Transistors bipolaires à porte isolée Taille du marché

Transistors bipolaires à porte isolée Le marché a été évalué à 12,5 milliards de dollars en 2023 et devrait enregistrer un TCAC de plus de 10 % entre 2024 et 2032. L'adoption de véhicules électriques (EV) et de véhicules hybrides est un moteur de croissance important pour le marché de l'IBBT en raison du rôle intégral dans les systèmes de traction de ces véhicules.

Les IGBT sont essentiels pour contrôler le flux d'énergie électrique dans les transmissions électriques et hybrides, permettant ainsi une conversion et une gestion efficaces de l'énergie. La demande d'IBBT augmente parallèlement avec la demande croissante d'EV et d'hybrides, ce qui stimule la croissance du marché. Par exemple, en août 2022, Renesas Electronics a dévoilé une nouvelle génération de petites IGBT à haute tension pour améliorer l'électronique de puissance au cœur des EV. Ces appareils ont une capacité de courant allant jusqu'à 300 A et peuvent supporter des tensions allant jusqu'à 1 200 V. Les constructeurs automobiles peuvent conserver la puissance de la batterie et augmenter la gamme des VE en économisant la puissance dans la série AE5 de l'entreprise.

L'augmentation de l'infrastructure du réseau intelligent est un moteur de croissance important pour le marché de l'IBBT en raison de son rôle central dans l'amélioration de l'efficacité, de la fiabilité et de la durabilité du réseau. Les IGBT font partie intégrante des systèmes de réseau intelligents, facilitent la transmission et la distribution efficaces de l'électricité, gèrent le flux d'électricité et permettent la stabilisation du réseau. La demande de technologies de l'information et de la communication dans les infrastructures de réseaux intelligents devrait augmenter, les pays du monde entier investissant dans la modernisation de leurs réseaux électriques pour intégrer les énergies renouvelables et répondre à la demande croissante d'électricité.

Les problèmes de fiabilité et de durabilité associés à une utilisation prolongée posent un défi important sur le marché de l'IBBT. Avec leur déploiement dans des secteurs critiques, tels que les réseaux électriques et les systèmes automobiles, toute défaillance opérationnelle peut entraîner des temps d'arrêt et des risques de sécurité importants. De plus, les conditions de fonctionnement exigeantes, notamment les températures élevées et les contraintes électriques, accélèrent l'usure et la dégradation. Cela souligne l'impératif d'établir des normes de conception et d'essai rigoureuses pour assurer la performance et la fiabilité à long terme.

Marché des transistors bipolaires isolés Tendances

Les technologies de réseau intelligent utilisent l'électronique de puissance avancée, comme les IGBT, dans les onduleurs reliés au réseau, les régulateurs de tension et les systèmes de qualité de l'énergie. Ces composants permettent une conversion, une régulation et un entretien efficaces du débit d'électricité dans le réseau. La demande d'IBBT augmente pour améliorer la fiabilité, optimiser la distribution d'énergie et intégrer les sources renouvelables.

Les IGBT sont de plus en plus utilisés dans l'aérospatiale et la défense pour l'électronique légère et performante. Ils optimisent la gestion de la puissance dans les aéronefs, améliorent l'efficacité des systèmes de propulsion et renforcent les capacités des systèmes radar. Leur robustesse et leurs capacités de gestion de puissance les rendent adaptés à des applications exigeantes, permettant des fonctionnalités avancées tout en répondant à des exigences de poids et de performance strictes essentielles pour les opérations aérospatiales et de défense dans divers environnements.

Analyse du marché des transistors bipolaires de catégorie isotherme

Selon la puissance nominale, le marché des transistors bipolaires à porte isolée est segmenté en puissance élevée, moyenne et faible. Le segment de la haute puissance devrait atteindre plus de 15 milliards de dollars d'ici 2032.

• L'adoption croissante des véhicules électriques hybrides (VÉH) nécessite des modules IGBT de grande puissance pour les systèmes de commande et de gestion des batteries. Avec la poussée mondiale vers l'électrification des véhicules, la demande d'IBBT de haute puissance devrait augmenter, ce qui stimulera la croissance du marché.
• Il est de plus en plus nécessaire d'utiliser des IGBT de grande puissance dans les onduleurs et les convertisseurs à grande échelle utilisés dans les systèmes reliés au réseau, avec la demande croissante de sources d'énergie renouvelables telles que l'énergie éolienne et solaire. Ces dispositifs permettent une conversion efficace de l'énergie et l'intégration du réseau, ce qui stimule la croissance du marché.

Selon le type, le marché est segmenté en modules IGBT et IGBT discrets. Le segment distinct de l'IBBT devrait enregistrer un TCAC de plus de 11 % au cours de la période de prévision.

• Les IGBT discrets offrent une flexibilité de conception modulaire, permettant aux ingénieurs de personnaliser facilement les circuits pour des applications spécifiques. Cette capacité d'adaptation est particulièrement avantageuse dans des industries en évolution rapide telles que l'automobile et les énergies renouvelables, où les besoins en énergie divers exigent des solutions adaptées.
• Les IGBT discrets sont souvent choisis pour remplacer les technologies anciennes, telles que les MOSFET et les BJT, en raison de leurs caractéristiques de performance supérieures, telles que des capacités de manipulation de puissance plus élevées et des vitesses de commutation plus rapides. Cette tendance au remplacement est à l'origine d'une croissance importante à mesure que les industries mettent à niveau leurs systèmes pour en améliorer l'efficacité et la fiabilité.

L'Asie-Pacifique a dominé le marché mondial de l'IBBT en 2023, avec plus de 40% de la part des revenus totaux. Le secteur industriel en plein essor de la région, en particulier dans des pays comme la Chine, l'Inde et le Japon, est à l'origine de la demande d'IBBT dans diverses applications telles que les moteurs, les systèmes d'énergie renouvelable et l'automatisation industrielle. Deuxièmement, l'urbanisation rapide et le développement des infrastructures en Asie-Pacifique alimentent la nécessité d'une électronique de pointe pour une gestion et une distribution efficaces de l'énergie. De plus, les politiques gouvernementales d'appui et les investissements dans les technologies d'énergie propre stimulent davantage la croissance du marché des TBI dans la région.

Transistors bipolaires à porte isolée Part de marché

Infineon Technologies AG, Ltd. et Renesas Electronics Corporation détenaient une part importante de plus de 15 % du marché des IGBT en 2023. Infineon Technologies AG, une société de semi-conducteurs leader basée en Allemagne, se spécialise dans l'offre d'IBBT pour diverses applications. Avec un portefeuille complet de produits IGBT de haute qualité, l'entreprise s'adresse à divers secteurs, dont l'automobile, l'industrie, les énergies renouvelables et l'électronique grand public. Ses solutions sont axées sur l'optimisation de l'efficacité énergétique, l'amélioration de la fiabilité et la mise en place de fonctionnalités avancées, contribuant ainsi au développement de systèmes électroniques à haut rendement énergétique dans le monde entier.

Renesas Electronics Corporation est une société de semi-conducteurs leader offrant des solutions avancées sur le marché des IGBT. L'entreprise offre un portefeuille complet de produits IGBT adaptés à diverses applications, notamment l'automobile, l'industrie et l'électronique grand public. Ses offres comprennent des modules IGBT haute performance, des IC de pilote et des solutions de gestion de puissance. Renesas met l'accent sur l'innovation, la fiabilité et l'efficacité de ses produits, répondant aux exigences changeantes du marché mondial.

Sociétés du marché des transistors bipolaires à porte isolée

Les principaux acteurs de l'industrie des IGBT sont:

• Infineon Technologies AG
• Mitsubishi Electric Corporation
• NXP Semi-conducteurs
• Société des semi-conducteurs
• Renesas Electronics Corporation
• Texas Instruments Incorporated
• Société Toshiba

Nouvelles de l'industrie des transistors bipolaires à porte isolée

• En mars 2023, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a introduit la GT30J65MRB, un IGBT discret 650V pour la correction du facteur d'alimentation (PFC) dans les climatiseurs et les grandes alimentations pour les équipements industriels. La GT30J65MRB est la première IGBT pour PFC de Toshiba pour une utilisation en dessous de 60 kHz [6], et elle a été rendue possible en réduisant la perte de commutation (perte de commutation) pour assurer un fonctionnement plus élevé de fréquence.
• En janvier 2023, Microchip Technology a annoncé un nouveau module d'entraînement électrique hybride en trois phases, la première variante de la nouvelle gamme de dispositifs d'alimentation disponible en 12 variantes différentes avec des MOSFETs en silicone carbure (SiC) ou des IGBT, pour répondre aux besoins d'une solution d'alimentation intégrée et reconfigurable pour les applications aéronautiques.

Le rapport d'étude de marché des transistors bipolaires à porte isolée couvre en profondeur l'industrie. avec estimations et prévisions en termes de recettes (en millions de dollars américains) de 2021 à 2032, pour les segments suivants:

Marché, par type

• IGBT discret
• Module IGBT

Marché, selon la cote de puissance

• Haute puissance
• Puissance moyenne
• Faible puissance

Marché, par demande

• Énergie et énergie
• Électronique grand public
• Onduleur & UPS
• Véhicule électrique
• Système industriel
• Autres

Les informations ci-dessus sont fournies pour les régions et les pays suivants:

• Amérique du Nord
  • États-Unis
  • Canada
• Europe
  • Allemagne
  • Royaume Uni
  • France
  • Italie
  • Espagne
  • Reste de l'Europe
• Asie-Pacifique
  • Chine
  • Inde
  • Japon
  • Corée du Sud
  • NZ
  • Reste de l ' Asie et du Pacifique
• Amérique latine
  • Brésil
  • Mexique
  • Reste de l'Amérique latine
• MEA
  • EAU
  • Arabie saoudite
  • Afrique du Sud
  • Reste du MEA