovano applicazioni in vari settori, tra cui automotive, aerospaziale, telecomunicazioni e elettronica di potenza. Sono utilizzati in sistemi di conversione di potenza, controllo del motore, rettifica ad alta tensione e altre applicazioni che richiedono soluzioni semiconduttori robuste e affidabili. Discreto I semiconduttori SiC consentono agli ingegneri di ottimizzare i progetti dei circuiti per migliorare la gestione dell'energia e l'efficienza energetica, garantendo sistemi elettronici compatti e affidabili.

Sulla base della gamma di potenza, il mercato dei semiconduttori di potenza SiC e GaN è diviso in bassa potenza, media potenza e alta potenza. Il segmento di media potenza è la crescita più rapida con un CAGR di oltre il 28% tra il 2024 e il 2032.

• bide) i semiconduttori di solito operano nella gamma di diverse centinaia di watt a pochi kilowatt. Questi dispositivi sono progettati per applicazioni che richiedono una maggiore efficienza, una migliore gestione termica e dimensioni ridotte rispetto ai tradizionali semiconduttori a base di silicio.
• Potenza media I dispositivi SiC sono comunemente utilizzati in alimentatori, azionamenti motori, attrezzature industriali e sistemi di energia rinnovabile come inverter solari e caricatori di veicoli elettrici. Offrono vantaggi come minori perdite di commutazione, temperature operative più elevate e una maggiore affidabilità, rendendole ideali per ambienti esigenti in cui l'efficienza e la compattezza sono fattori cruciali nella progettazione e nelle prestazioni.

Asia Pacific dominava il mercato mondiale dei semiconduttori SiC e GaN nel 2023, rappresentando una quota di oltre il 45%. La Cina svolge un ruolo significativo nel mercato come produttore e consumatore. Il paese sta attivamente investendo in tecnologie semiconduttori per rafforzare le sue capacità industriali e settori di supporto come i veicoli elettrici (EV), l'energia rinnovabile e le telecomunicazioni. Le aziende cinesi stanno sviluppando e producono semiconduttori di potenza SiC e GaN per soddisfare la domanda interna e migliorare l'autosufficienza tecnologica. Inoltre, le iniziative della Cina in materia di energia rinnovabile e mobilità elettrica guidano l'adozione di questi semiconduttori avanzati per una gestione efficiente dell'energia e migliorare le prestazioni in progetti di infrastrutture critiche. Il coinvolgimento della Cina sottolinea la sua importanza strategica nel plasmare il panorama globale dell'industria dei semiconduttori.

Gli Stati Uniti guidano l'innovazione e l'adozione dei semiconduttori di potenza SiC e GaN, in particolare nelle industrie aerospaziale, di difesa e automobilistica. Le aziende come Cree e Infineon Technologies sono giocatori di spicco, guidando progressi nell'efficienza e nelle prestazioni.

Il Giappone si concentra sui settori manifatturiero e automotive ad alta tecnologia, integrando tecnologie SiC e GaN per soluzioni a basso consumo energetico nei veicoli elettrici e nelle applicazioni industriali. Aziende come Mitsubishi Electric e ROHM Semiconductor conducono nello sviluppo e nella distribuzione.

La Corea del Sud sottolinea la tecnologia dei semiconduttori nei settori dell'elettronica e dell'automotive, con Samsung Electronics e LG Electronics leader nell'adozione di SiC e GaN per l'elettronica di consumo e applicazioni automobilistiche.

SiC e GaN Power Semiconductor Market Share

Alpha e Omega Semiconductor e Infineon Technologies detengono una quota significativa nell'industria dei semiconduttori SiC e GaN Power. Alpha e Omega Semiconductor (AOS) è un fornitore leader di una vasta gamma di semiconduttori di potenza, compresi i dispositivi SiC e GaN. Questo è specializzato nello sviluppo di soluzioni avanzate di gestione dell'energia per applicazioni nei settori dell'elettronica di consumo, dell'automobile, dell'industria e delle energie rinnovabili. L'azienda si concentra sull'innovazione nell'efficienza energetica, nell'affidabilità e nelle prestazioni, per soddisfare le esigenze in evoluzione dei mercati globali. Il portafoglio prodotti di AOS comprende semiconduttori discreti, circuiti integrati e moduli di potenza, supportando diverse applicazioni in cui l'efficienza energetica e il design compatto sono cruciali.

Infineon Technologies, con sede in Germania, è leader globale nelle soluzioni semiconduttori, tra cui i semiconduttori di potenza SiC e GaN. L'azienda sfrutta la sua competenza nell'elettronica di potenza per fornire tecnologie avanzate di semiconduttori che migliorano l'efficienza energetica e l'affidabilità nelle applicazioni automobilistiche, industriali e rinnovabili. I prodotti SiC e GaN di Infineon consentono una maggiore densità di potenza, una ridotta dimensione del sistema e una migliore gestione termica, soddisfando i severi requisiti dei moderni sistemi elettronici. Con una forte attenzione all'innovazione e alla sostenibilità, Infineon svolge un ruolo fondamentale nella definizione del futuro della tecnologia dei semiconduttori di potenza in tutto il mondo.

Società di mercato dei semiconduttori di potenza SiC e GaN

I principali operatori operanti nel settore dei semiconduttori di potenza SiC e GaN sono:

• Infineon Technologies AG
• SU Semiconductor Corporation
• STMicroelectronics N.V.
• ROHM CO., LTD.
• Mitsubishi Electric Corporation
• Lupo velocità
• Renesas Electronics Corporation
• Semiconduttore Alfa e Omega
• Fuji Electric Co., Ltd
  

SiC e GaN Power Semiconductor Industry News

• Nel mese di aprile 2023 ON Semiconductor ha lanciato la piattaforma RSL10-Solar-Cell Multi-Sensor e ha mostrato la sua dedizione a soluzioni IoT sostenibili. Questa piattaforma innovativa integra sensori ambientali con la tecnologia delle celle solari, consentendo raccolta di energia per applicazioni IoT. Imbragando l'energia solare, la piattaforma migliora l'autonomia dei dispositivi e riduce l'affidabilità delle fonti di energia esterne, promuovendo la sostenibilità ambientale. L'iniziativa di ON Semiconductor sottolinea il suo impegno a promuovere le tecnologie verdi e ad affrontare la crescente domanda di soluzioni IoT ad alta efficienza energetica in vari settori.
• Nel marzo 2023, Infineon Technologies AG ha rivelato la sua acquisizione di MERACON GmbH, società tedesca specializzata nelle tecnologie di lidar e sensori. Questa mossa strategica rafforza la presenza di Infineon nei settori automobilistico e industriale espandendo il suo portafoglio di tecnologie di rilevamento avanzate. La tecnologia Lidar, nota per la sua precisione nella misurazione della distanza e nel rilevamento degli oggetti utilizzando impulsi laser, si allinea con l'impegno di Infineon di migliorare la sicurezza e l'efficienza nella guida autonoma e nell'automazione industriale. L'acquisizione consente a Infineon di integrare le competenze di MERACON, rafforzando la sua capacità di fornire soluzioni innovative che soddisfino le esigenze in evoluzione dei veicoli autonomi e degli ambienti di produzione smart.

Il rapporto di ricerca sul mercato dei semiconduttori SiC e GaN Power include una copertura approfondita del settore con stime e previsioni in termini di entrate (USD Million) dal 2021 al 2032, per i seguenti segmenti:

Mercato, da processore

• Modulo di alimentazione SiC
• Modulo di alimentazione GaN
• Discreto SiC
• GaN discreto

Mercato, da Power range

• Bassa potenza
• Potenza media
• Alta potenza

Mercato, da verticale

• Forniture di alimentazione
• Motori industriali
• H/EV
• Inverter fotovoltaici
• Trazione
• Altri

Le suddette informazioni sono fornite per le seguenti regioni e paesi:

• Nord America
  • USA.
  • Canada
• Europa
  • Germania
  • Regno Unito
  • Francia
  • Italia
  • Spagna
  • Resto dell'Europa
• Asia Pacifico
  • Cina
  • India
  • Giappone
  • Corea del Sud
  • ANZ
  • Resto dell'Asia Pacifico
• America latina
  • Brasile
  • Messico
  • Resto dell'America Latina
• ME
  • UA
  • Arabia Saudita
  • Sudafrica
  • Riposo di MEA