Размер рынка драйверов MOSFET и IGBT Gate

Рынок драйверов MOSFET и IGBT GateПрогнозируется, что в период с 2024 по 2032 год будет наблюдаться здоровый рост в результате увеличения скорости отключений электроэнергии и высокого спроса на системы ИБП. Учитывая характеристики высокого тока и высокого напряжения, MOSFET и IGBT используются в качестве переключающих устройств в ИБП и других устройствах.силовая электроникаприложения.

Поэтому ожидается, что резкое отключение, связанное с погодой, будет способствовать использованию цепей драйверов MOSFET и IGBT для использования в источниках питания. Например, согласно отчетам в апреле 2022 года, за последние два десятилетия в США удвоилось отключение электроэнергии, поскольку суровая погода вызвала более разрушительные штормы, которые нанесли ущерб стареющей электросети.

MOSFET и IGBT Gate драйверы рынка

Индустрия драйверов MOSFET и IGBT демонстрирует значительные тенденции, обусловленные растущим спросом на энергоэффективность. силовая электроника в различных приложениях, таких как автомобильная, возобновляемая энергия и промышленный сектор. Ключевые тенденции включают внедрение передовых технологий драйверов ворот для повышения скорости переключения, снижения потерь мощности и повышения надежности. Кроме того, все больше внимания уделяется компактным и интегрированным решениям драйверов ворот для решения пространственных ограничений и упрощения проектирования системы. Более того, увеличение инвестиций в технологии производства полупроводников и появление широкополосных материалов, таких как SiC и GaN, влияют на динамику рынка, стимулируя дальнейшие инновации в драйверах MOSFET и IGBT.

Анализ рынка драйверов MOSFET и IGBT Gate

Сегмент драйверов ворот IGBT будет рекордно сильным CAGR с 2024 по 2032 год из-за высокого спроса на автомобили. По данным Европейской ассоциации автопроизводителей, в октябре 2022 года регистрация новых автомобилей выросла на 14%, достигнув 910 753 автомобилей в ЕАСТ, Великобритании и ЕС. Продажи автомобилей будут стимулировать потребность в схеме шлюза для IGBT для инверторов для управления автомобильными основными двигателями и повышения их эффективности. Его область применения в качестве устройства считывания в инверторных схемах для привода больших и малых двигателей также увеличит долю сегмента.

Сегмент электромобилей к 2032 году будет составлять значительную долю рынка драйверов MOSFET и IGBT, учитывая высокое предпочтение устойчивого транспорта. Проблемы, связанные с климатом и выбросами парниковых газов, побуждают потребителей переходить на электромобили. С ростом глобальных усилий по достижению цели чистого нулевого выброса углерода продажи электромобилей будут расти, увеличивая потребление тяговых систем на основе MOSFET и IGBT.

MOSFET и IGBT принесут значительную прибыль в период с 2024 по 2032 год из-за роста загрузок игр для ПК. По данным Немецкой ассоциации игровой индустрии, в 2021 году в качестве загрузок в стране было приобретено 6 из 10 консольных и ПК-игр. Эти факторы усилят производство драйверов ворот для транзисторов в современных процессорах. Кроме того, рост продаж смартфонов и других электронных устройств в обозримом будущем окажет положительное влияние на динамику рынка.

Доля рынка MOSFET и IGBT Gate Driver

Конкурентный ландшафт рынка включает такие компании, как:

• Полупроводник ROHM
• Powerex (BC Hydro)
• Корпорация Renesas Electronics
• Тосиба
• Аналоговые устройства
• Корпорация Semtech
• Бродком
• Vishay Intertechnology
• Силовая интеграция Инк.
• Микрочип
• Полупроводники NXP
• Технологии Infineon
• STMicroelectronics
• Полупроводник
• Техасские инструменты

Диверсификация ассортимента продукции и расширение бизнеса являются одними из стратегий, предпринимаемых этими компаниями для укрепления своего присутствия на рынке.

Новости индустрии MOSFET и IGBT Gate

• В ноябре 2023 года Broadcom Inc., известная технологическая компания, специализирующаяся на полупроводниковых и инфраструктурных программных решениях, завершила приобретение VMware, Inc.
• В ноябре 2023 года Littelfuse представила новый оптически изолированный фотоэлектрический шлюз, предназначенный для MOSFET и IGBT, названный FDA117. Благодаря изоляции ввода-вывода 5 кВрм (6 кВрм при 50 или 60 Гц для 1s) этот драйвер предназначен для применения в промышленных, энергетических, автоматизации зданий и умных домах.