Marché de la mémoire de nouvelle génération – Par technologie (mémoires non volatiles [SRAM, mémoire magnéto-résistive à accès aléatoire (MRAM), RAM ferroélectrique (FRAM), mémoire résistive à accès aléatoire (ReRAM), Nano RAM, autres], mémoires volatiles [hybrides Memory Cube], par plaquette de mémoire, par application, prévisions 2024-2032

Taille du marché de la mémoire de prochaine génération

La taille du marché de la mémoire de prochaine génération a été évaluée à plus de 6,7 milliards de dollars en 2023 et devrait enregistrer un TCAC de plus de 24,8 % entre 2024 et 2032. L'intérêt croissant pour les dispositifs IoT propulse l'expansion du marché.

Les appareils IoT produisent des données massives qui doivent être stockées et analysées efficacement, en raison de la nécessité croissante de technologies de mémoire avancées. Les solutions de mémoire Next-gen offrent de nombreux avantages, tels que leur taille compacte et leur grande capacité de stockage de données et une faible consommation d'énergie, qui sont adaptés aux besoins et applications liés à l'IoT tels que les compteurs intelligents et les voitures connectées, entre autres.

Ce marché de la mémoire de prochaine génération a connu une croissance importante en réponse à la demande croissante de produits de mémoire non volatils. Les applications critiques qui nécessitent un stockage constant comme le stockage d'entreprise, les centres de données, l'électronique automobile et les appareils IoT ne préfèrent pas la mémoire volatile car elle ne retient pas les données lorsque l'alimentation est désactivée. Contre les mémoires traditionnelles non volatiles telles que les disques flash et disques durs NAND (HDD), les technologies de mémoire de nouvelle génération, y compris la RAM résistive (ReRAM), la mémoire de changement de phase (PCM) et la RAM magnétique (MRAM), sont significativement avantageuses en raison de leur temps d'accès plus rapide, de leur consommation d'énergie réduite et de leur densité plus élevée.

Dans l'effort pour trouver la mémoire de la prochaine génération, il ya beaucoup de problèmes. Le désir d'accélérer les vitesses, d'augmenter les capacités et de réduire la consommation d'énergie dans la technologie de la mémoire est également coûteux. Cela est aggravé par le fait que l'introduction de nouvelles technologies dans les systèmes et les normes actuels pose ses propres problèmes. Par exemple, pour surmonter les limites physiques inhérentes aux nouvelles technologies de la mémoire, telles que le changement de phase ou les mémoires résistives à accès aléatoire, il faut effectuer des recherches et des travaux de développement approfondis.

Marché de la mémoire de prochaine génération Tendances

L'informatique à haut rendement (HPC) est de plus en plus recherchée, ce qui en fait le principal moteur de croissance du marché. Les simulations scientifiques actuelles, l'intelligence artificielle, l'apprentissage profond et l'analyse des données exigent une quantité énorme de données et des capacités de traitement à grande échelle. Il s'agit de souvenirs à bande passante plus élevée en raison de leurs technologies émergentes qui consistent en RAM résistive (ReRAM), mémoire de changement de phase (PCM) et RAM magnétique (MRAM).

Elles sont idéales pour les environnements HPC en raison de ces caractéristiques. En novembre 2023, Altair, une entreprise HPC et AI, a introduit Altair HPCWorks; une plateforme HPC et cloud. Il dispose d'un portail utilisateur piloté par l'IA qui comprend des outils de surveillance et de rapport HPC avancés pour faciliter l'échelle de nuage ainsi que la technologie de flux de travail distribué next-gen.

Le stockage et le traitement des données sont les principales tendances du marché de la mémoire de la prochaine génération. La demande de solutions de mémoire plus rapides a été stimulée par les volumes massifs de données générés par le Big Data, Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (AI), l'apprentissage automatique, etc. Ces solutions sont plus efficaces et économisent de l'énergie pour stocker et traiter les mégadonnées. Comparativement aux solutions de mémoire traditionnelles, les technologies de mémoire de nouvelle génération telles que la RAM résistive (ReRAM), la mémoire de changement de phase (PCM) et la RAM magnétique (MRAM) fournissent des produits à la fois rapides, durables et à faible consommation d'énergie.

Analyse du marché de la mémoire de prochaine génération

Basé sur la taille de la plaque de mémoire, le marché est segmenté en 200 mm et 300 mm. Le segment de 300 mm détenait la plus grande part de marché de plus de 55 % en 2023. Les avantages du passage à des plaquettes plus grandes, telles que 300mm, comprennent une augmentation de l'efficacité pendant la production, de meilleurs taux de rendement et des prix plus bas pour la fabrication par unité.

De plus, les mémoires de nouvelle génération comme la RAM résistive (ReRAM), la mémoire de changement de phase (PCM) et la RAM magnétique (MRAM) bénéficieront des économies d'échelle grâce à la fabrication de plaquettes de 300 mm, car elles permettent des volumes plus élevés à des coûts abordables. Encore une fois, en utilisant le domaine 300mm, les fabricants de semi-conducteurs prennent des nœuds de processus plus avancés et obtiennent des densités plus élevées de puces qui améliorent les performances et augmentent les capacités de stockage des futurs dispositifs de mémoire.

Basé sur la technologie, le marché de la mémoire de prochaine génération est segmenté en mémoires non volatiles et des mémoires volatiles. Les mémoires non volatiles sont ensuite subdivisées en SRAM, mémoire d'accès aléatoire résistive magnéto, RAM ferroélectrique (FRAM), mémoire d'accès aléatoire résistive (ReRAM), nano RAM et autres. Les souvenirs volatils sont sub segmentés en Cube mémoire hybride (HMC) et mémoire de bande passante élevée (HBM). Le segment des mémoires non volatiles devrait enregistrer un TCAC de plus de 26 % entre 2024 et 2032.

Les solutions de mémoire non volatile ont une capacité de conservation des données même lorsque l'alimentation est désactivée, de sorte qu'elles sont essentielles dans le stockage des données pour des efforts tels que l'électronique de véhicule, le stockage d'entreprise, et Internet des choses. Les progrès dans les technologies de mémoire non volatile comme la RAM résistive (ReRAM), la mémoire de changement de phase (PCM) et la RAM magnétique (MRAM) ont augmenté la vitesse et l'efficacité énergétique ainsi que l'endurance sur les mémoires non volatiles classiques comme le flash NAND et les disques durs (HDD). Ces progrès sont conformes aux besoins croissants en matière de stockage, d'extraction et de traitement plus rapides des données dans les applications à forte intensité de données, grâce à des tendances telles que le Big Data, l'intelligence artificielle (IA) et l'Internet des objets.

L'Amérique du Nord a représenté une part importante du marché de la mémoire de la prochaine génération en 2023, avec une part de marché de plus de 36,5 %. La région se caractérise par un solide écosystème d'entreprises de semi-conducteurs, d'instituts de recherche et d'entreprises technologiques qui stimulent l'innovation et le progrès dans les technologies de pointe de la mémoire. De plus, il y a une demande croissante pour des solutions de mémoire plus rapides et plus performantes en raison du besoin croissant d'applications informatiques de pointe, de centres de données et de calcul haute performance.

De plus, l'Amérique du Nord a plusieurs acteurs clés dans l'industrie des semi-conducteurs, tels que Intel, Micron Technology et IBM, qui investissent massivement dans la mémoire de prochaine génération, comme la mémoire RAM (Magneto resistant Random Access Memory), PCM (Phase-Change Memory) et ReRAM (Resistive Random Access Memory). Ces entreprises collaborent avec des entreprises en démarrage aux côtés d'institutions savantes dans le but d'accélérer la commercialisation et l'adoption de ces inventions.

Part du marché de la mémoire de prochaine génération

Samsung et Micron Technology, Inc. détenait une part de plus de 18 % sur le marché en 2023. Samsung est un acteur dominant dans le marché de la mémoire de prochaine génération, qui prend le rôle d'un leader de l'innovation à travers ses technologies de mémoire avancées qu'il offre au marché de la technologie. 3D NAND mémoire flash, LPDDR5 DRAM et HBM2E sont quelques-uns des souvenirs de la prochaine génération que Samsung a pu produire grâce à son expertise de fabrication de semi-conducteurs.

Micron Technology, Inc. est un acteur important sur le marché de la mémoire de prochaine génération en raison de son expertise dans les semi-conducteurs et les solutions de mémoire. La société participe activement au développement et à la commercialisation de technologies de mémoire avancées telles que 3D XPoint, développé avec Intel comme une technologie de mémoire non volatile.

Sociétés du marché de la mémoire de prochaine génération

Les principaux acteurs du secteur de la mémoire de la prochaine génération sont:

• Samsung
• Micron Technology, Inc.
• Fujitsu
• SK HYNIX INC.
• Honeywell International Société
• Microchip Technology Inc.
• Everspin Technologies Inc.

Nouvelles de l'industrie de la mémoire de prochaine génération

• En mai 2023, Micron Technology, une entreprise de semi-conducteurs, a annoncé la fabrication de DRAM, le nœud 1 gamma utilisant une technologie ultraviolet (EUV). Ce développement a élargi la fabrication de mémoire de prochaine génération.
• En août 2022, Samsung a lancé Petabyte Storage, une technologie de mémoire de prochaine génération, pour maximiser l'efficacité des centres de données dans un monde de plus en plus axé sur les données. La nouvelle solution permet à une unité serveur unique d'emballer plus d'un petaoctet de stockage, ce qui permet aux fabricants de serveurs d'augmenter considérablement leur capacité de stockage dans le même espace de plancher avec un nombre minimal de serveurs.

Le rapport d'étude de marché sur la mémoire de prochaine génération couvre en profondeur l'industrie avec des estimations et des prévisions en termes de recettes (en millions de dollars américains) de 2018 à 2032, pour les segments suivants:

Marché, Par technologie, 2018 - 2032

• Mémoires non volatiles
  • SRAM
  • Mémoire à accès aléatoire (MRAM)
  • RAM ferroélectrique (FRAM)
  • Mémoire d'accès aléatoire résistante (RAR)
  • Nano RAM
  • Autres
• Mémoires volatiles
  • Cube mémoire hybride (HMC)
  • Mémoire à large bande (HBM)

Marché, Par taille de Wafer de mémoire, 2018 – 2032

• 200 mm
• 300 mm

Marché, Par demande, 2018 – 2032

• BFSI
• Électronique grand public
• Gouvernement
• Télécommunications
• Informatique
• Autres

Les informations ci-dessus sont fournies pour les régions et les pays suivants:

• Amérique du Nord
  • États-Unis
  • Canada
• Europe
  • Royaume Uni
  • Allemagne
  • France
  • Italie
  • Espagne
  • Russie
  • Reste de l'Europe
• Asie-Pacifique
  • Chine
  • Inde
  • Japon
  • Corée du Sud
  • NZ
  • Reste de l ' Asie et du Pacifique
• Amérique latine
  • Brésil
  • Mexique
  • Reste de l'Amérique latine
• MEA
  • EAU
  • Arabie saoudite
  • Afrique du Sud
  • Reste du MEA