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2024-2032年高电动晶体管市场规模报告

2024-2032年高电动晶体管市场规模报告

  • 身份證您報告: GMI8800
  • 出版日期: Apr 2024
  • 报告格式: PDF

高电动晶体管市场规模

2023年,高电动晶体管市场价值超过65亿美元,估计在2024至2032年间登记了5%以上的CAGR。

High Electron Mobility Transistor Market

有线技术进步发挥高电子通畅晶体管产业发展的关键因素作用. 除其他外,这些高频组件提供无线通信系统,低噪音水平和高功率. 由于无线通信技术不断被提升到更高的频率和带宽,对HEMT的需求正在增加. 5G网络的兴起,Times(Iot)的互联网(Internet of Things (IoT))设备和下源无线标准的兴起,推动了HEMT的开发,具有更高的截取频率,较低的P.C等更好的品质. 还有一项预测是,将HEMT纳入新开发的汽车雷达系统、卫星通信和毫米波成像将进一步刺激市场增长。

高电子活性晶体管工业被IOT的成长所显著提升. 在这些应用中,HEMT是无线通信系统的必要组件,这些系统需要能满足智能家庭,可穿戴设备,工业传感器,接通车辆等一系列IOT需求的快低噪声放大器. 这也增加了对HEMT的需求,因为IOT通过网络连接更多的设备,因此需要更高的数据传输率才能容纳所有设备。 还值得指出的是,有些行业,如电子保健和智能制造等,在很大程度上依赖HEMT作为关键组成部分,以便在这些城市的相互连接的设备网络之间实现快速数据处理和可靠的通信。

复杂而昂贵的制造业对HEMT市场构成重大挑战。 HEMT的制造技术 -- -- 如氮化 gall(GaN)或磷化ium(InP)化合物半导体材料 -- -- 复杂,使用加工工具不仅昂贵,而且难以加工。 此外,这些材料的制造很困难,需要具备昂贵设备的专门知识。 此外,制造商还必须与一些资金分开,因为为确保最佳性能制定了严格的质量控制措施。

高电动晶体管市场趋势

航空航天和国防应用仍然是高电动晶体管市场的一个主要特点。 HEMT具有高频,低噪量等出色的性能特征,并具有高功率效率,使得它们在航空航天和国防工业中使用的不同雷达,通信和电子战系统上成为了理想. 不断演变的地缘政治紧张局势、现代化的尝试、对形势的认识/通信需要的提高将继续推动对新型先进雷达系统、电子战争设备和卫星通信系统的需求。

作为持续趋势,市场正在目睹汽车电子方面新的应用增加。 随着车辆电气化和自主驾驶技术的不断进步,对能处理恶劣汽车环境的高性能半导体的需求日益增加. 操纵高频信号和高功率密度,HEMT的能力适合多个汽车系统,包括雷达系统,LiDAR传感器,以及无线通信模块. 此外,高效的电力转换和热能管理是电力车辆电力管理系统中HEMT的关键方面.

高电动晶体管市场分析

High Electron Mobility Transistor Market, By Material Type, 2022 - 2032, (USD Billion)
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根据材料类型,市场被分割成氮化 gall(GaN),碳化硅(SiC),砷化 gall(GaAs)等. Gallium nitride(GaN)部分在2023年占据了超过48%的最大市场份额,这主要是因为其性能和多功能性能. GAN基HEMT在高电子活性能,低阻力,提高功率处理能力方面优于硅基晶体管,因此使它们成为高频和高功率应用的理想. 在电信、航空航天和汽车工业等应用中,高效电力转换和高速数据传输至关重要,GAN HEMT被广泛使用。 5G无线通信,电动车辆和可再生能源等新兴领域对GAN技术的日益接受也有望推动市场扩张.

High Electron Mobility Transistor Market Share, By Industry Vertical, 2023
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以行业纵向为基础,将市场分为消费电子,汽车,工业,航空航天和国防等. 消费电子产品段预计将在2024-2032年间登记超过5%的CAGR. HEMT提供了显著的性能特征,包括高速,低噪声水平和低功耗,使它们非常适合耳机电子学的各种应用. 在智能手机,平板电脑和可穿戴的装置中,HEMT方便了更快的数据处理,延长了电池寿命,并改进了信号接收,从而增强了总体用户体验? 处理高频率和电能水平的能力使它们对无线通信,信号扩能,电能管理等应用具有理想性.

China High Electron Mobility Transistor Market, By Region, 2022 - 2032, (USD Million)
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亚太在全球高电子活性晶体管市场占有很大份额,2023年市场份额约为37%. 中国,日本,韩国和台湾等亚太国家是半导体和技术发展的主要制造商. 该领域的强大基础设施和胜任的劳动力为加速HEMT的生产和吸收提供了便利。 对高性能半导体(如HEMT)的胃口不断增长,这是由于亚太各国对消费电子产品、电信设备和汽车电子产品的需求不断增加。

Smartphone,平板电脑,IoT技术和5G基础设施的兴起,进一步加大了需求. 推动半导体工业增长并增加研发投资的政府举措,这些举措导致HEMT的创新,因为政府支持该产业的发展。 此外,扩大市场还得到当地公司与国际半导体制造商结盟的贡献。

高电动晶体管市场份额

NXP半导体和ST微电子在2023年拥有了高电动晶体管行业的相当大份额. 国家XP 半导体是全球领先的高性能混合信号半导体解决方案供应商. 在高电动晶体管(HEMT)市场,NXP提供一系列针对各种应用量身定制的HEMT创新产品,包括无线通信,汽车雷达系统和工业自动化.

ST微电子公司是一家知名的半导体制造商,因其对高电动晶体管(HEMT)市场的贡献而出名. 公司设计和生产HEMT,利用先进的半导体制造技术和创新设计来制造出高性能晶体管. ST微电子的HEMT提供迎合广泛的应用,包括电信,航空航天,国防,和消费电子.

高电动晶体管市场公司

在高电子活性晶体管行业运营的主要玩家有:

  • NXP 半导体
  • ST 微电子
  • 德克萨斯州文书
  • 精密技术
  • 雷内萨斯电子公司
  • 英特尔公司
  • 杉通电器创新股份有限公司.

高电动晶体管工业新闻

  • 2022年10月,杉通电气推出了世界上第一台使用N-极地GaN推进下一代电信系统的后5克 gall硝化晶体管(GaN-HEMT)来满足高能高频需求.
  • 2023年12月,Teledyne e2v Hirel (英语: 电子扩大了筛选出GAN HEMT的空间组合。 Teledyne e2v HiRel通过引入新的空间筛选版本来扩展其组合,这些版本是其钛硝化亚铁高电子活性晶体管(GaN HEMTs). 增加的内容包括100V,90A和650V,30个适合电池管理,dc-dc转换器等应用的A GAN HEMT和空间发动机驱动器. 这些装置提供延长温度性能,低导能,和低热阻容器,用于关键的航空航天和国防动力应用.

高电子活性晶体管市场调查报告包含了对该行业的深入报道. 以2018年至2032年的收入(10亿美元)估算和预测, 下列部分:

市场按材料类型

  • Gallium Nitride (加恩语)
  • 碳化硅(锡)
  • 高利姆·阿森尼德(GaAs)
  • 其他人员

市场,按行业垂直

  • 消费者电子产品
  • 汽车
  • 工业
  • 航空航天与国防
  • 其他人员

现就下列区域和国家提供上述资料:

  • 北美
    • 美国.
    • 加拿大
  • 欧洲
    • 联合王国
    • 德国
    • 法国
    • 意大利
    • 页:1
    • 俄罗斯
    • 欧洲其他地区
  • 亚太
    • 中国
    • 印度
    • 日本
    • 韩国
    • 澳大利亚
    • 亚洲及太平洋其他地区
  • 拉丁美洲
    • 联合国
    • 墨西哥
    • 拉丁美洲其他地区
  • 米兰
    • 阿联酋
    • 沙特阿拉伯
    • 南非
    • 其余的MEA地区

 

作者: Suraj Gujar, Sandeep Ugale

常见问题解答(FAQ)

2023年高电子活性晶体管的工业规模超过65亿美元,由于无线技术不断进步,估计在2024至2032年间CAGR超过5%.

氮化 gall(GaN)材料型段在2023年占据了高电子活性晶体管行业的48%以上,这主要是因为其性能和多功能性能.

由于中国,日本,韩国和台湾的半导体产量不断上升,亚太在2023年电子活性强的晶体管市场占有37%.

全世界一些著名的高电子活性晶体管公司有:NXP半导体公司,ST微电子公司,德克萨斯仪器公司,Infineon Technologies公司,Renesas电子公司,英特尔公司,和Sumitomo电器创新公司等.

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高级报告详情

  • 基准年: 2023
  • 涉及企业: 10
  • 表格和图形: 362
  • 涵盖国家: 22
  • 页面数: 230
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