Transistor haute mobilité électronique Taille du marché

Le marché des transistors à forte mobilité d'électrons a été évalué à plus de 6,5 milliards de dollars en 2023 et devrait enregistrer un TCAC de plus de 5 % entre 2024 et 2032.

Les progrès de la technologie sans fil jouent un rôle crucial dans l'expansion de l'industrie des transistors à haute mobilité électronique. Ces composants haute fréquence offrent entre autres des systèmes de communication sans fil, de faibles niveaux de bruit et une grande efficacité énergétique. Le besoin de technologies de communication sans fil augmente en raison de la mise à niveau continue des technologies de communication sans fil vers des fréquences et des largeurs de bande plus élevées. La montée en puissance des réseaux 5G, des appareils Internet des objets (IoT) et des normes sans fil de next-gen a conduit au développement de HEMT avec de meilleures qualités comme une fréquence de coupure plus élevée, une P.C plus faible. De plus, on prévoit que l'intégration des HEMT dans les systèmes de radars automobiles, les communications par satellite et l'imagerie par ondes millimétriques stimulera davantage la croissance du marché.

L'industrie des transistors à haute mobilité électronique a été fortement stimulée par la croissance de l'IoT. Dans ces applications, les HEMT sont des composants nécessaires pour les systèmes de communication sans fil, qui ont besoin d'amplificateurs rapides et à faible bruit qui répondent à une gamme d'exigences IdO pour les maisons intelligentes, appareils portables, capteurs industriels, véhicules connectés, etc. Cela a également augmenté la demande pour les HEMT, puisque l'IoT connecte plus d'appareils sur les réseaux, ce qui nécessite des taux de transmission de données plus élevés afin de les accueillir tous. Il convient également de noter qu'il existe plusieurs industries comme les soins de santé en ligne et la fabrication intelligente qui dépendent grandement de l'HEMT en tant que composantes clés du traitement rapide des données et de la communication fiable entre les réseaux d'appareils interconnectés dans ces villes.

Un défi important sur le marché de l'HEMT est posé par la fabrication compliquée et coûteuse. Les techniques de fabrication des matériaux à semi-conducteurs composés d'indium (Galium nitrude (GaN) ou InP) sont complexes et utilisent des outils de traitement qui sont non seulement coûteux mais également difficiles à traiter. De plus, la fabrication de ces matériaux est difficile et une expertise avec des équipements coûteux est nécessaire. De plus, les fabricants devront se séparer avec un peu d'argent puisqu'il y a des mesures strictes de contrôle de la qualité mises en place pour assurer une performance optimale.

Tendances du marché des transistors à mobilité élevée

Les applications aérospatiales et de défense sont toujours une caractéristique majeure du marché des transistors à haute mobilité électronique (HEMT). Les HEMT ont d'excellentes performances telles que la fréquence élevée, le bruit faible et l'efficacité de puissance élevée, ce qui les rend idéales pour différents systèmes de radar, de communication et de guerre électronique utilisés dans l'aérospatiale et la défense. L'évolution des tensions géopolitiques, les tentatives de modernisation, l'amélioration de la connaissance de la situation et des besoins en matière de communication continueront de stimuler la demande de nouveaux types de systèmes radar sophistiqués, de matériel de guerre électronique et de systèmes de communications par satellite.

Le marché connaît une montée en puissance des nouvelles applications de l'électronique automobile en tant que tendance continue. La demande de semi-conducteurs à haute performance est de plus en plus forte, car l'électrification des véhicules et les technologies de conduite autonome continuent de progresser. La capacité de manipuler les signaux à haute fréquence et les densités de puissance élevées, HEMTs sont appropriés pour plusieurs systèmes automobiles, y compris les systèmes radar, les capteurs LiDAR et les modules de communication sans fil. En outre, la conversion efficace de l'énergie et la gestion thermique sont des aspects critiques des HEM dans les systèmes de gestion de l'énergie des véhicules électriques.

Analyse du marché des transistors à haute mobilité électronique

Selon le type de matériau, le marché est segmenté en nitrure de gallium (GaN), en carbure de silicium (SiC), en arséniure de gallium (GaAs) et autres. Le segment du nitrite de gallium (GaN) détenait la plus grande part de marché de plus de 48 % en 2023, principalement en raison de ses caractéristiques de performance et de polyvalence. Les HEMT à base de GaN sont meilleurs que les transistors à base de silicium en termes de mobilité élevée des électrons, de faible résistance et de capacités de manipulation de puissance améliorées, ce qui les rend idéales pour les applications à haute fréquence et à haute puissance. Dans des applications telles que les télécommunications, l'aérospatiale et l'automobile où la conversion de puissance efficace et la transmission de données à grande vitesse sont cruciales, les GAN HEMT sont largement utilisés. L'acceptation croissante de la technologie GaN dans des domaines émergents comme les communications sans fil 5G, les véhicules électriques et les énergies renouvelables devrait également favoriser l'expansion du marché.

Basé sur l'industrie verticale, le marché est segmenté en électronique de consommation, automobile, industrielle, aérospatiale et de défense, et d'autres. Le segment de l'électronique grand public devrait enregistrer un TCAC de plus de 5 % entre 2024 et 2032. HEMTs offrent des caractéristiques de performance remarquables, y compris une vitesse élevée, des niveaux de bruit bas et une faible consommation d'énergie, ce qui les rend bien adaptés pour diverses applications dans l'électronique casque. Dans les smartphones, tablettes et gadgets portables, les HEMT facilitent le traitement des données plus rapide, la durée de vie prolongée de la batterie et l'amélioration de la réception des signaux, améliorant ainsi l'expérience globale de l'utilisateur.? La capacité de gérer les hautes fréquences et les niveaux de puissance les rend idéales pour des applications telles que la communication sans fil, l'amplification des signaux et la gestion de la puissance.

L'Asie-Pacifique représente une part importante du marché mondial des transistors à haute mobilité électronique, avec une part de marché d'environ 37 % en 2023. Les pays d'Asie-Pacifique comme la Chine, le Japon, la Corée du Sud et Taiwan sont les principaux fabricants de semi-conducteurs et de développement technologique. L'accélération de la production et de l'adoption des TEM est facilitée par la forte infrastructure et la main-d'œuvre compétente de ce secteur. L'appétit croissant pour les semi-conducteurs de haute performance comme les HEMT est dû à la demande croissante en électronique grand public, en matériel de télécommunications et en électronique automobile dans les pays d'Asie-Pacifique.

La montée en puissance des smartphones, tablettes, technologies IoT et infrastructure 5G amplifie encore le besoin. Les initiatives gouvernementales qui favorisent la croissance de l'industrie des semi-conducteurs ainsi que l'augmentation des investissements en recherche et développement qui mènent à l'innovation dans les TEMS parce que les gouvernements appuient l'industrie à mesure qu'elle croît. En outre, l'expansion du marché reçoit des contributions d'alliances entre entreprises locales et fabricants internationaux de semi-conducteurs.

Part du marché des transistors à haute mobilité électronique

NXP Semiconductors et ST Microelectronics détiennent une part importante de l'industrie du transistor à haute mobilité en 2023. NXP Semi-conducteurs est un fournisseur mondial de premier plan de solutions de semi-conducteurs à signal mixte haute performance. Sur le marché des transistors haute mobilité électrons (HEMT), NXP propose une gamme de produits HEMT innovants adaptés à diverses applications, notamment la communication sans fil, les systèmes radar automobiles et l'automatisation industrielle.

ST Microelectronics est un fabricant de semi-conducteurs réputé pour sa contribution au marché du transistor à haute mobilité électronique (HEMT). L'entreprise conçoit et produit des HEMT, exploitant des techniques de fabrication de semi-conducteurs avancées et des conceptions innovantes pour créer des transistors haute performance. Les offres HEMT de ST Microelectronics répondent à un large éventail d'applications, notamment les télécommunications, l'aérospatiale, la défense et l'électronique grand public.

Entreprises du marché des transistors à haute mobilité électronique

Les principaux acteurs de l'industrie des transistors à haute mobilité électronique sont :

• NXP Semi-conducteurs
• ST Microélectronique
• Instruments du Texas
• Infineon Technologies
• Renesas Electronics
• Société Intel
• Sumitomo Electric Device Innovations, Inc.

Nouvelles de l'industrie du transistor à haute mobilité électronique

• En octobre 2022, Sumitomo Electric a lancé le premier transistor de nitrite de gallium post-5g (GaN-HEMT) au monde qui utilise le N-polaire GaN pour faire avancer les systèmes de télécommunications de prochaine génération afin de répondre aux besoins de haute puissance et de haute fréquence.
• En décembre 2023, Teledyne e2v HiRel Électronique a élargi le portefeuille de GAN HEMTs. Teledyne e2v HiRel a élargi son portefeuille en introduisant de nouvelles versions de ses transistors à haute mobilité en nitrite de gallium (GAN HEMTs). Les ajouts incluent 100 V, 90 A et 650 V, 30 A GAN HEMTs adaptés à des applications comme la gestion de batterie, convertisseurs dc-dc, et moteurs d'espace. Ces dispositifs offrent des performances de température prolongées, une faible inductance et un emballage à faible résistance thermique, répondant à des applications aérospatiales et de défense critiques.

Le rapport d'étude de marché sur les transistors à haute mobilité électronique couvre en profondeur l'industrie. avec des estimations et des prévisions en termes de recettes (milliards USD) de 2018 à 2032, pour les segments suivants:

Marché, par type de matériau

• Nitride de gallium (GaN)
• Carbure de silicium (SiC)
• Arsenide de Gallium (GaAs)
• Autres

Marché, par industrie verticale

• Électronique grand public
• Automobile
• Industrielle
• Aéronautique et défense
• Autres

Les informations ci-dessus sont fournies pour les régions et les pays suivants:

• Amérique du Nord
  • États-Unis
  • Canada
• Europe
  • Royaume Uni
  • Allemagne
  • France
  • Italie
  • Espagne
  • Russie
  • Reste de l'Europe
• Asie-Pacifique
  • Chine
  • Inde
  • Japon
  • Corée du Sud
  • NZ
  • Reste de l ' Asie et du Pacifique
• Amérique latine
  • Brésil
  • Mexique
  • Reste de l'Amérique latine
• MEA
  • EAU
  • Arabie saoudite
  • Afrique du Sud
  • Reste du MEA