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GaN Semiconductor Rapport sur la taille et la part du marché des appareils - 2032

GaN Semiconductor Rapport sur la taille et la part du marché des appareils - 2032

  • ID du rapport: GMI8345
  • Date de publication: Feb 2024
  • Format du rapport: PDF

GaN Semiconductor Taille du marché du périphérique

Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Device Market a été évalué à plus de 17,5 milliards de dollars en 2023 et est estimé à enregistrer un TCAC de plus de 22,5% entre 2024 et 2032. Les dispositifs à semi-conducteurs GaN sont des composants électroniques avancés qui utilisent Gallium Nitride comme matériau semi-conducteur. Ils offrent des performances supérieures à celles des appareils traditionnels à base de silicium, notamment une plus grande efficacité, des vitesses de commutation plus rapides et de meilleures capacités de manipulation de la puissance.

GaN Semiconductor Device Market

Les appareils GaN sont utilisés dans diverses applications, telles que l'électronique de puissance, les amplificateurs RF, l'éclairage LED et les systèmes automobiles, stimulant les innovations dans plusieurs industries. Le besoin croissant de transfert rapide de données est l'un des principaux facteurs qui propulsent la croissance des dispositifs à semi-conducteurs GaN. Le fonctionnement à haute fréquence de GaN et ses capacités de manipulation de puissance supérieures permettent le développement d'amplificateurs RF, d'amplificateurs de puissance et d'autres composants efficaces et compacts essentiels pour les réseaux 5G, les systèmes de communication par satellite et l'infrastructure Internet à large bande. La capacité de GaN à fournir des taux de données élevés et une capacité de réseau améliorée répond à la demande croissante de réseaux de communication numérique et de télécommunications pour une transmission de données plus rapide et plus fiable.

Par exemple, en juillet 2023, STMicroelectronics a commencé la fabrication à grande échelle d'appareils à haute mobilité électronique PowerGaN (HEMT), ce qui a simplifié le développement de systèmes de conversion de puissance à haut rendement. Les transistors STPOWER GaN améliorent les performances dans diverses applications, y compris les adaptateurs muraux, les chargeurs, les systèmes d'éclairage, les alimentations industrielles, les énergies renouvelables et l'électrification automobile.

GaN devient de plus en plus courant dans l'électronique grand public car il rend les solutions de puissance plus légères, plus petites et plus efficaces. Les adaptateurs et chargeurs à base de GaN répondent au besoin de recharge rapide et pratique des smartphones, ordinateurs portables, tablettes et autres appareils portables, offrant des vitesses de charge plus rapides et des densités de puissance plus élevées. Les préférences des consommateurs pour les appareils avec des conceptions sleaker, une durée de vie plus longue de la batterie et une meilleure performance globale stimulent cette tendance.

Le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN est entravé par des problèmes d'intégration résultant de variations des propriétés électriques, des demandes de contrôle thermique et de l'interopérabilité avec les systèmes actuels. La conception et l'intégration des appareils GaN nécessitent souvent une refonte des circuits, l'optimisation des solutions thermiques et la résolution des problèmes de compatibilité, ce qui accroît la complexité du développement et le délai de mise en marché.

GaN Semiconductor Marché des appareils Tendances

La technologie GaN devient de plus en plus importante pour les applications électroniques de puissance en raison de son efficacité supérieure et de sa densité de puissance. Cela est particulièrement pertinent pour les industries, y compris les centres de données, les énergies renouvelables et les véhicules électriques. Grâce à leurs performances à haute fréquence et à leurs capacités de manipulation de puissance, les appareils RF basés sur GaN gagnent en popularité dans les nouvelles applications 5G, les systèmes de communication par satellite et les infrastructures de télécommunications. L'évolutivité et les réductions de coûts induites par les progrès technologiques GaN-on-silicon ouvrent les appareils GaN à un plus large éventail d'applications. Par exemple, en janvier 2024, Silvaco Group, Inc., un fournisseur de premier plan de TCAD, de logiciels EDA et de conception IP, s'est associé à GaN Valley pour faire progresser la conception efficace d'appareils électriques GaN. En tirant parti de sa plateforme Victory TCAD, Silvaco vise à donner aux clients les moyens d'innover et d'optimiser les performances des dispositifs à semi-conducteur basés sur GaN. La plate-forme Victory TCAD offre un environnement de simulation complet, intégrant diverses méthodes numériques, des modèles physiques, la génération de modèles SPICE, et une interface graphique conviviale, adaptée spécifiquement à la dernière génération d'appareils électriques à base de GaN.

La microélectronique GaN est préférée pour les applications à grande vitesse et à haute puissance, en développant leurs utilisations dans les réseaux de communication sans fil, l'automatisation industrielle et les systèmes radar. La technologie GaN continuera d'être intégrée aux dispositifs médicaux, aux systèmes automobiles et à l'électronique grand public en raison du besoin croissant de facteurs de forme plus petits, d'une efficacité accrue et d'une meilleure performance. En général, l'industrie des dispositifs à semi-conducteurs GaN se distingue par des innovations constantes et une diversification de l'industrie.

Analyse du marché des appareils semi-conducteurs GaN

GaN Semiconductor Device Market, By Component, 2021-2032, (USD Billion)
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Basé sur des composants, le marché est segmenté en transistor, diode, redresseur, puissance IC, et autres. Le segment des transistors représentait une part de marché de plus de 35 % en 2023.

  • Les transistors jouent un rôle central dans l'industrie des dispositifs à semi-conducteurs GaN en raison de leur importance dans l'électronique de puissance et les applications RF. Les transistors GaN surpassent les transistors de silicium traditionnels en termes d'efficacité, de vitesse de commutation et de densité de puissance. Cela rend les transistors GaN appropriés pour les alimentations, les moteurs, les amplificateurs RF et les systèmes de communication sans fil.
  • La demande croissante d'appareils électroniques économes en énergie et performants dans diverses industries, y compris l'automobile, les télécommunications et les énergies renouvelables, amplifie l'utilisation des transistors GaN. L'industrie des dispositifs à semi-conducteurs GaN se développe rapidement en raison de la grande utilisation des transistors GaN dans diverses applications.

 

GaN Semiconductor Device Market Share, By Type, 2023
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Selon le type, le marché est segmenté en opto-semiconducteurs, en RF semiconducteurs et en puissance semiconducteurs. On estime que le segment des semi-conducteurs RF enregistrera 23,5 % du TCAC de 2024 à 2032.

  • Les semi-conducteurs RF sont de plus en plus utilisés pour la défense, l'aérospatiale et les télécommunications. Par rapport aux composants RF classiques basés sur le silicium, les appareils RF GaN offrent une densité de puissance plus élevée, une bande passante plus large et une meilleure linéarité, ce qui les rend idéales pour les systèmes de communication de nouvelle génération tels que les communications par satellite et les réseaux 5G.
  • Le besoin croissant d'amplificateurs de puissance RF basés sur GaN dans les systèmes de guerre électronique, radar et sans fil propulse l'expansion du marché. La performance, l'efficacité et la fiabilité supérieures de ces appareils en font l'option privilégiée pour les applications haute fréquence et haute puissance, alimentant la croissance du marché.

 

China GaN Semiconductor Device Market Size, 2021-2032, (USD Billion)
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Asie-Pacifique détenait une part importante de plus de 30 % du marché mondial en 2023. Le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN d'Asie-Pacifique se développe rapidement en raison de l'augmentation des investissements dans le développement des infrastructures, de l'adoption accrue des véhicules électriques et de la demande croissante d'électronique grand public. La Chine, le Japon, la Corée du Sud et Taïwan sont les premiers pays en matière d'innovation technologique et de fabrication. De plus, l'essor du secteur des télécommunications de la région et le déploiement rapide des réseaux 5G augmentent la demande d'appareils RF basés sur GaN. La forte présence d'Asie-Pacifique dans l'industrie des semi-conducteurs ainsi que les politiques gouvernementales favorables favorisent le marché de la région.

GaN Semiconductor Part du marché des appareils

Infineon Technologies AG détient une part importante de l'industrie des dispositifs à semi-conducteurs GaN. Infineon Technologies AG fournit des appareils d'alimentation GaN pour diverses applications, notamment l'automobile, l'industrie et l'électronique grand public. Ses solutions d'alimentation GaN offrent une grande efficacité et fiabilité.

Les principaux acteurs, notamment GaN Systems, Infineon Technologies AG, Cree, Inc. et Efficient Power Conversion Corporation, mettent constamment en oeuvre des mesures stratégiques, comme l'expansion géographique, l'acquisition, les fusions, les collaborations, les partenariats et les lancements de produits ou de services, pour gagner des parts de marché.

GaN Sociétés du marché des dispositifs semi-conducteurs

Les principaux acteurs de l'industrie des dispositifs à semi-conducteurs GaN sont:

  • Crie, Inc.
  • Société de conversion de puissance efficace
  • La société Fujitsu Ltd.
  • Systèmes GaN
  • Infineon Technologies AG
  • Groupe électrique Mitsubishi
  • Systèmes d'alimentation NexGen
  • NXP Semiconductors N.V.
  • Odyssée Semiconductor Technologies, Inc.
  • Voir la décision d'ouvrir la procédure.
  • Société d'assurance-vie
  • STMicroélectronique N.V.
  • Sumitomo Electric Industries, Ltd.
  • Texas Instruments Incorporated
  • Société Toshiba
  • La société Wolfspeed, Inc.

Nouvelles de l'industrie des appareils semi-conducteurs GaN

  • En juillet 2023, STMicroelectronics a commencé à fabriquer à grande échelle des appareils PowerGaN HEMT en mode électronique, rationalisant ainsi le développement de systèmes de conversion de puissance à haut rendement. Les transistors STPOWER GaN améliorent les performances de différentes applications, y compris les adaptateurs muraux, les chargeurs, les systèmes d'éclairage, les alimentations industrielles, les énergies renouvelables et l'électrification automobile.
  • En juillet 2022, Infineon Technologies AG a collaboré avec Delta Electronics sur le serveur WBG et les solutions d'alimentation PC de jeu pour offrir des solutions supérieures aux clients finaux. La coopération comprenait la plate-forme de jeu Titanium de 1,6 kW de Delta et une puissance de 1,4 k Alimentation du serveur W. L'alimentation du serveur de 1,4 kilowatt met à profit la technologie CoolSiC MOSFET de Infineon Technology et la compétence en électronique de base multidécennie de Delta pour atteindre une efficacité de 96 %.

Le rapport d'étude de marché sur les dispositifs à semi-conducteurs GaN couvre en profondeur l'industrie avec des estimations et des prévisions en termes de recettes (milliards USD) de 2018 à 2032, pour les segments suivants:

Marché, par type

  • Opto-semiconducteurs
  • Conducteurs RF
  • Conducteurs de puissance

Marché, par composante

  • Transistor
  • Diode
  • Rectificateur
  • Puissance IC
  • Autres

Marché, Par plage de tension

  • Moins de 100 V
  • 100-500 V
  • Plus de 500 V

Marché, par secteur d'activité

  • Aéronautique & défense
  • Automobile
  • Électronique grand public
  • Énergie et énergie
  • Santé
  • Industrielle
  • Informatique et télécommunications
  • Autres

Les informations ci-dessus sont fournies pour les régions et les pays suivants:

  • Amérique du Nord
    • États-Unis
    • Canada
  • Europe
    • Royaume Uni
    • Allemagne
    • France
    • Italie
    • Espagne
    • Russie
    • Reste de l'Europe
  • Asie-Pacifique
    • Chine
    • Inde
    • Japon
    • Corée du Sud
    • NZ
    • Reste de l ' Asie et du Pacifique
  • Amérique latine
    • Brésil
    • Mexique
    • Reste de l'Amérique latine
  • MEA
    • EAU
    • Arabie saoudite
    • Afrique du Sud
    • Reste du MEA

 

Auteurs: Suraj Gujar, Sandeep Ugale

Questions fréquemment posées (FAQ)

L'industrie des appareils à semi-conducteurs Gallium Nitride (GaN) a été évaluée à plus de 17,5 milliards de dollars en 2023 et devrait enregistrer plus de 22,5% de CAGR entre 2024 et 2032, car ils offrent des performances supérieures à celles des appareils traditionnels à base de silicium.

On estime que le segment des semi-conducteurs RF dans l'industrie des appareils à semi-conducteurs GaN enregistre un TCAC de 23,5 % de 2024 à 2032, car ils sont témoins d'une utilisation croissante dans les applications de défense, d'aérospatiale et de télécommunications.

Le marché Asie-Pacifique des dispositifs à semi-conducteurs GaN détenait plus de 30 % de parts en 2023 et augmentera considérablement jusqu'en 2032 en raison de l'augmentation des investissements dans le développement des infrastructures, de l'adoption accrue des véhicules électriques et de la demande croissante d'électronique grand public.

Cree, Inc., Efficient Power Conversion Corporation, Fujitsu Ltd., GaN Systems, Infineon Technologies AG, Mitsubishi Electric Group, NexGen Power Systems, NXP Semiconductors N.V., Odyssey Semiconductor Technologies, Inc., Qorvo, Inc., ROHM Co., Ltd., STMicroelectronics N.V., et Sumitomo Electric Industries, Ltd.

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Détails du rapport premium

  • Année de base: 2023
  • Entreprises couvertes: 16
  • Tableaux et figures: 361
  • Pays couverts: 22
  • Pages: 200
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