Home > Semiconductors & Electronics > Semiconductor > Transistor > Super Junction MOSFET Rapport sur la taille et la part du marché, 2024-2032
Super Junction MOSFET Le marché a été évalué à plus de 32,5 milliards de dollars en 2023 et devrait connaître une croissance de plus de 11,5 % entre 2024 et 2032. Avec l'utilisation croissante de dispositifs électroniques puissants et compacts, il est de plus en plus nécessaire d'utiliser des dispositifs à semi-conducteurs qui peuvent fournir des performances élevées et consommer moins d'énergie. Super jonction métal-oxyde-semiconducteur Les transistors à effet de champ (MOSFET) offrent un équilibre de performance et d'efficacité, ce qui les rend attrayants pour une large gamme de systèmes électroniques à haute performance.
Par exemple, en janvier 2024, Alpha et Omega Semiconductor ont lancé deux MOSFET αMOS5 600V FRD super Junction. Il est spécialement développé pour répondre aux exigences des serveurs, des postes de travail, des redresseurs de télécommunications, des onduleurs solaires, de la recharge EV, des moteurs et des applications de puissance industrielle, en offrant des capacités de haute efficacité et de haute densité.
L'industrie spatiale connaît une croissance et une commercialisation rapides, en raison de l'augmentation des investissements des agences gouvernementales, des entreprises privées et des startups. Avec le nombre croissant de satellites, de sondes spatiales et de missions d'exploration lancées, la demande de composants de haute performance et fiables tels que les MOSFET de super jonction pour les systèmes d'alimentation des engins spatiaux augmente de façon significative. Par exemple, en mai 2021, la NASA a décerné à IceMOS Technology un projet SBIR visant à développer des transistors MOSFET à haute tension, tolérants aux rayonnements, essentiels à la campagne «Moon to Mars». Le projet consiste à mettre au point une technologie permettant d'accélérer les progrès importants dans l'efficacité d'un système d'alimentation d'un vaisseau spatial en améliorant la dureté du rayonnement des transistors à haute tension.
Attribut du rapport | Détails |
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Année de base: | 2023 |
Super Size in 2023: | USD 32.5 Billion |
Période de prévision: | 2024 to 2032 |
Période de prévision 2024 to 2032 CAGR: | 11.5% |
2032Projection de valeur: | USD 90.5 Billion |
Données historiques pour: | 2018 - 2022 |
Nombre de pages: | 220 |
Tableaux, graphiques et figures: | 186 |
Segments couverts | Application, type et région |
Facteurs de croissance: |
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Pièges et défis: |
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Les MOSFET de super jonction nécessitent des procédés de fabrication complexes et des techniques de conception détaillées en raison de leur structure complexe et des exigences de haute performance. Le développement et la fabrication de ces appareils impliquent un investissement important en R-D et une expertise en physique des semi-conducteurs, en science des matériaux et en génie des procédés pour construire des produits qui répondent à des applications à haute puissance et haute tension ainsi que pour améliorer les performances thermiques.
On s'attend à ce que la croissance croissante de la production de systèmes d'alimentation non interruptibles (UPS) alimente la demande de MOSFET de super jonction en mettant l'accent sur l'amélioration de l'efficacité, l'amélioration de la densité de puissance, la fiabilité et la compatibilité avec l'intégration des systèmes de stockage d'énergie. Par exemple, en juin 2023, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a introduit une nouvelle série de MOSFET de puissance de canaux N. Le premier produit de la série 600V DTMOSVI est le TK055U60Z1, qui est basé sur le procédé Toshiba de dernière génération avec une super structure de jonction. Les applications ciblées comprennent des alimentations de commutation à haut rendement dans les centres de données, des climatiseurs pour générateurs photovoltaïques et des systèmes d'alimentation non interruptibles.
Le secteur automobile connaît une croissance propulsée par des tendances favorisant des conceptions de puissance qui privilégient la réduction des pertes de conduction, l'optimisation du comportement thermique et la réalisation de systèmes compacts et légers d'une manière rentable. En ce qui concerne l'environnement, les organisations développent des systèmes d'énergie solaire pour répondre aux besoins du marché. Par exemple, en juillet 2023, Infineon Technologies AG a élargi sa gamme CoolMOS S7 de MOSFET à super jonction haute tension. Les appareils sont destinés aux systèmes SMPS, à l'énergie solaire, à la protection des batteries, aux relais à l'état solide (SSR), aux démarreurs et aux disjoncteurs à l'état solide, ainsi qu'aux PLC, au contrôle d'éclairage, aux chargeurs embarqués HV eFuse/eDisconnect (H)EV.
Basé sur l'application, le marché est segmenté en énergie et énergie, électronique grand public, onduleur et UPS, véhicule électrique, système industriel, etc. En 2023, le secteur de l'énergie et de l'électricité a dominé le marché avec une part de plus de 30 %.
Selon le type, le marché est divisé en type trou et type support de surface. Le segment de type trou traversant est le plus rapide et devrait s'étendre à un TCAC de plus de 13 % entre 2024 et 2032.
En 2023, l'Asie-Pacifique a dominé le marché de la super jonction MOSFET et devrait maintenir un fort taux de croissance annuel composé (TCAC) supérieur à 13,5 % entre 2024 et 2032. L'essor de l'économie de la région, soutenu par la croissance d'industries comme l'automobile, l'électronique grand public, les énergies renouvelables et l'automatisation industrielle, est un moteur important de la demande de super jonction MOSFET. L'augmentation des investissements dans le développement des infrastructures et l'électrification des véhicules contribuent à l'augmentation de la demande de solutions à semi-conducteurs écoénergétiques dans la région, marquant ainsi sa position en tant que marché clé pour les MOSFET à super jonction.
ON Société de semi-conducteurs et STMicroélectronique N.V. détient une part importante de plus de 10 %. ON Semiconductor Corporation est un acteur de premier plan sur le marché de la super jonction MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), en tirant parti de son expertise en technologie semi-conducteur pour proposer des solutions innovantes pour diverses applications. Les MOSFET sont des dispositifs semi-conducteurs de puissance de pointe connus pour leur grande efficacité, leur faible résistance à l'état et leur capacité de commutation rapide, ce qui les rend idéales pour une utilisation dans les alimentations électriques, les systèmes d'énergie renouvelable, les véhicules électriques et les applications industrielles.
STMicroélectronique N.V. est un acteur de premier plan dans l'industrie des semi-conducteurs, réputé pour ses technologies innovantes et ses produits diversifiés. Dans le domaine des semi-conducteurs de puissance, STMicroelectronics a fait des progrès importants, en particulier sur le marché des MOSFET de super jonction (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors). Les MOSFET de super jonction représentent une composante essentielle de l'électronique électrique, permettant une conversion et une gestion efficaces de l'énergie dans diverses applications telles que l'automobile, l'industrie, l'électronique grand public et les systèmes d'énergie renouvelable.
Les principaux acteurs de l'industrie de la super jonction MOSFET sont:
Marché, par demande
Marché, par type
Les informations ci-dessus sont fournies pour les régions et les pays suivants: