3D NAND 플래시 메모리 시장 – 유형별(단일 레벨 셀, 다중 레벨 셀, 삼중 레벨 셀), 애플리케이션별(카메라, 노트북 및 PC, 스마트폰 및 태블릿), 최종 용도별(자동차, 가전제품, 기업, 헬스케어) 및 예측(2024~2032년)

3D NAND 플래시 메모리 시장 크기

3D 낸드 플래시 메모리 시장은 2023년 1억 달러에 달하며 2024년과 2032년 사이에 15% 이상의 CAGR에서 성장할 것으로 예상됩니다. 기술적인 발전, 더 높은 층 겹쳐 쌓이는, 뿐 아니라 현재 회로 디자인 및 건축술에 있는 전진은 개량한 과실 개정 산법 및 착용 수평하게 하는 기술과 같은, 3D NAND 플래시 기억의 고성능 그리고 수명을 가능하게 합니다.

더 높은 세포 구조의 발달과 같은 세포 건축술에 있는 혁신은, 기억 칩의 발자국을 두드러지게 확장하지 않고 각 층으로, 더 증가 저장 조밀도로 포장될 더 많은 세포를 허용합니다. 이 혁신은 기억 세포로 더 작아지고 더 densely 포장됩니다. 예를 들어, 2 월 2024에서 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.는 X1-9050을 출시했으며, YMTC의 3D NAND 플래시 메모리 제품의 두 번째 세대입니다. YMTC의 특허 3D NAND stacking 기술인 Xtacking 아키텍처에 내장되어 있습니다. 주류 산업 관제사에 의해 지원해, 그것은 소비자, 기업 및 이동할 수 있는 저장 제품의 발달에서 널리 이용될 수 있고, 디지털 방식으로 저장의 미래를 보여주.

고해상도 카메라의 증가 사용과 4K/8K 비디오 레코딩 용량 상승, 모바일 기기의 대용량 저장 수요가 크게 증가합니다. 스토리지 용량은 신속하게 고급 안드로이드 세그먼트에서 스마트 폰 OEMs가 경쟁하는 가장 중요한 표준 중 하나로 견인을 얻는다. 더 나은 카메라, 더 높은 해상도 디스플레이 및 빠른 무선 연결은 스마트 폰 NAND 메모리에 대한 높은 수요를 창출하는 고해상도 비디오의 ubiquity를 강화했습니다.

저장된 민감한 데이터의 양은 고급 3D NAND 기술의 통합으로 인해 저장 용량이 증가함에 따라 이러한 저장 장치를 사이버타크에 더욱 번영합니다. 3D NAND 장치의 펌웨어의 복잡성은 해커가 저장된 데이터에 대한 무단 액세스 또는 제어를 얻기 위해 악용 할 수있는 취약점을 노출 할 수 있습니다.

3D NAND 플래시 메모리 마켓 인기 상품

3D NAND 플래시 메모리 산업의 대용량 스토리지에 대한 수요 증가는 데이터 인텐시브 애플리케이션, 기업 성장, 소비자 전자, IoT 및 기술 발전을 포함한 다양한 요인에 의해 지배됩니다. 이 수요는 제품 개발, 시장 확장, 경제 역학 및 업계에서 경쟁력 있는 전략에 영향을 미칩니다. 모바일 기기에서 더 높은 저장 용량을 향한 추세는 앱, 사진, 비디오 및 기타 미디어에 대한 더 많은 공간을 요구하는 소비자가 주도하고 있습니다. 예를 들어, 4 월 2024에서 삼성 전자는 세계에서 가장 진보 된 286-layer NAND 플래시 메모리 칩의 대량 생산을 시작했습니다. 이것은 인공 지능 데이터 센터뿐만 아니라 스마트 폰에서 사용할 수있는 ninth-generation 3D NAND 메모리입니다.

Businesses는 데이터의 광대한 양의 derive insights에 큰 데이터 분석에 점점 의존하고 있습니다. 클라우드 플랫폼은 확장 가능한 스토리지 및 컴퓨팅 리소스를 제공하여 3D NAND 플래시 메모리와 같은 대용량 및 고성능 스토리지 솔루션에 대한 향상된 필요성을 제공합니다. IoT(Internet of Things) 장치의 Proliferation는 클라우드에서 저장하고 처리해야 하는 다량의 데이터를 생성합니다. 이 데이터 폭발은 신뢰할 수 있고 확장 가능한 스토리지 솔루션이 필요합니다.

3D NAND 플래시 메모리 시장 분석

유형에 따라 시장은 단일 레벨 셀, 멀티 레벨 셀 및 트리플 레벨 셀으로 구분됩니다. 트리플 레벨 셀 세그먼트는 2024 및 2032 사이에 15 % 이상의 CAGR로 가장 빠르게 성장하는 세그먼트입니다.

• 시장에 있는 3배 수준 세포 (TLC) 기술의 일어나는 채택은 그것의 비용 효율성, 기술 발전 및 고용량 저장을 위한 일어나는 수요에 의해 몰고 있습니다. NAND 플래시 제조업체는 일반적으로 3D NAND 플래시와 TLC를 사용하여 메모리 셀이 칩에 수직으로 겹쳐 쌓입니다. 메모리 산업은 제조 업체로 3D NAND 플래시로 이동하여 메모리 셀의 단일 레이어를 사용하는 2D 또는 평면 저장 기술의 스케일링 한계에 도달했습니다.
• 제조업체는 소비자 등급 SSD에서 엔터프라이즈급 스토리지 시스템에 이르기까지 다양한 TLC 기반 솔루션을 포함하는 제품 라인을 확장하고 있습니다. TLC NAND를 활용한 맞춤형 스토리지 솔루션을 개발하여 다양한 시장 세그먼트의 특정 요구 사항을 충족합니다.

응용 프로그램에 따라 시장은 카메라, 노트북 및 PC, 스마트 폰 및 태블릿 등으로 구분됩니다. 스마트 폰 및 태블릿 세그먼트는 시장을 지배하고 2032 년까지 40 억 이상 도달 할 것으로 예상됩니다.

• 현대 스마트 폰과 태블릿은 점점 얼굴 인식, 음성 조수 및 실시간 언어 번역과 같은 기능을 위한 AI 및 기계 학습 기능을 통합하고 있습니다. 이 기능은 다양한 애플리케이션의 저장을 위한 실질적인 데이터 처리 및 저장 용량이 필요합니다.
• AI는 개인화 된 권고를 통해 사용자 경험을 향상, 스마트 사진 (씬 인식 및 이미지 향상과 같은) 및 예측 텍스트. 이러한 기능에 사용되는 underlying 데이터 및 모델은 상당한 저장 리소스를 요약합니다.

3D NAND 플래시 메모리 시장은 아시아 태평양에서 상당한 성장을 경험하고 있으며, 2032년까지 15 억 달러에 도달 할 것으로 예상됩니다. 아시아 태평양, 특히 중국, 일본, 한국, 대만과 같은 국가는 세계 최대 반도체 제조 업체 중 일부에 있습니다. 지역 R & D에 대한 중요성은 3D NAND의 기술 발전에 주도, 성능, 용량 및 비용 효율성 향상.

일본의 고급 제조 인프라는 3D NAND 플래시 메모리의 고품질 생산을 보장합니다. 정밀 엔지니어링 및 품질 관리에 대한 국가의 약속은 경쟁력을 유지하는 데 도움이됩니다. 예를 들어, 4 월 2024에서 일본에 본사를 둔 Kioxia는 2031 년까지 1,000 개 이상의 층을 가진 대량 생산 3D NAND 메모리에 계획을 발표했습니다.

4월 2024일, 한국에 본사를 둔 삼성은 400개의 층 이상의 10세대 3D NAND 제품을 개발할 계획이라고 발표했습니다. 유사하게, Compatriot SK Hynix는 Kioxia Holdings가 162-layer NAND 메모리를 생산하는 동안 238레이어 NAND 메모리를 대량 생산하는 것입니다.

북미 전역의 5G 네트워크의 배포는 대용량 및 고속 스토리지 솔루션에 대한 수요를 운전하고 있습니다. 5G-enabled 장치 및 서비스는 생성하고 3D NAND 플래시 메모리와 같은 고급 스토리지 기술을 necessitating 데이터의 큰 볼륨을 소비합니다.

3D NAND 플래시 메모리 마켓 공유

Samsung Electronics Co., Ltd. 및 Northrop Grumman Corporation은 2023 년 3D NAND 플래시 메모리 산업의 15 % 이상의 시장 점유율을 차지했습니다. 삼성전자(주)는 혁신적인 기술, 강력한 제조 능력, 전략적인 투자로 반도체 산업의 지배적 인 힘으로 설립되었습니다.

Micron Technology는 3D NAND 플래시 메모리를 포함한 메모리 기술의 발전에 중요한 역할을하는 메모리 및 스토리지 솔루션의 가장 큰 제조업체 중 하나입니다. 회사는 스토리지 밀도를 늘리고 성능을 향상시키기 위해 메모리 셀을 수직으로 겹쳐 쌓이는 고급 3D NAND 아키텍처를 개발하는 선두 주자입니다.

3D NAND 플래시 메모리 시장 기업

3D NAND 플래시 메모리 업계에서 작동하는 주요 플레이어는 다음과 같습니다.

• 삼성전자(주)
• 마이크로 기술, Inc.
• SK하이닉스
• 인텔 기업
• Kioxia 회사
• 웹 사이트
• Nanya 기술 공사

3D NAND 플래시 메모리 산업 뉴스

• 10월 2023일 도쿄 일렉트로닉스는 일본에 본사를 둔 3D NAND 플래시 메모리 기술 혁신을 공개했습니다. 이 혁신은 저장 밀도를 늘리고 메모리 셀에 있는 etching 수로 구멍을 위한 새로운 방법을 포함합니다.
• 7월 2023일, 네오 반도체는 획기적인 기술, 3D X-DRAM을 출시했습니다. 이 개발은 세계 최초의 3D NAND-like DRAM 셀 어레이, DRAM의 용량 병목을 해결하고 전체 2D DRAM 시장을 대체하기 위해 타겟팅되었습니다. 3D X-DRAM은 기존 3D NAND 플래시 메모리 프로세스를 사용하여 제조 할 수 있으며, 시간이 크게 감소하고 새로운 3D 프로세스를 개발하는 비용을 절감 할 수 있습니다.