次世代メモリ市場規模

次世代メモリ市場規模は、2023年に6億米ドル以上で評価され、2024年と2032年の間に24.8%以上のCAGRを登録すると推定される。 IoTデバイスへの関心が高まっています。

IoTデバイスは、効率的な保存と分析が必要な大きなデータを生成し、高度なメモリ技術に対する要求が増えています。 次世代メモリソリューションは、コンパクトなサイズと大容量と低消費電力の節約など、IoT関連ニーズやスマートメーターやコネクティッドカーなどのアプリケーションに適したテーラーメイドの大容量データなど、多くの利点を提供します。

この次世代のメモリ市場は、非揮発性メモリ製品に対する需要の増加に対応する大きな成長を目撃しました。 エンタープライズストレージ、データセンター、自動車電子機器、IoTデバイスなどの一定のストレージを必要とする重要なアプリケーションは、電力が切り替わるときにデータを保持しないため、揮発性メモリを好まない。 NANDフラッシュやハードディスクドライブ(HDD)などの従来の非揮発性メモリ、抵抗RAM(ReRAM)、相変化メモリ(PCM)、磁気RAM(MRAM)などの次世代メモリ技術は、アクセス時間を短縮し、消費電力を削減し、高密度化することで有意に有利です。

次世代の記憶に立ち向かうために、多くの課題があります。 メモリ技術の高速化、大容量化、低消費電力化への期待も高価です。 現行のシステムに新技術を導入し、独自の問題点を提示する現実に配合されています。 例えば、相変化や抵抗力のあるランダムアクセス記憶などの新しいメモリ技術に固有の物理的な制限を克服することは、広範な研究開発を必要とします。

次世代メモリ市場 トレンド

ハイパフォーマンスコンピューティング(HPC)は、市場における主要な成長ドライバーとして求められていることが増えてきています。 現在の科学シミュレーション、人工知能、ディープラーニング、データ分析では膨大な量のデータと大規模な処理能力を必要とします。 これらは、抵抗RAM(ReRAM)、相変化メモリ(PCM)、および磁気RAM(MRAM)で構成された新興技術により、より高い帯域幅を持つ記憶です。

これらの機能により、HPC環境に最適です。 2023年11月、Altair、HPC、AI会社、Altair HPCWorks、HPC、クラウドプラットフォームを導入。 クラウドスケーリングや次世代の分散ワークフロー技術など、高度なHPC監視/報告ツールを含むAI主導のユーザーポータルを持っています。

データストレージと処理は、次世代メモリ市場における著名なトレンドです。 ビッグデータ、モノのインターネット(IoT)、人工知能(AI)、機械学習など、より高速なメモリソリューションの需要が高まっています。 これらのソリューションは、より効率的で、エネルギーを節約し、大きなデータを保存および処理します。 従来のメモリソリューションと比較して、抵抗RAM(ReRAM)、相変化メモリ(PCM)、磁気RAM(MRAM)などの次世代メモリ技術は、高速、耐久性、低消費電力製品を提供します。

次世代メモリ市場分析

メモリーウエハサイズをベースに、200mm、300mmに分けられます。 2023年に最大55%のシェアを誇る300mmセグメント。 300mmのようなより大きいウエファーへの移動の利点は生産、よりよい収穫率および単位ごとの製造業のための低価格の効率の増加を含んでいます。

さらに、抵抗RAM(ReRAM)、相変化メモリ(PCM)、磁気RAM(MRAM)などの新世代のメモリは、手頃な価格のコストでより高いボリュームを可能にするため、300mmウェーハの加工でスケールの経済性に寄与します。 再び、300mm ドメインを使用して、半導体メーカーは、より高度なプロセス ノードを占有し、将来のメモリ デバイスの性能を高め、ストレージ容量を上げて、より高いチップ密度を得ることができます。

技術に基づき、次世代のメモリ市場は、不揮発性記憶と揮発性記憶に分けられます。 非揮発性メモリは、SRAM、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ、フェロ電気RAM(FRAM)、抵抗ランダムアクセスメモリ(ReRAM)、ナノRAMなどのサブセグメント化されます。 揮発性記憶は、ハイブリッドメモリキューブ(HMC)と高帯域幅メモリ(HBM)にさらなるサブセグメント化されます。 不揮発性記憶セグメントは、2024年から2032年にかけて26%を超えるCAGRを登録することを期待しています。

非揮発性メモリソリューションは、電力を切ってもデータを保持する能力を持っているので、車両電子機器、企業ストレージ、および物事のインターネットなどの努力のためにデータを保存することが不可欠です。 抵抗RAM(ReRAM)、位相変化メモリ(PCM)、磁気RAM(MRAM)などの非揮発性メモリ技術により、NANDフラッシュやハードディスクドライブ(HDD)などの従来の非揮発性メモリと比較して、速度とエネルギー効率が向上しました。 これらの進歩は、ビッグデータ、人工知能(AI)、モノのインターネットなどトレンドが推進するデータ集約型アプリケーションで、より高速なデータ保存、検索、および処理のためのニーズが高まっています。

北米は、2023年の次世代メモリ市場において、36.5%を超える市場シェアを占めています。 領域は、先進的なメモリ技術の革新と進歩を追求する半導体企業、研究機関および技術企業の強力な生態系によって特徴付けられます。 さらに、エッジコンピューティングアプリケーション、データセンター、高性能コンピューティングの需要が高まっています。

また、北米には、MRAM(Magneto抵抗ランダムアクセスメモリ)、PCM(Phase-Change Memory)、ReRAM(Resistive Random Access Memory)などの次世代メモリに大きく投資しているIntel、Micron Technology、IBMなどの半導体業界において、複数の主要プレイヤーがいます。 これらの企業は、企業化の迅速化とこれらの発明の採用の目標と、組織的な機関と一緒に起業家スタートアップと協力しています。

次世代メモリ市場シェア

サムスンとミクロン技術、Inc.は、2023年に市場で18%以上のシェアを開催しました。 サムスンは、次世代のメモリ市場での支配人であり、技術市場に提供する高度なメモリ技術によってイノベーションのリーダーの役割を占めています。 3D NANDフラッシュメモリ、LPDDR5 DRAM、およびHBM2Eは、Samsungが半導体製造の専門知識を通じて生産できる次世代の記憶の一部です。

Micron Technology, Inc.は、半導体およびメモリソリューションの専門知識により、次世代メモリ市場で重要な役割を果たしています。 同社は、非揮発性メモリ技術としてインテルと共に開発した3D XPointなどの先進的なメモリ技術の開発・販売を積極的に行っています。

次世代メモリ市場企業

次世代メモリ業界における主要なプレーヤーは以下のとおりです。

• サムスン
• マイクロンテクノロジー株式会社
• 富士通
• SKハイニックス株式会社
• ハネウェル国際 代表取締役
• マイクロチップ技術株式会社
• エバースピンテクノロジーズ株式会社

次世代メモリ業界ニュース

• 2023年5月、半導体製造会社であるマイクロン・テクノロジーが、エクストリーム・ウルトラバイオレット(EUV)技術を用いた1ガンマ・ノードの製造を発表しました。 次世代メモリ製造を拡充
• 2022年8月、Samsungは、データセンターの効率性を最大限に高めるために、次世代メモリ技術であるPetabyte Storageを発売しました。 新しいソリューションは、単一のサーバーユニットが複数のストレージをパックすることを可能にします。サーバーメーカーは、サーバーの最小数で同じフロアスペース内のストレージ容量をシャープに増加させることができます。

次世代のメモリ市場調査レポートには、業界の詳細な情報が含まれています 2018年から2032年までの収益(USD Million)の面での見積もりと予測 以下のセグメントの場合:

マーケット、技術によって、2018年- 2032年

• 非揮発性記憶
  • スラム
  • 磁気抵抗型ランダムアクセスメモリ(MRAM)
  • フェロ電気のRAM (FRAM)
  • 抵抗ランダムアクセスメモリ(ReRAM)
  • ナノRAM
  • その他
• 揮発性記憶
  • ハイブリッドメモリキューブ(HMC)
  • 高帯域幅記憶(HBM)

マーケット、記憶ウエファーのサイズによって、2018年– 2032年

• 200のmm
• 300のmm

マーケット, によって アプリケーション, 2018 – 2032

• BFSIの特長
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• 政府機関
• 通信事業
• 情報技術
• その他

上記情報は、以下の地域および国に提供いたします。

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