3D ND 闪存市场大小

3D NAND闪存市场在2023年价值为190亿美元,预计在2024至2032年间,CAGR将增长超过15%. 技术进步,高层堆放,以及当前电路设计和架构的进步,如改进了错误校正算法和磨平技术,使得3D NAND闪存的性能和寿命得以提高.

细胞结构的创新,如发展出更高的细胞结构,使得更多的细胞可以被打包入每层,从而进一步提高了存储密度而未显著地扩大内存芯片的足迹. 这些创新至关重要,因为记忆细胞变小并更密集地包装. 例如,2024年2月,长江记忆技术有限公司推出了其X1-9050,是YMTC的第二代3D NAND闪存产品. 它建立在Xtacking架构上,这是YMTC专利的3D NAND堆放技术. 在主流行业控制员的支持下,可以被广泛应用于消费者,企业,移动存储产品的开发,展现出数字存储的未来.

随着高分辨相机的日益使用和4K/8K视频录制能力的不断提高,移动设备对高容量存储的需求正在大幅增加. 储存能力迅速增强,成为智能手机OEM相互竞争的最重要标准之一,特别是在溢价和机器人部分。 更好的相机,更高的分辨率显示,以及更快的无线连接,增强了高分辨率视频的通达性,对智能手机NAND内存产生了更高的需求.

由于吸收了先进的3D NAND技术,存储的敏感数据数量正在增加,使得这些存储设备更容易被网络攻击. 3D NAND设备中固件的复杂性会暴露出黑客可能利用来获得未经授权的访问或对所存储数据的控制的弱点.

3D ND 闪存市场 趋势

3D NAND闪存行业对高容量存储的日益增长的需求受到各种因素的制约,包括数据密集型应用,企业成长,消费电子,IOT,以及技术进步等. 这种需求影响产品开发、市场扩张、经济动态和行业内的竞争战略。 移动设备存储能力提高的趋势是由消费者要求为应用程序、相片、视频和其他媒体提供更多的空间所驱动的。 例如,在2024年4月,三星电子公司开始大规模生产世界上最先进的,286层的NAND闪存芯片并扩大了数据存储能力. 这是第九代3D NAND内存,可用于人工智能数据中心以及智能手机.

企业越来越多地依靠大数据分析从大量数据中获得洞察力. Cloud平台为处理大数据提供可扩展存储和计算资源,导致对高容量和高性能存储解决方案的需求增加,如3D NAND闪存. 物联网(IoT)设备的扩散产生大量需要存储和处理的数据入云. 这种数据爆炸需要可靠和可扩展的存储解决方案.

3D ND 闪存市场分析

基于类型,市场被分割成单层细胞,多层细胞,和三层细胞. 三等细胞段是生长最快的段,2024至2032年间CAGR超过15%.

• 市场越来越多地采用三聚级电池技术,其驱动力是其成本效益、技术进步和对高容量存储需求的增加。 NAND闪存厂商通常使用有3D NAND闪存的TLC,其中内存细胞被垂直地堆放在芯片上. 内存产业随着制造商达到2D或平板存储技术的缩放极限而转移到了3D NAND flash,后者使用单层内存细胞.
• 制造商正在扩大其产品范围,以包括各种基于TLC的解决方案,从消费级SSD到企业一级的存储系统. 开发定制存储解决方案,利用TLC NAND满足不同市场部门的具体要求的趋势正在增长。

基于应用,市场被分拆成相机,笔记本电脑和PC,智能手机和平板电脑等. 智能手机&平板电脑部分占据了市场主导地位,预计到2032年将达到400多亿.

• 现代智能手机和平板电脑越来越多地将人工智能和机器学习能力纳入面部识别,语音助理,实时语言翻译等功能. 这些功能需要大量的数据处理和储存能力来储存各种应用程序。
• AI通过个性化的建议,更聪明地摄影(如场景识别和图像增强),以及预测文本来增强用户体验. 用于这些特性的基本数据和模型需要大量储存资源。

3D NAND闪存市场正在亚太出现大幅增长,估计到2032年将达到150亿美元。 亚太,特别是中国,日本,韩国等国家,台湾是世界上一些最大的半导体制造公司的所在地. 本区域研发方面的大量投资已导致3D NAND的技术进步,提高了绩效、能力和成本效益。

日本先进的制造基础设施确保了3D NAND闪存的高质量生产. 国家致力于精密工程和质量控制有助于保持其竞争优势。 例如,2024年4月,总部设在日本的克奥克西亚宣布了到2031年大规模生产有1000多层的3D NAND记忆的计划.

2024年4月,以韩国为基地的三星宣布了开发出第10代有400多层的3D NAND产品的计划. 同样地,Compatriot SK Hynix是量产238级NAND记忆,而Kiocia控股则是量产162级NAND记忆.

在北美各地部署5G网络正在推动对高容量和高速存储解决方案的需求. 5G设备与服务生成并消耗大量数据,需要3D NAND闪存等先进存储技术.

3D ND 闪存市场份额

三星电子股份有限公司和诺斯罗普·格鲁曼公司于2023年共同持有了3D NAND闪存行业的15%以上的市场份额. 三星电子股份有限公司凭借其创新技术,强大的制造能力,战略投资,确立了自己在半导体产业中的主导力量.

Micron Technology是全球最大的内存和存储解决方案制造商之一,在包括3D NAND flash memory在内的内存技术的进步中发挥着至关重要的作用. 该公司一直走在开发高级3D NAND架构的前列,将内存细胞垂直堆放以提升存储密度并改进性能.

3D NAND 闪存市场公司

3D NAND闪存行业的主要玩家有:

• 三星电子股份有限公司.
• 微信科技股份有限公司.
• SK Hynix股份有限公司.
• 英特尔公司
• 克克西亚公司
• 西方数字公司
• 南亚技术公司

3D NAND 闪存行业新闻

• 2023年10月,总部位于日本的东京电机公司揭晓了3D NAND闪存技术的创新. 这一旨在增加存储密度的创新涉及对内存细胞中通道孔进行蚀刻的新方法.
• 2023年7月,"新半导体"推出了其开创性技术"3D X-DRAM". 这一发展是世界上第一个3D NAND类似DRAM的细胞阵列,目标是解决DRAM的能力瓶颈并取代整个2D DRAM市场. 3D X-DRAM可以使用现有的3D NAND闪存过程并有小的改变来制造,大大地减少了开发出一个新的3D过程所花去的时间和成本.

3D NAND闪存市场调查报告包括对该行业的深入报道 估计和预测2024年至2032年的收入(百万美元), 下列部分:

市场,按类型

• 单级单元格
• 多级单元格
• 三层单元格

市场,按应用

• 相机
• 手提电脑和电脑
• 智能手机和平板电脑
• 其他人员

市场,按最终用途

• 汽车
• 消费电子产品
• 企业
• 保健
• 其他人员

现就下列区域和国家提供上述资料:

• 北美
  • 美国.
  • 加拿大
• 欧洲
  • 德国
  • 联合王国
  • 法国
  • 意大利
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  • 欧洲其他地区
• 亚太
  • 中国
  • 日本
  • 印度
  • 韩国
  • 澳大利亚
  • 亚洲及太平洋其他地区
• 拉丁美洲
  • 联合国
  • 墨西哥
  • 拉丁美洲其他地区
• 米兰
  • 阿联酋
  • 沙特阿拉伯
  • 南非
  • 其余的MEA地区