격리된 문 양극 트랜지스터 시장 크기

격리된 문 양극 트랜지스터 시장은 2023 년 USD 12.5 억에 달했으며 2024 년과 2032 년 사이에 10 % 이상의 CAGR를 등록 할 것으로 예상됩니다. 전기 자동차 (EVs) 및 하이브리드 차량의 채택은 이러한 차량의 파워 트레인 시스템의 필수적인 역할을하는 IGBT 시장의 중요한 성장 드라이버입니다.

IGBT는 EV 및 하이브리드 드라이브트레인의 전기 에너지를 제어하는 데 필수적이며 효율적인 에너지 변환 및 관리를 가능하게합니다. EV 및 하이브리드에 대한 수요 증가와 IGBT에 대한 병렬 증가가 있으며, 시장 성장을 주도합니다. 예를 들어, 8 월 2022에서 Renesas Electronics는 EV의 핵심에 전력 전자를 개선하기 위해 작고 고전압 IGBT의 새로운 세대를 공개했습니다. 이 장치는 300 A까지 현재 등급을 가지고 있으며 최대 1,200 V의 전압을 견딜 수 있습니다. Automakers는 건전지 힘을 소결하고 IGBT의 회사의 AE5 시리즈에 있는 힘을 저장해서 EVs의 범위를 증가할 수 있습니다.

스마트 그리드 인프라의 상승은 그리드 효율, 신뢰성 및 지속 가능성에 대한 피벗 역할을하는 IGBT 시장의 중요한 성장 드라이버입니다. IGBT는 똑똑한 격자 체계에 있는 완전한 성분, 전기의 능률적인 전송 그리고 배급, 관리 힘 교류, 및 격자 안정화를 촉진하. 스마트 그리드 인프라의 IGBT 수요는 재생 가능한 에너지 통합을 수용하고 전력 수요를 충족하기 위해 전력망을 현대화하기 위해 전 세계 국가에서 증가 할 것으로 예상됩니다.

신뢰성과 내구성은 IGBT 시장 내의 유능한 도전을 느낀다. 전력망과 자동차 시스템과 같은 중요한 분야의 배포를 통해 어떤 운영 실패가 실질적으로 가동 시간과 안전 위험을 초래할 수 있습니다. 또한, 고열과 전기 긴장을 포함하여, 요구하는 운영 조건은, 착용과 degradation를 가속합니다. 이 underscores는 긴 기간 성과 및 신뢰성을 파악하기 위하여 엄격한 디자인과 테스트 기준에 대한 불완전한.

격리된 Gate 양극 트랜지스터 시장 인기 상품

똑똑한 격자 기술은 IGBT와 같은 진보된 힘 전자공학을, 격자 동점 변환장치에서, 전압 규칙 및 힘 질 체계를 이용합니다. 이 구성 요소는 그리드 내에서 전기 흐름의 효율적인 변환, 규제 및 유지 보수를 가능하게합니다. IGBT를 위한 수요는 신뢰성을 강화하고, 에너지 분배를 낙관하고, 재생 가능 소스를 통합합니다.

IGBT는 경량, 고성능 전자공학을 위한 항공 우주 및 방위에서 점점 이용되고. 그들은 항공기에 전력 관리를 최적화, 추진 시스템의 효율성을 향상, bolster 레이더 시스템 기능. 그들의 견고함 및 전원 핸들링 기능은 까다로운 애플리케이션에 적합하며, 엄격한 무게와 성능 요건을 충족하면서 고급 기능을 구현하여 다양한 환경에서 항공우주 및 방위 운영에 필수적입니다.

격리된 Gate 양극 트랜지스터 시장 분석

전력 등급을 기반으로 단열 게이트 양극 트랜지스터 시장은 고성능, 중간 전력 및 저전력으로 구분됩니다. 고출력 세그먼트는 2032년까지 USD 15 억에 도달 할 것으로 예상됩니다.

• EV 및 Hybrid Electric Vehicles (HEVs)의 증가 채택은 모터 제어 및 배터리 관리 시스템을 위한 고성능 IGBT 모듈을 요구합니다. 자동차 충전에 대한 글로벌 푸시로, 고성능 IGBT의 수요는 더 많은 연료 시장 성장을 기대하고 있습니다.
• 대용량 인버터 및 컨버터의 고출력 IGBT에 대한 수요가 높아지고 풍력 및 태양광 발전과 같은 재생 에너지 소스에 대한 수요가 증가하는 그리드 테드 시스템에서 사용되는 변환기가 있습니다. 이 장치는 효율적인 전력 변환 및 그리드 통합, 시장 성장을 가능하게합니다.

유형에 바탕을 두어, 시장은 분리 IGBT 및 IGBT 단위로 구분됩니다. 분리형 IGBT 세그먼트는 예측 기간 동안 11% 이상의 CAGR를 등록할 것으로 예상됩니다.

• Discrete IGBTs 제안 모듈 디자인 융통성은, 엔지니어가 특정한 신청을 위해 회로를 쉽게 주문을 받아서 만들 수 있습니다. 이 적응성은 자동차와 재생 에너지와 같은 급속한 진화 기업에서 특히, 각종 힘 필요조건 수요 tailored 해결책입니다.
• Discrete IGBT는 더 높은 힘 취급 기능 및 빠른 엇바꾸기 속도와 같은 그들의 우량한 성과 특성 때문에 MOSFETs와 BJTs와 같은 오래된 기술을 대체하기 위하여 자주 선택됩니다. 이 보충 동향은 개량한 효율성 및 신뢰성을 위한 그들의 체계를 격상시키는 기업으로 뜻깊은 성장을 몰고 있습니다.

아시아 태평양은 총 수익 점유율의 40 % 이상을 2023에서 글로벌 IGBT 시장을 지배했습니다. 특히 중국, 인도 및 일본과 같은 국가의 산업 분야의 Booming 산업 분야는 모터 드라이브, 재생 에너지 시스템 및 산업 자동화와 같은 다양한 응용 분야에서 IGBT에 대한 수요를 구동합니다. 아시아 태평양 연료의 급속한 도시화 및 인프라 개발은 효율적인 에너지 관리 및 유통을위한 첨단 전력 전자에 필요한 것입니다. 또한 깨끗한 에너지 기술에 대한 지원 정부 정책 및 투자는 지역에있는 IGBT 시장의 성장을 자극합니다.

격리된 문 양극 트랜지스터 시장 공유

Infineon Technologies AG, Ltd. 및 Renesas Electronics Corporation은 2023년 IGBT 시장에서 15 % 이상의 점유율을 차지했습니다. Infineon Technologies AG는 독일에 본사를 둔 반도체 기업으로 다양한 응용 분야에 대해 IGBT를 제공하고 있습니다. 고급 IGBT 제품의 종합적인 포트폴리오를 통해 자동차, 산업, 재생 에너지 및 소비자 전자를 포함한 다양한 분야의 업체가 있습니다. 전력 효율을 최적화하고 신뢰성을 강화하고 고급 기능을 가능하게하는 솔루션은 전 세계 에너지 효율과 고성능 전자 시스템 개발에 기여합니다.

Renesas Electronics Corporation은 IGBT 시장에서 고급 솔루션을 제공하는 선도적 인 반도체 회사입니다. 이 회사는 자동차, 산업, 가전 등 다양한 응용 분야에 적합한 IGBT 제품 포트폴리오를 제공합니다. 그것의 제안은 고성능 IGBT 단위, 운전사 IC 및 힘 관리 해결책을 우회합니다. Renesas는 혁신, 신뢰성, 효율성, 글로벌 시장의 진화 요구에 부응하는 제품으로,

격리된 문 양극 트랜지스터 시장 기업

IGBTs 기업에서 작동하는 중요한 선수는:

• Infineon 기술 AG
• 미츠비시 전기 Corporation
• NXP 반도체
• 반도체 기업
• Renesas 전자 공사
• Texas Instruments 전무
• Toshiba 회사

절연 게이트 양극 트랜지스터 산업 뉴스

• 3 월 2023에서 Toshiba 전자 장치 및 스토리지 공사는 GT30J65MRB를 도입했으며, 650V는 동력 인자 보정 (PFC)의 회로 및 산업용 장비에 대한 큰 전력 공급을 분리했습니다. GT30J65MRB는 Toshiba의 60 kHz [6]의 밑에 사용을 위한 첫번째 IGBT이고, 더 높은 빈도 가동을 지키기 위하여 엇바꾸기 손실 (턴 떨어져 엇바꾸기 손실)를 낮추기에 의해 가능하게 했습니다.
• 1월 2023일 Microchip Technology는 새로운 포괄적인 하이브리드 삼상 파워 드라이브 모듈을 발표했습니다. 이 제품은 실리콘 카바이드 (SiC) MOSFET 또는 IGBT와 함께 12 가지 변형에서 사용할 수 있으며 항공 응용 분야에 대한 통합 및 재구성 가능한 전력 솔루션을 충족하기 위해 12 가지 변형이 있습니다.

단열 게이트 양극 트랜지스터 시장 조사 보고서는 업계의 심층적 인 적용을 포함합니다. 2021년에서 2032년까지 수익률(USD Million)의 예측 및 예측 뒤에 오는 세그먼트를 위해:

시장, 유형별

• 분리형 IGBT
• IGBT 단위

시장, 힘 등급에 의하여

• 높은 힘
• 중간 힘
• 낮은 힘

시장, 신청에 의하여

• 에너지 및 전력
• 가전제품
• 인버터 및 UPS
• 전기 차량
• 산업 시스템
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