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絶縁ゲートバイポーラトランジスタ 市場規模報告書 - 2032

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ 市場規模報告書 - 2032

  • レポートID: GMI9602
  • 発行日: May 2024
  • レポート形式: PDF

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ 市場規模

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ 市場は2023年に12.5億米ドルで評価され、2024年と2032年の間に10%以上のCAGRを登録すると推定される。 電気自動車(EV)およびハイブリッド車両の採用は、これらの車両のパワートレインシステムに不可欠な役割を借りるIGBT市場のための重要な成長ドライバーです。

Insulated-gate Bipolar Transistors Market

IGBTはEVおよび雑種のドライブトレインの電気エネルギーの流れを制御するために必要です、有効なエネルギー転換および管理を可能にします。 EVやハイブリッドの需要増加に伴い、IGBTの需要が並列増加し、市場成長を推進しています。 たとえば、2022年8月には、Renesas ElectronicsはEVのコアでパワーエレクトロニクスを改善するために、小型で高電圧のIGBTの新世代を発表しました。 最大300 Aの電流定格を持ち、最大1,200 Vの電圧に耐えることができます。 オートメーカーは、バッテリーの電力を節約し、IGBTのAE5シリーズの電力を節約し、EVの範囲を増やすことができます。

スマートグリッドインフラストラクチャの上昇は、IGBT市場向けの重要な成長ドライバーで、グリッドの効率性、信頼性、および持続可能性を強化しています。 IGBTは、スマートグリッドシステムに不可欠なコンポーネントであり、電力の効率的な伝達と分布を促進し、電力の流れを管理し、グリッドの安定化を可能にします。 スマートグリッドインフラにおける IGBT の需要は、再生可能エネルギーの統合に対応し、成長する電力需要を満たすため、世界規模で投資する国の増加が期待されています。

 

IGBT市場における長期使用に伴う信頼性と耐久性の問題は、注目すべき課題です。 電力網および自動車システムのような重要なセクターの展開によって、操作上の失敗は実質的なダウンタイムおよび安全危険をもたらすことができます。 また、高温や電気的ストレスなど、耐摩耗性や劣化を加速します。 このアンダースコアは、厳格な設計とテスト基準の不可欠であり、長期的な性能と信頼性を把握します。

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ市場 トレンド

スマートグリッド技術は、IGBT、グリッドタイドインバータ、電圧レギュレータ、電力品質システムなどの高度な電力電子機器を利用しています。 これらのコンポーネントは、グリッド内の電力の流れの効率的な変換、規制、およびメンテナンスを可能にします。 IGBTの需要は、信頼性を高め、エネルギーの配分を最適化し、再生可能エネルギーのソースを統合するために増加しています。

IGBTは、航空宇宙や軽量で高性能な電子機器の防衛にますます活用されています。 航空機の電力管理を最適化し、推進システムの効率性を高め、レーダーシステムの機能を強化します。 堅牢性とパワーハンドリング機能により、要求の厳しいアプリケーションに適した機能を実現し、多様な環境での航空宇宙および防衛業務に不可欠な厳格な重量と性能要件を満たすことができます。

絶縁型バイポーラトランジスタ市場分析

Insulated-Gate Bipolar Transistors Market, By Power Rating, 2022-2032, (USD Billion)
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力の評価に基づいて、絶縁ゲートの二極のトランジスタの市場は高い発電、中力および低い電力に分けられます。 高電力セグメントは2032年までに15億米ドルを超える見込みです。

  • EVやハイブリッド電気自動車(HEV)の採用は、モータ制御とバッテリー管理システムの高出力IGBTモジュールが必要です。 車両の電動化に向けたグローバル・プッシュにより、高出力IGBTの需要が急上昇し、さらなる市場成長が期待されます。
  • 風力発電や太陽光発電などの再生可能エネルギー供給需要が高まっています。大型インバータやコンバーターの高出力IGBTの需要が高まっています。 これらのデバイスは、効率的な電力変換とグリッド統合を可能にし、市場成長を促進します。
Insulated-Gate Bipolar Transistors Market Share, By Type, 2023
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タイプに基づいて、市場は分離された IGBT および IGBT モジュールに分けられます。 予測期間中に11%以上のCAGRを登録すると、分離したIGBTセグメントが期待されます。

  • ディスクリート IGBT はモジュラー設計の柔軟性を提供し、エンジニアは特定の適用のための回路を容易にカスタマイズすることを可能にします。 この適応性は、自動車や再生可能エネルギーなどの急速に進化する産業に特に有利であり、多様な電力要求が適応するソリューションです。
  • ディスクリート IGBT は、MOSFET や BJT などの古いテクノロジを交換することが多いため、より高い電力処理能力や高速切換速度などの優れた性能特性があります。 この交換トレンドは、産業が効率性と信頼性を向上させるためにシステムをアップグレードするにつれて、重要な成長を促進しています。
China Insulated-Gate Bipolar Transistors Market Size, 2022-2032, (USD Billion)
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アジアパシフィックは、2023年にグローバルIGBT市場を占め、総収益シェアの40%以上を占めています。 特に中国、インド、日本などの国では、モータードライブ、再生可能エネルギーシステム、産業オートメーションなど、さまざまな用途で IGBT の需要を推進しています。 第二に、アジア太平洋燃料の急速な都市化とインフラ開発は、効率的なエネルギー管理と流通のための先進的な電力電子の必要性です。 さらに、クリーンエネルギー技術の支援政府の政策と投資により、地域におけるIGBT市場の成長をさらに促進します。

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ マーケットシェア

Infineon Technologies AG、Inc.、Renesas Electronics Corporation は、2023年に IGBTs 市場において、15% を超える有意なシェアを保有しました。 ドイツに拠点を置く主要な半導体会社であるInfineon Technologies AGは、さまざまな用途向けにIGBTの提供を専門としています。 高品質な IGBT 製品群の包括的なポートフォリオにより、自動車、産業、再生可能エネルギー、家電製品など、多様な分野に対応できます。 そのソリューションは、電力効率を最適化し、信頼性を高め、高度な機能を有効にすることに焦点を合わせています。そのため、世界中のエネルギー効率と高性能電子システムの開発に貢献します。

Renesas Electronics Corporationは、IGBTs市場における先進的なソリューションを提供する主要な半導体会社です。 当社は、自動車、産業、消費エレクトロニクスなどの多様な用途に適した、IGBT製品の総合ポートフォリオを提供しています。 高性能 IGBT モジュール、運転者 IC および力管理の解決を渡るその提供。 Renesas は、製品におけるイノベーション、信頼性、効率性を強調し、グローバル市場の進化する要求に応えています。

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ市場企業

IGBTs 業界で動作する主要なプレーヤーは次のとおりです。

  • インフィニオンテクノロジーズAG
  • 三菱電機株式会社
  • NXPセミコンダクター
  • ONセミコンダクター株式会社
  • レネサス電子株式会社
  • テキサス・インスツルメンツ株式会社
  • 東芝株式会社

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ業界ニュース

  • 2023年3月、東芝電子デバイス&ストレージ株式会社は、エアコンのパワーファクター補正(PFC)回路用650VディスクリートIGBT、産業用機器用大型電源のGT30J65MRBを導入しました。 GT30J65MRBは、60kHz未満のPFC用初のIGBT【6】で、スイッチングロス(ターンオフスイッチングロス)を下げることで、高い周波数動作を実現しました。
  • 2023年1月、マイクロチップ技術は、シリコンカーバイド(SiC)MOSFETまたはIGBTsのいずれかで12の異なるバリアントで利用可能な電力デバイスの新製品ラインの最初のバリアント、新しい包括的なハイブリッド三相パワードライブモジュールを発表しました。

絶縁ゲート バイポーラのトランジスタの市場調査のレポートは企業の深い適用範囲を含んでいます 2021年から2032年までの収益(USD Million)の面で推定と予測 以下のセグメントの場合:

市場、タイプによって

  • 分離した IGBT
  • IGBTモジュール

市場、力の評価による

  • 高出力
  • 媒体力
  • 低い電力

市場、適用による

  • エネルギー・電力
  • 消費者エレクトロニクス
  • インバーター及びUPS
  • 電気自動車
  • 産業システム
  • その他

上記情報は、以下の地域および国に提供いたします。

  • 北アメリカ
    • アメリカ
    • カナダ
  • ヨーロッパ
    • ドイツ
    • イギリス
    • フランス
    • イタリア
    • スペイン
    • ヨーロッパの残り
  • アジアパシフィック
    • 中国語(簡体)
    • インド
    • ジャパンジャパン
    • 韓国
    • アズン
    • アジア太平洋地域
  • ラテンアメリカ
    • ブラジル
    • メキシコ
    • ラテンアメリカの残り
  • メア
    • アラブ首長国連邦
    • サウジアラビア
    • 南アフリカ
    • MEAの残り
著者: Suraj Gujar , Deeksha Vishwakarma

よくある質問 (よくある質問)

絶縁・ゲート・バイポーラ・トランジスタの市場規模は2023年に12.5億米ドルで、2024年から2032年までに10%のCAGRを上回る電気自動車(EV)やハイブリッド車への導入に期待されています.

分離した IGBT の区分からの絶縁されたゲートの両極のトランジスタの企業はモジュラー設計柔軟性を提供し、エンジニアが特定の適用のための回路を容易にカスタマイズすることを可能にするために 2024-2032 からの 11% CAGR を上の登録すると期待されます.

2023年(昭和40年)に約40%のシェアを誇るアジアパシフィック産業は、特に中国、インド、日本などの国々で、さまざまな用途でIGBTの需要を牽引し、2024-2032年(昭和20年)から、同年(平成25年)から2032年(平成25年)にかけて、同年(平成25年)に、同年(平成25年)に、同年(平成25年)に、同年(平成25年)に、同年(平成25年)に、同年(平成27年)に、平成27年(平成27年)に)に、平成27年(平成27年)に)、平成27年(平成27年)に平成27年(平成27年)、平成27年(平成27年)に平成27年(平成27年)に平成27年)に平成27年(平成27年(平成27年)に平成27年)、平成27年)に平成27年(平成27年(平成27年(平成27年)、平成27年(平成27年)に平成27年)に平成27年(平成27年)に平成27年)に.

株式会社インフィニオンテクノロジーズAG、三菱電機、NXPセミコンダクター、株式会社オンセミコンダクター、レネサス電子株式会社、テキサスインスツルメンツ株式会社、東芝コーポレーションは、世界各地の主要な絶縁ゲートバイポーラトランジスタ会社です.

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プレミアムレポートの詳細

  • 基準年: 2023
  • 対象企業: 10
  • 表と図: 291
  • 対象国: 23
  • ページ数: 200
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