3D NAND 플래시 메모리 시장 규모 – 유형별, 애플리케이션별, 최종 용도별, 분석, 점유율, 성장 예측(2025~2034년)

3D NAND 플래시 메모리 시장 규모

글로벌 3D NAND 플래시 메모리 시장은 2024년에 218억 달러로 평가되었으며 CAGR 21.8%로 성장하여 2034년까지 1,494억 달러에 이를 것으로 예상됩니다. 시장의 성장은 소비자 전자 제품에 대한 수요 급증과 함께 데이터 센터 수의 증가를 포함한 주요 요인에 의해 주도됩니다.

전 세계적으로 데이터 센터의 수가 증가함에 따라 3D NAND 플래시 메모리에 대한 수요가 빠른 속도로 증가하고 있습니다. 데이터 센터에서 데이터를 읽는 속도의 향상과 효율성 및 용량은 클라우드 컴퓨팅, 인공 지능, 빅 데이터 및 디지털 서비스의 출현으로 인한 데이터의 폭발이 임박함에 따라 필요합니다. Statista에 따르면 데이터 센터 부문은 2025년에 4,525억 3,000만 달러를 차지할 것으로 예상되며, 또한 2029년까지 6,240억 7,000만 달러의 가치에 도달할 것으로 예상되며 2025년부터 2029년까지 8.37%의 성장률을 보일 것으로 예상됩니다.

3D NAND 플래시 메모리는 더 빠르고, 대기 시간이 짧고, 읽기/쓰기 속도가 더 높고, 내구성이 더 뛰어나기 때문에 HDD보다 우수합니다. 생산성을 높이고 시간 낭비를 줄이고자 하는 중요한 클라우드 조직 및 기업의 대규모 데이터 세트 변경 사항을 처리하기 위해 하이퍼스케일 SSD가 필요하기 때문에 상용 데이터 센터에 3D NAND 플래시 메모리 통합이 확대되고 있습니다.

소비자 가전 제품의 보급률 증가는 전 세계적으로 3D NAND 플래시 메모리 시장의 급속한 성장 궤도를 초래하는 촉매 요인으로 작용하고 있습니다. 제조업체는 고해상도 사진, 4K/8K 영화 및 게임 애플리케이션에서 스마트폰, 태블릿 및 노트북의 증가하는 스토리지 수요를 충족하기 위해 고밀도 및 효과적인 저장 용량으로 인해 3D NAND를 점점 더 많이 사용하고 있습니다. 

Statista에 따르면 2024년 현재 약 81억 7,200만 개의 소비자 전자 제품이 사용되고 있으며 2029년까지 90억 700만 개로 증가할 것으로 예상됩니다. 스마트워치, 스마트 TV 및 홈 오토메이션 시스템과 같은 스마트 장치가 보편화됨에 따라 안정적이고 컴팩트한 메모리 솔루션이 필수가 되고 있습니다. 3D NAND SSD는 특히 고성능 게임 콘솔과 클라우드 게임 서비스의 출시로 호황을 누리고 있는 게임 산업에서 원활한 사용자 경험과 더 빠른 데이터 처리를 보장하는 데 중요한 역할을 합니다.

3D NAND 플래시 메모리 시장 동향

• 하이브리드 및 스토리지 클래스 메모리(SCM)의 출현은 데이터 스토리지 계층 구조를 변경하여 3D NAND 플래시 메모리에 대한 글로벌 수요를 변화시키고 있으며, 이는 전 세계적으로 시장 성장을 촉진하는 주요 추세입니다. 인텔의 옵테인(Optane)과 마이크론(Micron)의 3D XPoint와 같은 SCM은 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM) 기술과 함께 기존 NAND 플래시보다 더 나은 성능을 제공합니다.
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• NAND에 비해 SCM은 더 나은 속도와 대기 시간을 자랑하지만 스토리지 밀도가 낮고 비용이 더 높은 경향이 있습니다. 이 때문에 핫 데이터의 SCM과 콜드 데이터의 3D NAND 플래시 메모리를 결합한 하이브리드 스토리지 시스템은 데이터 센터와 기업에서 흔히 볼 수 있습니다. 이러한 형태의 통합으로 인해 3D NAND는 대량 데이터 스토리지의 비용 및 용량 요구 사항을 지속적으로 충족할 수 있으며, 이는 다시 기술에 대한 수요를 자극합니다.
  
• 3D NAND 플래시 메모리에 대한 글로벌 수요는 자동차 산업에서의 적용 가능성이 증가함에 따라 기하급수적으로 증가하고 있으며, 이는 시장 확장의 새로운 추세입니다. 커넥티드 차량, 첨단 운전자 보조 시스템(ADAS), 차량 내 인포테인먼트(IVI) 시스템의 혁신으로 인해 더 높은 용량과 더 빠른 속도를 모두 제공하는 신뢰할 수 있는 스토리지 솔루션에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 3D NAND 플래시 메모리의 내구성, 고속 처리 및 고밀도 스토리지는 방대한 양의 데이터를 반복적으로 생성하고 처리하는 자동차 애플리케이션에 적합합니다.
  
• 엣지 컴퓨팅의 성장은 3D NAND 플래시 메모리 시장을 확장하는 데에도 중요한 역할을 하고 있습니다. 엣지 컴퓨팅은 데이터 스토리지 및 처리를 중앙 데이터 센터에 의존하는 대신 네트워크의 엣지에 더 가깝게 가져옵니다. 이 접근 방식은 지연을 줄이고 현장에서 더 빠른 의사 결정을 가능하게 합니다. 이러한 전환에는 로컬 데이터 처리 및 분석을 용이하게 하기 위해 고밀도, 에너지 효율적인 소형 저장 매체가 필요하므로 3D NAND 플래시 메모리가 선호되는 선택입니다. 높은 스토리지 밀도, 빠른 읽기/쓰기 속도 및 안정성으로 인해 산업용 센서, 자율 주행 차량, 스마트 카메라 및 의료 장치와 같은 에지 장치에서 데이터 관리가 원활하게 이루어지므로 효과적인 데이터 관리가 가능합니다.
  

3D NAND 플래시 메모리 시장 분석

• 트리플 레벨 셀 부문은 2024년 전 세계 3D NAND 플래시 메모리 시장의 43.5%를 차지할 것으로 예상됩니다. TLC는 셀당 3비트의 데이터를 저장하기 때문에 비용이 저렴하고 스토리지 밀도가 높기 때문에 SLC 및 MLC보다 저렴합니다. 결과적으로 대용량 데이터 스토리지가 필요한 태블릿, 스마트폰 및 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)는 TLC를 효과적으로 활용할 수 있습니다. 또한 TLC 기반 3D NAND는 스마트 TV, 게임 콘솔, 노트북 및 스마트폰을 포함한 소비자 가전 장치의 증가로 인해 경제적이고 대용량의 스토리지가 필요하기 때문에 주목을 받고 있습니다.
  
• 2034년에 다단계 셀 부문은 미화 512억 달러를 차지했습니다. MLC는 두 가지 정보를 유지하며, 스토리지 내구성, 성능 및 밀도 간의 절충안으로 고성능 및 수명을 가진 애플리케이션을 지원할 수 있습니다. MLC의 신뢰성과 향상된 쓰기 내구성은 엔터프라이즈급 SSD 및 데이터 센터 스토리지 솔루션에 유용합니다. 고성능 컴퓨팅, 가상화 및 클라우드 스토리지 플랫폼은 MLC의 내구성을 활용합니다.
  

응용 프로그램을 기반으로 3D NAND 플래시 메모리 시장은 카메라, 노트북 및 PC, 스마트폰 및 태블릿 등으로 분류됩니다.

• 스마트폰 및 태블릿 부문은 2024년에 미화 12억 달러를 차지했습니다. 오늘날 우리가 사용하는 정교한 휴대용 장치에는 고품질 카메라, 4K 녹화 기능, 고급 응용 프로그램 및 기타 다양한 기능이 통합되어 있어 데이터 생성이 증가합니다. 3D NAND 기술은 이러한 요구에 부응할 수 있는 대용량 스토리지 솔루션을 제공합니다. 사용자는 멀티태스킹, 게임, 콘텐츠 스트리밍 등 어떤 작업이든 원활한 성능을 기대합니다. 따라서 3D NAND 플래시 메모리, 데이터 액세스 속도가 빨라지고 애플리케이션이 더 효율적으로 응답합니다.
  
• 노트북과 PC는 2034년에 431억 달러에 이를 것으로 예상되는 크게 성장하는 부문으로 차지했습니다. 게임, 비디오 편집 및 콘텐츠 제작에서 컴퓨터 및 노트북에 대한 요구 사항의 증가는 신뢰할 수 있고 빠른 스토리지에 대한 수요에 영향을 미치고 있음을 보여주고 있습니다. PC와 노트북은 3D NAND 플래시 메모리의 발전으로 인해 인기가 높습니다. 이러한 개선을 통해 완전한 3D NAND SSD는 비즈니스 및 개인 장치에서 기존 HDD를 대체할 수 있습니다.
  

최종 용도를 기준으로 3D NAND 플래시 메모리 시장은 자동차, 소비자 가전, 기업, 의료 및 기타로 분류됩니다.

• 소비자 가전 부문은 2024년 점유율의 41.4%를 차지했습니다. 스마트 홈 장치, 웨어러블 및 가전 제품과 같은 사물 인터넷(IoT) 장치의 급증으로 인해 3D NAND로 구동되는 작고 에너지 효율적이며 신뢰할 수 있는 스토리지 솔루션에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 스마트워치, 피트니스 트래커 및 기타 건강 모니터링 장치와 같은 웨어러블 기술은 많은 양의 데이터를 생성하고 캡처합니다. 이러한 장치의 스토리지 요구 사항은 용량과 전력 효율성으로 인해 3D NAND 기술로 최적으로 충족됩니다.
  
• 자동차는 2025-2034년 동안 20.9%의 CAGR로 성장할 가능성이 있는 크게 성장하는 부문을 차지했습니다. 차선 이탈 경고, 적응형 크루즈 컨트롤, 자율 비상 제동과 같은 ADAS 기능의 사용이 증가함에 따라 센서 데이터를 실시간으로 처리하고 의사 결정을 내리기 위한 빅 데이터 스토리지가 필요해졌습니다. 3D NAND 플래시 메모리는 이러한 애플리케이션에 필요한 성능과 용량을 제공합니다. 또한 내비게이션, 비디오 스트리밍 및 소셜 네트워크와 같은 클라우드 컴퓨팅 기반 서비스는 커넥티드 카의 높은 스토리지 용량과 속도를 요구합니다. 3D NAND는 필요한 용량과 성능을 제공합니다.
  

2024년 U.S. 3D NAND 플래시 메모리 시장은 50억 달러를 차지했습니다. 클라우드 컴퓨팅, 인공 지능(AI) 기술 및 기타 빅 데이터 애플리케이션으로 인한 하이퍼스케일 및 엔터프라이즈 데이터 센터의 확장 및 전산화로 인해 3D NAND와 같은 더 빠르고 더 큰 스토리지 장치에 대한 필요성이 증가하고 있습니다. 또한 의료, 금융 및 자동차 산업에서 인공 지능 기반 애플리케이션의 사용이 증가함에 따라 필수 불가결한 데이터를 저장하고 처리하기 위한 신뢰할 수 있는 고속 메모리 장치에 대한 필요성이 높아졌으며, 이는 예상 기간 동안 시장 성장을 증가시키는 주요 요인입니다.

독일 3D NAND 플래시 메모리 시장은 예측 기간 동안 21.8%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다. 인더스트리 4.0 및 스마트 제조에 대한 관심이 높아짐에 따라 이 지역의 커넥티드 IoT 센서, 산업 기계 및 기타 애플리케이션에서 3D NAND 플래시 메모리를 통한 데이터 스토리지의 필요성이 증가했습니다. 또한 글로벌 자동차 중심지인 독일의 자율주행, 전기차 및 커넥티드 카 분야의 발전은 3D NAND 플래시 메모리 시장에 상당한 비율로 기여하고 있는 신뢰할 수 있는 대용량 스토리지에 대한 수요 증가를 가속화하고 있습니다.

중국 3D NAND 플래시 메모리 시장은 예측 기간 동안 23.6%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다. 데이터 센터의 급속한 확장, 스마트 시티 인프라에 대한 투자 증가, 반도체 생산의 현지화는 주로 시장 성장에 기여하는 핵심 요소입니다.

3D NAND 플래시 메모리의 현지 제조 및 구현은 보조금 지급 및 연구 개발 자금 지원을 포함하여 현지 반도체 산업을 강화하기 위한 중국 정부의 정책에 의해 주도되고 있습니다. 또한 스마트폰, 태블릿, 랩톱 및 기타 전자 장치의 인기가 높아짐에 따라 3D NAND와 같은 신뢰할 수 있고 효율적인 메모리 솔루션에 대한 수요가 증가하여 지역 전체의 시장 성장을 가속화하고 있습니다.

2024년 일본은 아시아 태평양 지역의 3D NAND 플래시 메모리 시장에서 13%의 점유율을 차지할 것으로 예상됩니다. 5G 네트워크 및 IoT 디바이스의 광범위한 채택으로 엣지에서 현지화된 데이터 처리의 필요성이 증가하고 있으며, 이를 위해서는 3D NAND 메모리로 구현되는 저지연 스토리지 솔루션이 필요합니다. 또한 3D NAND 기술의 혁신에 앞장서고 있는 Kioxia 및 Western Digital과 같은 회사의 반도체 생산에서 일본이 확고한 위치를 차지하고 있기 때문에 시장이 더욱 강화되고 있습니다.

한국 3D NAND 플래시 메모리 시장은 2024년에 4억 1,300만 달러를 차지했습니다. 5G 네트워크의 급속한 확장으로 인해 엣지 컴퓨팅 인프라와 3D NAND 기술이 제공하는 빠르고 신뢰할 수 있는 스토리지 용량에 대한 필요성이 증가하고 있습니다.

또한 사물 인터넷(IoT) 장치 및 스마트 홈 시스템에 대한 투자 추세로 전환됨에 따라 3D NAND 플래시 메모리를 사용하는 임베디드 스토리지 기능에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 또한 한국은 삼성전자와 SK하이닉스가 3D 낸드 플래시 메모리의 혁신과 양산을 주도하고 있어 향후 시장 성장을 급증시키고 있어 전 세계 반도체 부문의 주요 국가입니다.

3D NAND 플래시 메모리 시장 점유율

3D NAND 플래시 메모리 산업은 소수의 업체가 시장 점유율의 큰 부분을 차지하면서 통합된 것으로 보입니다. 삼성전자, 마이크론테크놀로지, SK하이닉스가 29.9%의 점유율로 가장 높은 비중을 차지했다. 이는 새로운 생산 시설과 활발한 R&D 지출 때문입니다. 이러한 업체는 더 높은 레이어 스태킹과 증가된 스토리지 밀도 향상을 포함한 혁신을 통해 경쟁 우위를 제공합니다. 소규모 기업은 3D NAND를 제조하는 데 필요한 높은 자본 투자와 생산 공정과 관련된 복잡한 단계의 형태로 장애물에 직면해 있습니다.

또한 장기적인 전략적 제휴를 통한 시장 점유율 축적, 공급망 통제 및 지적 재산권(IP) 권리 소유권은 시장의 통합 상태를 강화합니다. 그러나 소비자 가전, 데이터 센터, 자동차 및 엔터프라이즈 애플리케이션에 대한 메모리 스토리지 수요와 지속적인 연구 지출은 경쟁 역학을 변화시키고 있습니다. 게다가, 시장은 고도로 통합되어 있지만 지역 플레이어와 신규 진입자는 더 낮은 가격과 전문화된 제품으로 일부 틈새 시장에 천천히 침투하려고 시도하고 있습니다.

또한 시장 참여자들은 진화하는 고객의 요구를 충족하기 위해 3D 플래시 메모리 기술의 기술 발전에 집중하고 있습니다. 예를 들어, 2023년 3월 Kioxia Corporation과 Western Digital Corp.은 고급 스케일링 및 웨이퍼 본딩 혁신을 특징으로 하는 최신 3D 플래시 메모리 기술을 공개했습니다. 이 218레이어 3D 플래시 메모리는 향상된 비트 밀도, 3.2Gb/s를 초과하는 더 빠른 NAND I/O 속도, 향상된 쓰기 성능 및 읽기 대기 시간을 제공합니다. CBA(CMOS direct Bonded to Array) 기술을 활용하여 향상된 용량과 비용 효율성을 제공하여 스마트폰, IoT 장치 및 데이터 센터의 증가하는 데이터 수요를 충족합니다.

3D NAND 플래시 메모리 시장 회사

3D NAND 플래시 메모리 산업의 선도 기업은 다음과 같습니다.

• 삼성전자
• 마이크론 테크놀로지, Inc.
• SK하이닉스(주)
• Kioxia Corporation(이전 Toshiba Memory Corporation)
• 웨스턴 디지털 주식회사
  

삼성은 3D NAND 플래시 메모리 시장의 선두 주자 중 하나입니다. 이 회사는 기술 개발과 대량 생산 능력에 관심을 기울이고 있습니다. 플래시 메모리의 전 세계를 바꾼 새로운 V-NAND(Vertical NAND) 기술을 개발했습니다. 스토리지 밀도, 속도 및 신뢰성을 향상시켜 메모리 셀을 수직으로 쌓습니다. 삼성의 V-NAND는 여러 세대로 나뉘며 가장 최근에는 200개 이상의 레이어를 자랑합니다.

Micron Technology, Inc.는 메모리 및 스토리지 혁신 분야의 업계 리더입니다. CMOS 언더 어레이(CuA) 기능을 갖춘 3D NAND 플로팅 게이트 기술은 스토리지 밀도를 높이고 성능을 개선하며 비용을 절감합니다. 많은 산업에서 계속 증가하는 빅 데이터에 대한 요구를 충족하기 위해 Micron은 176 레이어 및 232 레이어 NAND와 같은 다층 3D NAND 제품을 출시했습니다.

3D NAND 플래시 메모리 산업 뉴스

• 2025년 2월, Kioxia Corporation과 Sandisk Corporation은 뛰어난 전력 효율성과 향상된 밀도를 제공하는 새로운 3D 플래시 메모리 기술을 개발했습니다. ISSCC 2025에서 공개된 회사의 획기적인 CBA(CMOS direct Bonded to Array) 기술1과 함께 새로운 3D 플래시 메모리 혁신은 최신 인터페이스 표준 중 하나인 NAND 플래시 메모리용 Toggle DDR6.0을 사용하며 SCA(Separate Command Address) 프로토콜2은 인터페이스의 새로운 명령 주소 입력 방법입니다. 및 PI-LTT(Power Isolated Low-Tap Termination) 기술3은 전력 소비를 더욱 낮추는 데 중요합니다.
  
• 2023년 7월, 네오세미컨덕터는 플래시 메모리 서밋 2023에 참석할 것이라고 발표했습니다. 같은 해에 네오 세미컨덕터는 혁신적인 기술인 3D X-DRAMTM의 출시를 선언했습니다. 세계 최초의 3D NAND와 유사한 DRAM 셀 어레이인 이 혁신은 전체 2D DRAM 산업을 대체하고 DRAM의 용량 병목 현상을 해결하는 것을 목표로 합니다. 현재의 3D NAND 플래시 메모리 기술을 활용하여 약간만 수정하면 3D X-DRAMTM을 생산할 수 있으므로 새로운 3D 프로세스를 만드는 데 필요한 시간과 비용을 크게 줄일 수 있습니다. Hsu 사장은 기조 연설에서 3D X-DRAMTM의 기술적 세부 사항과 프로세스 흐름을 공개할 예정입니다.
  
• 2024년 11월, 삼성전자는 새로운 반도체 연구 개발 캠퍼스를 설립한다고 발표했습니다. 차세대 1D DRAM 및 3D NAND 플래시 기술 개발을 촉진하기 위한 최신 장비의 설치. 이 프로젝트는 삼성을 반도체 혁신의 최전선에 전략적으로 포지셔닝합니다.
  

이 3D NAND 플래시 메모리 시장 조사 보고서에는 다음 부문에 대한 2021년부터 2034년까지 수익(미화 10억 달러) 측면에서 추정 및 예측과 함께 업계에 대한 심층적인 적용 범위가 포함되어 있습니다.

유형별 시장(Market)

• 단일 수준 셀
• 다단계 세포
• 트리플 레벨 셀

응용 프로그램별 시장

• 사진기
• 노트북 및 PC
• 스마트폰 & 태블릿
• 다른

시장, 최종 용도별

• 자동차
• 소비자 가전 제품
• 기업
• 의료
• 다른

위의 정보는 다음 지역 및 국가에 대해 제공됩니다.

• 북아메리카
  • 미국
  • 캐나다
• 유럽
  • 영국
  • 독일
  • 프랑스
  • 이탈리아
  • 스페인
  • 러시아
• 아시아 태평양
  • 중국
  • 인도
  • 일본
  • 대한민국
  •  뉴질랜드
• 라틴 아메리카
  • 브라질
  • 멕시코
• 증권 시세 표시기
  • 아랍 에미리트 연방
  • 사우디아라비아
  • 남아프리카 공화국