Silicon Carbide Semiconductor Dispositivos Market Size Report 2034

Silicon Carbide Semiconductor Dispositivos Tamaño del mercado

El mercado mundial de dispositivos semiconductores de carburo de silicio fue valorado en USD 2,1 mil millones en 2024 y se estima que crecerá en una CAGR de 25,9% para alcanzar USD 21 mil millones en 2034. El crecimiento de la industria de semiconductores de carburo de silicio es impulsado por factores clave como el aumento de la demanda de vehículos eléctricos, la creciente aplicación de dispositivos semiconductores de carburo de silicio en aplicaciones aeroespaciales y de defensa, así como el creciente número de proyectos de modernización de la red y energía renovable.

Hay creciente inclinación hacia la adopción de vehículos eléctricos que exhiben influencia positiva en el crecimiento de la industria de los dispositivos semiconductores de carburo de silicio. Cada vez es más necesario disponer de electrónica de energía compacta, eficiente y resistente al calor que administre sus sistemas de baterías, propulsión eléctrica e infraestructura de carga. En consecuencia, los semiconductores de SiC son componentes críticos que se utilizan en las propulsiones de EV dentro de los inversores, convertidores de DC a DC y cargadores a bordo. Además, la mayor resistencia térmica, el aumento de frecuencias de conmutación y el alto voltaje de descomposición son varias propiedades que conducen a una mayor eficiencia del vehículo y un mayor rango de conducción. Según la Agencia Internacional de Energía (IEA), durante 2024, se vendieron casi 16,6 millones de automóviles eléctricos a nivel mundial, lo que supone un aumento de 13,7 millones de coches eléctricos en 2023. Así, el aumento de los coches eléctricos se asocia directamente con la demanda de dispositivos semiconductores de carburo de silicio, a su vez, acelerando el crecimiento del mercado en todo el mundo.

Además, el creciente número de proyectos de modernización de redes y energías renovables está dando lugar a la adopción de dispositivos semiconductores de carburo de silicio. La incorporación de semiconductores SiC en sistemas de conversión de energía mejora su eficiencia y fiabilidad, especialmente al integrar fuentes de energía renovables como el viento y la energía solar en la red. Si bien la modernización de la red, el uso de tecnologías SiC aumenta el rendimiento de sistemas de conversión de potencia de tensión media que son fundamentales en la distribución y almacenamiento efectivos de energía eléctrica. La proliferación de semiconductores de energía SiC, así como los proyectos de energía renovable de baterías, está acelerando la implementación de estos sistemas en diversas industrias. Por ejemplo, en marzo de 2025, TS Conductor anunció sus planes para abrir una nueva planta de producción en Hardeeville, Carolina del Sur, que está cerca del puerto de Savannah. El proyecto USD 134 millones forma parte de los esfuerzos continuos de modernización de la red para satisfacer la creciente demanda de líneas eléctricas de alta capacidad. La planta producirá conductores avanzados destinados a aumentar la capacidad de transmisión de la red al tiempo que aumenta la fiabilidad y eficiencia. El proyecto está en consonancia con iniciativas más amplias para actualizar el sistema de energía estadounidense, que se alimentan con el aumento de la producción nacional y la creciente necesidad de electricidad de los centros de datos de inteligencia artificial. Con la ayuda de la tecnología TS Conductor, las utilidades pueden aumentar la capacidad de transmisión y mejorar la resiliencia de la red a condiciones meteorológicas severas. Por consiguiente, la atención prestada a la adopción de soluciones energéticas sostenibles sigue impulsando la demanda de dispositivos semiconductores SiC debido a su papel central en el fomento de la eficiencia y fiabilidad de los sistemas energéticos contemporáneos.

Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Tendencias

• El crecimiento de las redes de carga rápida de alta tensión es la tendencia principal que representa una trayectoria de crecimiento del mercado mundial. La tecnología del carburo de silicio desempeña un papel importante en el avance de las estaciones de carga rápida rápida rápidas que son necesarias para mejorar la eficiencia con las que se prestan servicios y se utilizan vehículos eléctricos. Los semiconductores SiC tienen una conductividad térmica superior, además de un aumento del voltaje de descomposición, alta velocidad de conmutación y baja resistencia en comparación con los dispositivos basados en silicio. Estas chararacterísticas hacen que los convertidores SIC sean más eficientes durante la conversión de energía y reducen las pérdidas energéticas en aplicaciones de alta potencia como los cargadores rápidos EV.
• Además, el uso de dispositivos semiconductores de carburo de silicio en aplicaciones emergentes en la movilidad del aire urbano (UAM) y barcos eléctricos. La eficiencia de rendimiento y la densidad de potencia de la tecnología SiC son superiores para estas aplicaciones en comparación con la tecnología tradicional de silicio. Para UAM, los aviones eléctricos verticales de despegue y aterrizaje (eVTOL) requieren electrónica de potencia eficiente, compacta y de bajo peso para gestionar operaciones de alto voltaje en condiciones extremas. Los dispositivos SiC pueden incorporar frecuencias de conmutación más altas con mayores densidades de potencia a temperaturas operacionales más altas que son beneficiosas para los sistemas eVTOL. Por lo tanto, estos factores ayudan a mejorar el rendimiento, el rango y la disminución de peso que es vital para las soluciones a UAM, lo que está acelerando el crecimiento del mercado a un ritmo sustancial.
• Además, la creciente inclinación hacia centros de datos eficientes y la informática en la nube es otra tendencia clave que está dando lugar a una rápida expansión del mercado. Los enfriadores SiC requieren significativamente menos energía para operar a toda capacidad, haciendo que la tecnología SiC sea muy eficaz. Al igual que otros centros de datos, éste ha reducido drásticamente sus costos energéticos, costos operativos y uso de recursos. Son más adecuados para usos de alta potencia como estos en comparación con los dispositivos tradicionales basados en silicio. Con un aumento en el uso de la nube, los centros de datos están tratando de equilibrar el uso de energía con mayores cargas de trabajo. Este desafío puede ser resuelto por SiC Semiconductors, ya que utilizan sistemas de conversión de energía más eficientes y de gestión de calor que resulta en un mayor rendimiento y fiabilidad. Por lo tanto, la creciente preocupación por el uso eficiente de energía en los centros de datos y las instalaciones de computación en la nube está acelerando la incorporación de dispositivos semiconductores SiC en la industria.

Silicon Carbide Semiconductor Dispositivos Análisis de Mercado

Basado en el componente, el mercado se segmenta en diodos escotky, transistores FET/MOSFET, circuitos integrados, rectificadores/diodos, módulos de potencia y otros.

• El segmento de módulos de energía representó 581 millones de dólares en 2024. El segmento se está expandiendo porque los módulos de energía SiC permiten sistemas de energía más pequeños y ligeros reduciendo los requisitos de refrigeración. Por lo tanto, los módulos de energía están ganando alta popularidad en vehículos eléctricos, electrónica de consumo y sistemas portátiles de energía. Además, la adopción generalizada de vehículos eléctricos está alimentando la producción de infraestructura de carga eléctrica de alta velocidad. El consumo de carga para los módulos de energía SiC en las estaciones de carga ultra rápida (en exceso de 800V) es viable sin o muy les la energía desperdiciada.
• Los circuitos integrados representaron el segmento de crecimiento más rápido que probablemente alcanzará USD 2.3 mil millones en 2034. Existe una rápida proliferación de la infraestructura 5G, así como una creciente automatización industrial está elevando la demanda de los IC de SiC. Además, el creciente uso de infraestructuras que soportan fuentes renovables de energía indica otro importante mercado para los circuitos integrados semiconductores SiC, ya que se utilizan para la conversión de energía a escala de red, inversores solares, sistemas de energía eólica y aplicaciones de almacenamiento energético.

Basado en el tamaño del wafer, el mercado de semiconductores de carburo de silicio se divide en 1 pulgada a 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 pulgadas.

• Se espera que el segmento de 6 pulgadas represente el 55,7% del mercado mundial en 2024 porque los wafers SiC de 6 pulgadas proporcionan un mejor rendimiento por wafer y menores costos de producción por dispositivo que conduce a menores costos para los fabricantes en comparación con los wafers de 4 pulgadas. Además, se utilizan más frecuencia wafers de 6 pulgadas para fabricar componentes de alta tensión, eficientes energéticamente SiC para aplicaciones de carga concentrada de energía con el aumento de estaciones de carga EFI para VE. Además, hay un cambio en el mercado hacia la utilización de dispensas de 6 pulgadas para obtener economías de escala, lo que aumenta el uso en las industrias automotriz y renovable, a su vez, acelerando el crecimiento del segmento a nivel mundial.
• El segmento de 8 pulgadas representaba CAGR de 31,3% en 2025-2034. Las wafers de 8 pulgadas son más rentables debido a la superficie más grande que facilita un mayor número de chips que se fabrican por wafer, reduciendo así el coste por dispositivo y mejorando la viabilidad financiera de la tecnología SiC. Los semiconductores SiC son ampliamente utilizados en las aplicaciones de más de 600V. El rendimiento mejorado de estos módulos de potencia, usado para cargadores rápidos EV, instalaciones de rejilla y maquinaria industrial, se hace posible con el tamaño más grande de la ola sobre los silicios debido al alto rendimiento de los módulos de potencia. Además, hay un aumento significativo del gasto económico y de las asociaciones dirigidas a aumentar la resiliencia de la cadena de suministro, lo que lleva a los principales fabricantes de semiconductores a aumentar la capacidad de producción de las wafers de 8 pulgadas.

Basado en el producto, el mercado de dispositivos semiconductores de carburo de silicio se segmenta en dispositivos optoelectrónicos, semiconductores de potencia y dispositivos de frecuencia.

• El segmento de dispositivos de frecuencias dominó la contabilidad del mercado de USD 885,2 millones en 2024. Las industrias aeroespaciales, de defensa y de radiodifusión están utilizando dispositivos SiC que cuentan con componentes de radiofrecuencia debido a su capacitancia para operar en condiciones de alta potencia y frecuencia. Además, SiC ofrece dispositivos con capacidades de alta velocidad y potencia porque, a diferencia del silicio, ya que tienen mejor voltaje de descomposición, mayor bandgap y mayor conductividad térmica, lo que favorece el crecimiento del segmento. Por otra parte, la distribución de nuevas tecnologías como Wi-Fi 6, Internet por satélite y banda ultra-ancha (UWB) da lugar a una transferencia de datos sólida y estable, apoyada por dispositivos de frecuencia SiC, está fomentando la demanda de dispositivos de frecuencia a un ritmo sustancial.
• El segmento de dispositivos Optoelectrónicos crecerá en un CAGR del 31,1% durante el período de pronóstico. Los dispositivos optoelectrónicos de SiC como LEDs, diodos láser y fotodetecdores son altamente robustos, lo que permite que estos dispositivos funcionen en temperaturas extremas y entornos con alta radiación, lo que hace que estos dispositivos sean ideales para su uso en aeroespacial y defensa, así como necesidades industriales. El aumento del consumo de datos, así como la necesidad de una transferencia más rápida de datos, impulsan la implementación de fotodetecdores basados en SiC y diodos láser en redes de comunicación para fibra óptica. Además, se está utilizando la base de SiC para equipos médicos de imágenes, biosensores y dispositivos de diagnóstico que proporcionan un mejor rendimiento en aplicaciones de detección y monitoreo de precisión.

Basado en el usuario final, el mercado de dispositivos semiconductores de carburo de silicio está bifurcado en potencia automotriz, energía, electrónica de consumo, defensa aeroespacial, dispositivos médicos, dispositivos de comunicación de datos y otros.

• El segmento de usuario final automotriz dominaba el mercado, con un valor de 707,1 millones de dólares en 2024 debido al creciente uso de dispositivos SiC que hacen más eficientes los entrenamientos de energía, minimizan el desperdicio de energía y aumentan la vida de la batería, que se integra con las tendencias emergentes de EVs y HEV. Además, el rendimiento global del sistema aumenta con el rango debido a las frecuencias de conmutación más altas y las bajas pérdidas energéticas con módulos de energía SiC e inversores. Además, la creciente adopción de normas e incentivos de emisión estrictas para el uso de VE requiere automatización modernizada que sea eficiente en el combustible e integra emisiones de carbono más bajas en los fabricantes de automóviles ha desplazado el enfoque hacia el uso de la tecnología SiC, a su vez, elevando la demanda de dispositivos semiconductores de carburo de silicio en segmento de usuario final automotriz.
• Se espera que el mercado energético registre el mayor crecimiento durante el período previsto, creciendo en una CAGR del 28% para 2025 a 2034. Los componentes de SiC son cruciales para la integración de redes inteligentes en infraestructuras obsoletas que están siendo actualizadas por proveedores de servicios públicos y gobiernos para asegurar una gestión eficaz de energía, regulación de tensión y pérdidas de transmisión minimizadas. La reducción del consumo de energía facilitada por las bajas pérdidas de conmutación de SiC y una mayor tolerancia a temperaturas elevadas ayudan a alcanzar objetivos de sostenibilidad. Además, la incentivación de la utilidad y el cumplimiento industrial, junto con el aumento de las normas destinadas a aumentar la eficiencia junto con las políticas que promueven la adopción de energía limpia, están reorientando su enfoque hacia la tecnología SiC, que está acelerando el crecimiento del poder energético en el mercado.

En 2024, el mercado de semiconductores de carburo de silicio de EE.UU. representó 505,9 millones de dólares. Estados Unidos ha sido testigo de un importante aumento de la demanda de dispositivos semiconductores de carburo de silicio (SiC) debido a la tecnología de innovación multifactorial y objetivos nacionales estratégicos. En Estados Unidos, la industria de vehículos eléctricos (EVs) está creciendo cada vez más a medida que los fabricantes estadounidenses de automóviles como Tesla, Ford y General Motors están adoptando rápidamente electrónica de energía SiC para aumentar la eficiencia energética, reducir las pérdidas de conversión de energía y mejorar aún más el rendimiento de sus vehículos. Estas tecnologías en semiconductores mejoran significativamente el diseño de los sistemas eléctricos que facilitan el desarrollo de sistemas de vehículos más compactos, ligeros y altamente eficientes en energía, lo que ayuda a abordar importantes expectativas de los consumidores en el rendimiento de rango y carga. Además, el uso de semiconductores SiC está ganando tracción en el ejército y la defensa. Los campos aeroespaciales y militares también utilizan dispositivos semiconductores “hi-tech” que se utilizan en condiciones ambientales duras, lo que contribuye a la expansión del mercado regional.

The Germany Silicon Carbide Semiconductor Se espera que el mercado de dispositivos crezca en una CAGR del 28% durante el período de previsión. El mercado de Alemania está reforzado por la creciente demanda de diferentes industrias para la electrónica de alta potencia ha acelerado el uso de dispositivos SiC. Características tales como alta conductividad térmica y resistencia al voltaje, los principales dispositivos SiC ideales para diversas aplicaciones que requieren un rendimiento superior. Además, el crecimiento del sector de las energías renovables es otro factor que estipula la demanda de dispositivos semiconductores SiC. La poderosa política de Energiewende del país requiere un gasto considerable en energía eólica y solar, así como en la modernización de la red, que ofrece una nueva oportunidad de mercado para la electrónica de energía avanzada en los años previstos.

Se espera que el mercado de China crezca en un CAGR de 28,2% durante el período de previsión. Factores como la integración de energía renovable y la rápida penetración de la electrónica de consumo como teléfonos inteligentes, tabletas, portátiles y otros dispositivos electrónicos. También ha habido un aumento de la demanda de semiconductores SiC que mejora la eficiencia de los sistemas de alimentación y carga EV debido al rápido desarrollo del mercado de vehículos eléctricos en China. Además, las crecientes inversiones del gobierno central y los subsidios respaldados por el Estado han contribuido a mejorar la industria semiconductora china han dado lugar a la mejora de la tecnología SiC, a su vez, aprovechando las oportunidades de crecimiento para la expansión del mercado durante el período estimado.

En 2024, se espera que Japón represente una parte del 16,1% del mercado de dispositivos semiconductores de carburo de silicio en Asia Pacífico. Varios factores como el surgimiento de tecnologías avanzadas, la automatización industrial y la estrategia gubernamental están impulsando la demanda de los dispositivos semiconductores de carburo de silicio (SiC). Además, el fuerte ecosistema de fabricación electrónica del país es otro factor clave para la adopción de semiconductores SiC. Las empresas electrónicas japonesas utilizan progresivamente dispositivos SiC en computación de alto rendimiento, infraestructura de telecomunicaciones y equipo industrial avanzado, que se atribuye al crecimiento del mercado regional a un ritmo significativo.

El mercado de Corea del Sur representaba 1.000 millones de dólares en 2024. Corea del Sur cuenta con el rápido despliegue de la tecnología 5G que necesita semiconductores de alto rendimiento para gestionar las mayores cantidades de datos y frecuencias. Las redes avanzadas de telecomunicaciones requerirán la infraestructura de apoyo que proporciona los dispositivos SiC. Además, el ecosistema de fabricación semiconductor de Corea del Sur liderado por centrales mundiales Samsung y SK Hynix está invirtiendo en gran medida en la investigación y producción de dispositivos SiC. Las estrategias gubernamentales, como el apoyo a las iniciativas de investigación, el desarrollo tecnológico y la incentivación de políticas, están aumentando la cadena nacional de suministro de semiconductores de SiC, que está presentando perspectivas de crecimiento para la industria de dispositivos semiconductores de carburo de silicio de korea meridional.

Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Share

El mercado de semiconductores de carburo de silicio (SiC) se consolida. Hay pocos jugadores de mercado concentrados debido a las altas inversiones de capital y requisitos tecnológicos en las áreas de producción de wafer SiC, fabricación de dispositivos, así como R plagaD. Empresas como Wolfspeed, Infineon Technologies y STMicroelectronics tienen una presencia considerable en el mercado y tienen el mayor número de acciones de mercado de casi 48,7%. Estas empresas tienen ventaja competitiva debido a sus tecnologías patentadas, así como al uso de la integración vertical. Sus posiciones también se fortalecen debido a contratos de suministro a largo plazo y asociaciones con empresas de energía automotriz y renovable.

El mercado de los dispositivos semiconductores de carburo de silicio se desarrolla continuamente con nuevas innovaciones de productos que se adaptan a las capacidades de wafer de carburo de silicio. Por ejemplo, en septiembre de 2022, AIXTRON SE introdujo su nuevo sistema G10-SiC de 200 mm para la producción de alto volumen de la nueva generación de carburo de silicio ("SiC") en 150/200 mm de wafers SiC. La Conferencia Internacional sobre Carburo de Silicio y Materiales Relacionados (ICSCRM) anunció esta tecnología CVD de alta temperatura, que está impulsando la innovación al siguiente nivel. SiC, un material con una amplia brecha de banda, se espera que se convierta en una tecnología común para la electrónica de energía eficaz. SiC ayuda a la protección del clima ayudando significativamente en la descarbonización de nuestra sociedad contemporánea.

Wolfspeed verticalmente integrada carburo de silicio empresa líder como el cambio de la industria de carburo de silicio a carburo de silicio en componentes y dispositivos. La cartera de la empresa incluye material de carburo de silicio, módulos de energía, dispositivos de energía discreta y productos de alimentación, que contribuyen a la mejora de automóviles, aeronaves, fuentes de energía renovable, equipos de carreras, ciudades y muchas otras aplicaciones.

STMicroelectonics es uno de los líderes de la industria en SiC con una cartera de patentes importantes y 25 años de dedicación a la investigación y desarrollo. Como la ubicación de las mayores instalaciones de fabricación y SiC RcienteD, Catania ha sido desde hace mucho tiempo un lugar crucial para la innovación de ST, ayudando eficazmente en la creación de nuevos métodos para crear más y mejor dispositivos SiC. STMicroelectonics portfolio include STPOWER SiC MOSFETs, que tienen la mayor calificación de temperatura de unión en la industria a 200 °C para diseños más eficaces y directos, y los diodos STPOWER SiC, que tienen pérdidas de conmutación que son insignificantes y un 15% menor voltaje (VF) que los diodos convencionales de silicio.

Silicon Carbide Semiconductor Dispositivos Mercado Empresas

Las empresas líderes en la industria de semiconductores de carburo de silicio comprenden:

• Wolfspeed
• STMicroelectronics
• Infineon Technologies
• onsemi
• ROHM Semiconductor

Silicon Carbide Semiconductor Dispositivos Industria Noticias

• En marzo de 2025, RFMW, división de Exponential Technology Group, Inc., formó una alianza estratégica con CoolCAD Electronics para ampliar su línea de dispositivos semiconductores de carburo de silicio de alta potencia y alta tensión. Este contrato mejora la capacidad de RFMW para proporcionar a los clientes soluciones de banda de gran tamaño de vanguardia, lo que permite aumentar la eficiencia, el rendimiento y la fiabilidad en aplicaciones de alta temperatura y alta potencia. Los transistores semiconductores y circuitos integrados de CoolCAD (IC) serán distribuidos por RFMW como parte de esta colaboración.
• En febrero de 2025, Infineon Technologies El plan de AG para carburo de silicio (SiC) a 200 mm ha avanzado significativamente. Los dispositivos que se producen en Villach, Austria, ofrecen la tecnología de energía siC de alto nivel para aplicaciones de alta tensión como vehículos eléctricos, trenes y fuentes de energía renovable. Además, Infineon está programado para cambiar de wafers de 150 milímetros a los wafers de diámetro de 200 milímetros más grandes y eficaces en su instalación de fabricación en Kulim, Malasia.
• En junio de 2024, ROHM Co. Ltd., un fabricante de dispositivos semiconductores de potencia con sede en Japón, ha introducido el nombre EcoSiC como marca comercial para dispositivos de carburo de silicio (SiC). El lanzamiento de la marca EcoSiC pretende alcanzar una serie de objetivos estratégicos, incluyendo un mayor rendimiento, sostenibilidad e innovación tecnológica. El logo EcoSiC es un componente de la idea de marca "Power Eco Family" de ROHM, que busca optimizar la eficiencia y la compactidad de las aplicaciones electrónicas, mientras que también tiene un impacto ambiental beneficioso.

Este informe de investigación del mercado de semiconductores de carburo de silicio incluye una cobertura profunda de la industria con estimaciones " en términos de ingresos (USD Million) de 2021 a 2034, para los siguientes segmentos:

Mercado, por componente

• Diódos Schottky
• Transistores FET/MOSFET
• Circuitos integrados
• Rectificadores/diodos
• Módulos de potencia
• Otros

Mercado, por tamaño Wafer

• 1 pulgada a 4 pulgadas
• 6 pulgadas
• 8 pulgadas

Mercado, por producto

• Dispositivos otoelectrónicos
• semiconductores de potencia
• Dispositivos de frecuencia

Mercado, por fin uso

• Automoción
• Energía
• Consumer electronics
• Aerospace & defense
• Dispositivos médicos
• Dispositivos de comunicación de datos
• Otros

La información anterior se proporciona a las siguientes regiones y países:

• América del Norte
  • EE.UU.
  • Canadá
• Europa
  • UK
  • Alemania
  • Francia
  • Italia
  • España
  • Rusia
• Asia Pacífico
  • China
  • India
  • Japón
  • Corea del Sur
  • ANZ
• América Latina
  • Brasil
  • México
• MEA
  • UAE
  • Arabia Saudita
  • Sudáfrica