高克和ALD/CVD 金属前体 市场规模

高克和ALD/CVD金属先质市场 2015年规模超过2.2亿美元,预计到2024年将超过9.5亿美元,比预测时间表高17.8%。

重要的工艺开发举措和对改进的半导体装置的大量需求将在未来几年内推动高K和ALD/CVD金属先质市场的规模。 相变材料是通过物理蒸汽沉降技术或其他喷发方法沉积而成的。 就沉积的统一性而言,这些方面本来就很薄弱。 因此,MOCVD等替代沉降方法催生了需求,这主要是由于工业规模和组成控制的好处.

由于地表地形的复杂程度日益提高,加上外观比高,因此相当需要g在薄膜地表上保持统一的覆盖. 创新材料和纳米技术方法已有所改进,将有助于发展努力。 LED空间中的工业应用具有相当大的增长潜力。 薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄的薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄薄

高克和ALD/CVD 金属先质市场分析

互联互通在2015年带动了全球需求,同年高K和ALD/CVD金属前体市场份额超过45%. 非平面晶体管和新的内存技术预计将为薄膜材料供应商扩大机会,以加快制造过程和市场化时间.

从2016年到2024年,高克金属门前体市场份额将以超过22%的CAGR估计增长. 它们在65nm的CMOS技术空间中具有相当大的氧化硅还原潜力。 主要要求包括:热和化学稳定性、高分电常数和高波段被电极所抵消。 其他可取的特质包括同出门电极材料相容和接口状态密度相容. 大量内容亟需有时限和准确翻译,这将推动各种技术行业的需求。

2015年中国金属前体市场份额占亚太收入的35%以上. 由于电子消费高,金砖国家对半导体的需求不断增加,这可能会大大地推动采用。 其他因素包括可携带性、低成本和大量选择。 UP化学和Chemtura公司组成了一家合资企业,以生产出高纯度的MO前体来适应LED部门,将整个亚太,特别是韩国作为重点。

欧洲高克和ALD/CVD金属先质市场规模具有非常大尺度集成电路(VLSI)制造的潜力,在补充金属氧化半导体(CMOS)和动态随机存取内存(DRAM)应用方面预计增长率较高. 它们在诸如耐活性RAM记忆,Metal-Insulator-Metal(MIM)二极管,铁电逻辑,和内存设备等领域也有很强的范围. 强劲的国内IC需求、高度依赖半导体的进口以及对依赖外国来源的真正关切将对德国工业产生积极影响。 据估计,对高级瓦片制造工艺和LED技术的大量投资将扩大成本、产量和生产能力方面的优势。

高克和ALD/CVD金属先质市场份额

高K和ALD/CVD金属先质市场份额的公司

• ATMI 亚密
• 空气产品和化学品
• 道化学
• 空气液体
• 刚果爱国者联盟
• 爱德卡

后缘设备的增加预计将支持物联网和消费电子行业。 合并和收购以及战略性合资经营是采取的关键战略之一。

供应链管理正在成为材料供应商的关键能力。 由于工艺复杂,对半导体材料的需求不断增加,因此更加注重次供应商的配制。 市场主要由大量硅瓦和机械部件供应商组成。 三星是韩国的主要玩家;为了推动产品分化和盈利,该公司一直在花钱制造20nm级的DRAM.