下一代非波动记忆市场大小

下一代非波动记忆市场在2023年的价值为9.803亿美元,预计在2024至2032年间,CAGR将增长8%. 随着IOT设备和智能手机的日益被采用,对更高存储解决方案的需求大幅上升. 非挥发性内存技术被无缝地整合,以提供快速访问应用,相片,和视频,同时使能耗降低.

此外,由智能家用电器、可穿戴装置和工业传感器等各种连接设备组成的IOT生态系统,在数据存储和数据检索方面严重依赖非挥发性内存。 非挥发性记忆产业经历了持续增长,其动力是需要高效、紧凑和可靠的存储解决方案,以支持不断扩大的数字景观。

例如,在2021年11月,非挥发性记忆(NVM)市场中领先的集成设备制造商Macronix International Co., Ltd.宣布该行业首家将1.2V设备带入批量生产的Serial NOR闪存制造商. 超低能(ULP)和高速120MHz MX25S系列 NOR 闪光记忆在新一代针对各种应用的产品中正在增长,这些应用包括“物联网”、“无线通信技术 ” —包括5G、Wi-Fi和窄带IoT系统以及消费者应用。

对云服务的需求正在扩大,导致对内存和存储解决方案的需求上升. 以云为基础的平台正在利用非挥发性内存支持实时应用和人工智能(AI). 对于复杂的数据和计算任务,需要非挥发性存储技术,这种技术可以帮助支持实时应用,同时使用AI. 数据中心受益于非挥发性记忆的灵活性,能够适应不断变化的工作量和动态资源分配。 由云计算和数据中心所驱动的持续创新正在推动非挥发性记忆技术的研发,确保这些解决方案适应数字景观不断变化的需要。

扩大生产并实现下一代NVM设备的高产量,对制造提出了复杂的挑战,包括工艺可变性、缺陷密度和产量优化。 半导体制造商需要应对目前的挑战,以确保产品质量一致和可靠,满足客户需求,并在市场上有效竞争。 此外,向新的制造节点和设备过渡需要投资和专门知识,使制造过程更加复杂。

下一代非波动记忆市场 趋势

相变内存(PCM)技术的上升趋势包括:提高可伸缩性,增强耐受性和可靠性,实施多层次多位细胞技术,与CMOS技术相融合,探索内存和神经形态计算中的应用,与其他内存技术的异同融合,并推进跨点架构设计. 这些趋势共同促进了PCM作为下一代非挥发性记忆解决方案的持续技术进步和商业化. 例如,在2023年3月,英特尔和Micron宣布了第一个生产准备相变存储器(PCM)芯片,它有可能挑战NAND的支配地位.

相接汽车的激增及其与各种技术的关系,如信息娱乐系统、远程数据、导航系统和高级驾驶员协助系统,推动了强大的内存解决方案,以高效地存储和处理数据。 NVM在存储地图,多媒体内容,软件更新,这些应用的传感器数据等各种数据方面发挥着关键作用. 自主驱动系统的发展在很大程度上依赖于复杂的传感器阵列,相机,雷达,LiDAR等生成大量数据的组件. NVM对于实时储存和处理这一数据至关重要,使自主车辆能够在不同的驾驶条件下作出知情决定并安全地航行。

下一代非波动记忆市场分析

基于产品,市场被分入FERAM,PCM,MRAM,和ReRAM. MRAM路段是增长最快的路段,预计在2024至2032年之间,CAGR扩展了8.5%以上.

• 随着对多功能和可靠存储解决方案需求的不断增长,下一代非挥发性记忆市场中的牵引力不断上升. MRAM被大量用于动态数据的存储. 它留下了使用电流电荷或电流来实施磁存储元素的想法. 它们由一对被隔热层所隔开的铁磁盘组成. 数据被解读为其中一盘被放入固定位置的磁铁上,而第二盘会移动来与第一盘的磁场相匹配,由正向变化为负向变化. 解释是用二进制数字的逻辑进行的. 例如,在2022年1月,三星电子公司(Samsung Electronics)作为先进半导体技术的世界领先者,宣布它演示了世界上第一个基于磁性随机存取记忆(MRAM)的内相计算。 三星的研究团队随后通过运行来进行AI计算,测试了这个MRAM入模计算芯片的性能. 该芯片在手写数字分类中实现了98%的精度,在从场景中检测面孔的精度达到了93%.

根据应用情况,市场分为消费电子产品、保健、汽车和运输、工业和企业。 消费电子行业在2023年占据了市场主导地位,份额超过35%.

• 下一代的非挥发性内存准备通过提供高性能、更大的存储能力、提高效率、以及扩大各种设备和应用程序的用户经验,使消费电子部门革命化。 随着这些技术的不断发展和成熟,它们可望在塑造消费电子产品的未来和推动该行业的创新方面发挥至关重要的作用。 这些NVM技术可望通过提高性能、可靠性和能源效率而使储存业革命化。

下一代非起伏不定的记忆市场正在迅速增长和转型,其动力是若干因素,这些因素突出了它在各种行业和应用中日益重要。 这一扩展凸显出亚太区域对先进内存解决方案日益增长的需求,这些解决方案能提供更高的性能、可靠性和能效,预计2024-2032年CAGR将超过9%。

随着智能城市、IOT设备、自主车辆和 边缘计算g 应用正在为下一代NVM技术创造出新的机会。 这些解决方案对于为互联设备的数据存储和处理需求提供动力、使实时分析成为可能以及支持新兴技术和服务至关重要。

下一代非波动记忆市场份额

英特尔公司和三星电子股份有限公司在2023年持有超过12%的智能标志市场份额. 英特尔公司是半导体制造和技术创新领域的全球领先者,以对下一代非挥发性内存解决方案开发的贡献而出名. 英特尔成立于1968年,总部位于加利福尼亚州圣克拉拉. 英特尔在电子工业中确立了自己作为关键玩家的地位,其产品和服务组合多样,跨越了计算,数据中心,Things互联网(IoT),以及内存技术.

三星电子股份有限公司是技术行业的全球领先者,以不同行业的创新产品和解决方案而出名. 三星是下一代非挥发性记忆市场的关键角色,推动进步并推进记忆技术的界限. 三星凭借强大的研发基础设施和对创新的强烈关注,一直走在下一代NVM技术开发的前列,如Magneto-resistive Random Access Memory(MRAM),相变记忆(PCM)和3D XPoint Memory等.

下一代非波动记忆市场公司

该行业的主要参与者有:

• 英特尔公司
• 三星电子股份有限公司.
• 微信科技股份有限公司.
• 藤津有限公司
• IBM公司
• 东芝公司
• 埃弗斯平科技股份有限公司.

下一代非波动记忆产业新闻

• 2022年10月,世界领先的Magnetoresist Random Access Memory (MRAM) 持久内存解决方案开发商和制造商Everspin Technology, Inc. 与QuickLogic Corporation签署合同,提供MRAM技术,设计,后端线上制造服务.
• 2022年6月,CrossBar Inc.宣布其抗逆RAM(REAM)技术的新应用,用于安全存储和处理,其中抵抗逆向工程和物理攻击是系统的基本要求. 与以氧化物为基础的ReRAM相比,CrossBar的ReRAM利用了更难分析或更能用来推断ReRAM内容的有色电化学离子运动.

下一代非起伏记忆市场研究报告包括对该行业的深入报道 估计和预测2024至2032年的收入(百万美元), 下列部分:

按产品分列的市场

• 费拉姆
• 移动电话
• 内存
• 实时

市场,按应用

• 消费电子产品
• 保健
• 汽车和运输
• 工业
• 企业

现就下列区域和国家提供上述资料:

• 北美
  • 美国.
  • 加拿大
• 欧洲
  • 德国
  • 联合王国
  • 法国
  • 意大利
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  • 欧洲其他地区
• 亚太
  • 中国
  • 日本
  • 印度
  • 韩国
  • 澳大利亚
  • 亚洲及太平洋其他地区
• 拉丁美洲
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  • 墨西哥
  • 拉丁美洲其他地区
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  • 阿联酋
  • 沙特阿拉伯
  • 南非
  • 其余的MEA地区