Carburo di silicio MOSFETs Dimensione del mercato, condivisione e previsione – 2032

Carburo di silicio MOSFETs Dimensione del mercato

Il mercato mondiale del carburo di silicio MOSFETs è stato valutato a 2 miliardi di dollari nel 2023 ed è stimato a crescere a un CAGR del 30,1% dal 2024 al 2032.

L'industria dei trasporti, che contribuisce significativamente alle emissioni di gas serra, sta subendo delle transizioni per diventare elettrificata. Questa transizione su larga scala nel settore dei trasporti sta spingendo la domanda di SiC MOSFETS in quanto sono componenti cruciali del powertrain, del drivetrain e dell'infrastruttura di ricarica, offrendo alta efficienza e riduzione della perdita di potenza rispetto ai componenti tradizionali a base di silicio. Inoltre, i governi di tutto il mondo stanno riducendo la loro impronta di carbonio di trasporto, guidando la crescita di mercato del mercato dei MOSFET di carburo di silicio durante il periodo di previsione.

SiC MOSFETs sono sempre più utilizzati nella produzione e nello stoccaggio di energia rinnovabile. Questi MOSFET sono componenti molto critici di inverter e convertitori di potenza utilizzati nella generazione e stoccaggio di energia rinnovabile. La crescente distribuzione di impianti di energia solare ed eolica, guidati da incentivi governativi e la necessità di soluzioni energetiche sostenibili, dovrebbe aumentare la domanda di SiC MOSFETs.

Ad esempio, nel giugno 2024, Vishay Intertechnology introduce i primi prodotti SiC MOSFET a PCIM Europe 2024. L'azienda mostrerà il suo ampio portafoglio di soluzioni di gestione del potere che affrontano diverse tendenze sempre più importanti nell'elettronica di potenza, tra cui l'e-mobility, la conversione di potenza ad alta efficienza, lo stoccaggio di energia e la gestione della rete. Prendendo la fase centrale per Vishay a PCIM sarà l'azienda di recente rilasciato 1200 V MaxSiC serie silicio carburo (SiC) MOSFETs, che forniscono on-resistances di 55 m?, 95 m? e 280 m? in pacchetti standard per applicazioni industriali, con prodotti personalizzati anche disponibili.

Carburo di silicio MOSFETs Tendenze di mercato

La crescente penetrazione di veicoli elettrici in tutto il mondo è uno dei principali driver di carburo di silicio MOSFETs. Grazie alle loro maggiori capacità di efficienza e risparmio energetico, i MOSFET in carbonio di silicio sono diventati rapidamente i componenti preferiti per i powertrains EV, le APU e l'infrastruttura di ricarica. Questa tendenza è probabile che accelera ulteriormente mentre i produttori di autoveicoli tentano di fornire una gamma più lunga di EVs con migliori prestazioni, rispettando le normative sulle emissioni.

L'energia rinnovabile, in particolare l'energia solare ed eolica, sta propellendo in modo significativo la crescita di SiC MOSFETs. In tutto il mondo gli sforzi per il passaggio all'energia pulita intensifica, la necessità di elettronica ad alta efficienza in grado di massimizzare la produzione di fonti di energia rinnovabile è anche in aumento, che sta infine aumentando la domanda di mercato MOSFETs in carburo di silicio durante il periodo di previsione.

L'adozione di reti 5G offre nuove opportunità per SiC MOSFETs. Le reti 5G richiedono una soluzione ad alte prestazioni e ad alta potenza. SiC MOSFETs può operare in modo molto efficiente a frequenze e temperature più elevate rendendoli ideali per l'implementazione in stazioni di base 5G e data center. Poiché la tecnologia 5G continua ad espandersi a livello globale, la domanda di SiC MOSFETs nelle telecomunicazioni dovrebbe crescere significativamente, guidata dalla necessità di prestazioni di rete più veloci e affidabili.

Carburo di silicio Analisi di mercato MOSFETs

Lo sviluppo e la produzione di carburo di silicio MOSFETS è un processo intensivo di costo dovuto progettazione complessa, uso di materiali avanzati e processo di produzione complesso. L'integrazione di caratteristiche e tecnologie aggiuntive nelle soluzioni di imballaggio richiede spesso investimenti sostanziali, che possono influenzare i margini di profitto. In tali casi, le aziende devono valutare il rapporto costi-benefici per garantire che funzioni aggiuntive siano utili a spese.

Sulla base del tipo di dispositivo, il mercato MOSFETs in carburo di silicio è diviso in discreti MOSFETs SiC, modulo SiC MOSFETs. Il segmento modulo SiC MOSFETs dovrebbe registrare un CAGR 31% del periodo di previsione.

• Modulo SiC MOSFETs si riferisce a SiC MOSFETs che sono integrati in un modulo o un pacchetto che include più dispositivi e componenti aggiuntivi come i driver di gate e sistemi di gestione termica. Questi moduli sono progettati per semplificare l'implementazione della tecnologia SiC in applicazioni ad alta potenza, fornendo una soluzione compatta e pronta all'uso con caratteristiche di prestazioni migliorate.
• Modulo SiC MOSFETs sono comunemente utilizzati in applicazioni come inverter industriali, alimentatori e trazione per veicoli elettrici. Essi offrono vantaggi come una maggiore densità di potenza, una ridotta induttanza parassita e una più facile integrazione in sistemi complessi, rendendoli adatti per applicazioni che richiedono una gestione di potenza robusta e affidabile.

Sulla base del nodo tecnologico, il mercato MOSFETs in carburo di silicio è diviso in tecnologia wafer da 150 mm, tecnologia wafer da 200 mm. Il segmento di tecnologia wafer da 150 mm è previsto per tenere conto di 10,3 miliardi di USD entro il 2032.

• La tecnologia wafer da 150 mm, nota anche come tecnologia wafer da 6 pollici, si riferisce al processo di produzione che utilizza wafer di silicio di diametro 150mm come substrato per la produzione di SiC MOSFETs. Questa tecnologia è tipicamente impiegata nelle applicazioni di prima fase o nicchia dove i costi e il volume di produzione sono gestibili.
• Mentre i wafer da 150 mm offrono alcuni vantaggi in termini di manipolazione dei materiali e flessibilità di produzione, vengono gradualmente eliminati a favore di dimensioni wafer più grandi.
• Nonostante ciò, la tecnologia dei wafer da 150 mm rimane rilevante per alcune applicazioni e mercati, in particolare quando è richiesta una produzione più piccola o quando l'infrastruttura esistente supporta questa dimensione del wafer.

Nel 2023, il mercato dei MOSFETs di carburo di silicio degli Stati Uniti ha rappresentato una quota del 67,8% del Nord America. Il MOSFETS silicio statunitense (SiC) è guidato da una forte domanda di veicoli elettrici e l’attenzione del governo sulla riduzione delle emissioni di carbonio. la rapida implementazione dell'infrastruttura 5G e la leadership del paese nell'innovazione dei semiconduttori rafforzano ulteriormente la domanda di SiC MOSFETs. Con una base industriale consolidata e continui investimenti R&D, gli Stati Uniti dovrebbero rimanere un mercato chiave per la tecnologia SiC.

Il mercato giapponese sta crescendo a causa della presenza di grandi industrie automobilistiche ed elettroniche che sollecitano la domanda di avanzati SiC MOSFETs. Automaker giapponesi sono all'avanguardia nello sviluppo di veicoli elettrici (EV), adottando sempre più SiC MOSFETs per migliorare l'efficienza e le prestazioni del veicolo. Inoltre, l'attenzione del Giappone sulla conservazione dell'energia e il suo impegno per l'energia rinnovabile hanno portato alla crescente domanda di SiC MOSFETs in inverter solari e applicazioni di rete elettrica.

Le società di mercato del carburo di silicio sudcoreano MOSFETs investono pesantemente nello sviluppo di veicoli elettrici (EV) e nei progetti di energia rinnovabile, entrambi importanti applicazioni per SiC MOSFETs. La leadership del paese nella tecnologia 5G e i suoi continui investimenti in smart grid e elettronica di potenza contribuiscono anche alla crescente domanda di SiC MOSFETs. Con una solida base industriale e un impegno per il progresso tecnologico, la Corea del Sud è pronta a diventare un importante player nel mercato mondiale dei SiC MOSFETs.

Ad esempio, nel giugno 2024, Mitsubishi Electric Corporation ha annunciato che ha iniziato a spedire versioni a bassa corrente 3.3kV/400A e 3.3kV/200A di un modulo diodo a barriera Schottky (SBD) in carburo di silicio incorporato (SiC) in metallo-ossido-semiconduttore modulo transistor effetto campo (MOSFET) per grandi apparecchiature industriali, tra cui rolling stock e sistemi elettrici, da oggi, da giugno Insieme all'attuale versione 3.3kV/800A, la nuova serie UnifullTM comprende tre moduli per soddisfare la crescente domanda di inverter in grado di aumentare l'efficienza di produzione di potenza e di conversione di potenza nelle grandi apparecchiature industriali.

Carburo di silicio Condividi mercato MOSFETs

I principali attori del mercato MOSFET del carburo di silicio sono Hitachi Power Semiconductor Device, II-VI (ex Coherent Corporation), Infineon, Long-Street, Microchip, Mitsubishi Electric, ON Semiconductor, Renesas, ROHM, STARCHIP, STMicroelectronics, Toshiba e TT Electronics. Le prestazioni e l'affidabilità del prodotto sono dei principali differenziatori competitivi, in quanto i SiC MOSFET sono valutati per l'alta efficienza, la resistenza al calore e l'idoneità per applicazioni ad alta tensione in settori come l'automotive, l'energia rinnovabile e le attrezzature industriali.

Carburo di silicio MOSFETs Aziende di mercato

I principali attori operanti nel settore del carburo di silicio MOSFETs sono:

• Dispositivo semiconduttore di potenza Hitachi, Ltd.
• II-VI Incorporated (ora Coherent Corp.)
• Infineon Technologies AG
• Littelfuse, Inc.
• Microchip Technology Inc.
• Mitsubishi Electric Corporation
• ON Semiconduttore
• Renesas Electronics Corporation
• Semiconduttore ROHM
• STARCHIP
• STMicroelectronics
• Toshiba Corporation

Carburo di silicio MOSFETs Industry News

• Nel maggio 2024, Infineon presenta CoolSiC MOSFETs 400 V ridefinire la densità di potenza e l'efficienza negli alimentatori del server AI. Il nuovo portafoglio MOSFET è stato sviluppato appositamente per l'utilizzo nella fase AC/DC dei server AI, completando la roadmap di Infineon recentemente annunciata. I dispositivi sono ideali anche per sistemi di stoccaggio solare ed energetico (ESS), controllo motore inverter, alimentatori industriali e ausiliari (SMPS) e interruttori a stato solido per edifici residenziali.
• Nel dicembre 2023 Nexperia sta sviluppando i propri SiC MOSFETs, contrassegnati dall'introduzione di due dispositivi inaugurali da 1.200 V in imballaggi a tre pin: NSF040120L3A0 e NSF080120L3A. Nexperia ha uno dei vantaggi chiave dei suoi nuovi SiC MOSFETs è la loro relativamente stabile scarico-fonte on-resistance (RDS (on)) sulla gamma di temperatura di funzionamento del dispositivo.

Questa relazione di ricerca sul mercato del carburo di silicio MOSFETs comprende una copertura approfondita del settore con stime e previsioni in termini di entrate (milioni di USD) & (unità di volume) dal 2021 al 2032, per i seguenti segmenti:

Mercato, per tipo di dispositivo

• MOSFETs sic discreti

• Modulo SiC MOSFETs

Mercato per gamma di tensione

• 650V
• 900V
• 1200V
• 1700V
• 3300V e oltre

Mercato, per applicazione

• Alimentazione elettrica
• Inverter
• Veicoli elettrici (EVs)
• Attrezzature industriali
• Altri

Mercato, dal nodo tecnologico

• Tecnologia di wafer da 150 mm
• Tecnologia di wafer da 200 mm

Mercato, industria end-use

• Automotive
• Industria
• Elettronica di consumo
• Telecomunicazioni
• Altri

Le suddette informazioni sono fornite per le seguenti regioni e paesi:

• Nord America
  • USA.
  • Canada
• Europa
  • Regno Unito
  • Germania
  • Francia
  • Italia
  • Spagna
  • Russia
• Asia Pacifico
  • Cina
  • India
  • Giappone
  • Corea del Sud
  • Australia
• America latina
  • Brasile
  • Messico
• ME
  • UA
  • Arabia Saudita
  • Sudafrica