Home > Semiconductors & Electronics > Semiconductor > Next-Generation Memory Market Size & Share Report, 2032
El tamaño del mercado de memoria de la próxima generación fue valorado en más de USD 6.700 millones en 2023 y se calcula que registrará un CAGR de más del 24,8% entre 2024 y 2032. Aumentar el interés en los dispositivos IoT es impulsar la expansión del mercado.
Los dispositivos IoT producen grandes datos que necesitan ser almacenados y analizados eficazmente, debido a los cuales hay un creciente requisito para las tecnologías de memoria avanzadas. Las soluciones de memoria de Next-gen ofrecen muchos beneficios, como su tamaño compacto y su gran capacidad de almacenamiento de datos y un bajo consumo de energía, que se hacen a medida para satisfacer necesidades relacionadas con IoT, como medidores inteligentes y automóviles conectados, entre otros.
Este mercado de memoria de próxima generación ha experimentado un crecimiento significativo en respuesta a la creciente demanda de productos de memoria no volátiles. Aplicaciones críticas que requieren almacenamiento constante, como almacenamiento empresarial, centros de datos, electrónica automotriz & dispositivos IoT no prefieren la memoria volátil ya que no conserva datos cuando se apaga la energía. Contra los recuerdos tradicionales no volátiles, como NAND flash " Hard Disk Drives (HDDs), las tecnologías de memoria de próxima generación, incluyendo la RAM Resistiva (ReRAM), la memoria de cambio de fase (PCM), y la RAM magnética (MRAM) son significativamente ventajosa debido a sus tiempos de acceso más rápidos, menor consumo de energía y mayor densidad.
Atributo del informe | Detalles |
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Año base: | 2023 |
Next-Generation Memory Market Size in 2023: | USD 6.7 Billion |
Período de pronóstico: | 2024 to 2032 |
Período de pronóstico 2024 to 2032 CAGR: | 24.8% |
2032Proyección de valor: | USD 47 Billion |
Datos históricos para: | 2018 to 2023 |
Número de páginas: | 230 |
Tablas, gráficos y figuras: | 362 |
Segmentos cubiertos | Tecnología, tamaño de la memoria, aplicación y región |
Factores de crecimiento: |
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Desafíos y obstáculos: |
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En el esfuerzo por llegar a la memoria de la próxima generación, hay muchos problemas. El deseo de velocidades más rápidas, más capacidades y menor consumo de energía en la tecnología de la memoria también es costoso. Esto se complica por la realidad de que la introducción de nuevas tecnologías en los sistemas y normas actuales presenta su propio conjunto de problemas. Por ejemplo, la superación de las limitaciones físicas inherentes a las tecnologías de memoria emergentes, como el cambio de fase o los recuerdos resistivos de acceso aleatorio, requiere investigación y desarrollo amplios.
La computación de alto rendimiento se está buscando cada vez más, lo que lo convierte en el principal factor de crecimiento del mercado. Las simulaciones científicas actuales, inteligencia artificial, aprendizaje profundo y análisis de datos requieren enormes cantidades de datos y capacidades de procesamiento a gran escala. Estos son recuerdos con anchos de banda más altos debido a sus tecnologías emergentes que consisten en RAM Resistiva (ReRAM), memoria de cambio de fase (PCM), y RAM magnética (MRAM).
Son ideales para entornos HPC debido a estas características. En noviembre de 2023, Altair, una empresa HPC y AI, introdujo Altair HPCWorks; una plataforma HPC y cloud. Cuenta con un portal de usuarios impulsado por AI que incluye herramientas avanzadas de monitoreo/reportación de HPC para facilitar el escalado de nubes, así como tecnología de flujo de trabajo distribuida de próxima generación.
El almacenamiento y el procesamiento de datos son las tendencias destacadas en el mercado de memoria de próxima generación. La demanda de soluciones de memoria más rápidas ha sido impulsada por los enormes volúmenes de datos producidos por Big Data, Internet de las cosas (IoT), inteligencia artificial (AI), aprendizaje automático, etc. Estas soluciones son más eficientes y ahorran energía para almacenar " grandes datos. En comparación con las soluciones de memoria tradicionales, las tecnologías de memoria de próxima generación como la RAM Resistiva (ReRAM), la memoria de cambio de fase (PCM) y la RAM magnética (MRAM) proporcionan productos rápidos, duraderos y de bajo consumo de energía.
Basado en el tamaño de la memoria wafer, el mercado se segmenta en 200 mm y 300 mm. El segmento de 300 mm mantuvo la mayor cuota de mercado de más del 55% en 2023. Los beneficios de pasar a unas oleadas más grandes como 300 mm incluyen un aumento de la eficiencia durante la producción, mejores tasas de rendimiento y precios más bajos para la fabricación por unidad.
Además, los recuerdos de nueva generación como RAM Resistive (ReRAM), Memoria de Cambio de Fase (PCM), y RAM Magnética (MRAM) se beneficiarán de las economías de escala a través de la fabricación de wafer de 300 mm porque permite volúmenes superiores a costos asequibles. De nuevo, mediante el uso de dominios de 300 mm hace que los fabricantes de semiconductores tomen más nodos de proceso avanzados y obtengan densidades de chips superiores que mejoran el rendimiento y aumentan las capacidades de almacenamiento en futuros dispositivos de memoria.
Basado en la tecnología, el mercado de memoria de próxima generación se segmenta en recuerdos no volátiles y recuerdos volátiles. Los recuerdos no volátiles se segmentan más en SRAM, memoria de acceso aleatorio resistente al magneto, RAM ferroeléctrica (FRAM), memoria de acceso aleatorio (ReRAM), nano RAM y otros. Los recuerdos volátiles están sub segmentados Cubo de memoria híbrido (HMC) y alta memoria de ancho de banda (HBM). Se prevé que el segmento de memorias no volátiles registrará un CAGR de más del 26% de 2024 a 2032.
Las soluciones de memoria no volátiles tienen una capacidad de retener datos incluso cuando se apaga la potencia, por lo que son esenciales para almacenar datos para esfuerzos como electrónica de vehículos, almacenamiento de empresas e Internet de cosas. Los avances en tecnologías de memoria no volátiles como la RAM Resistive (ReRAM), la memoria de cambio de fase (PCM) y la RAM magnética (MRAM) han aumentado la velocidad y la eficiencia energética, así como la resistencia sobre los recuerdos convencionales no volátiles como NAND flash y Hard Disk Drives (HDD). Estos avances están en consonancia con las crecientes necesidades de almacenamiento, recuperación y procesamiento de datos más rápidos en aplicaciones de gran densidad de datos propulsadas por tendencias como Big Data, Inteligencia Artificial (AI) e Internet de Cosas.
Norteamérica representó una parte significativa en el mercado de memoria de próxima generación en 2023 con una cuota de mercado de más del 36,5%. La región se caracteriza por un fuerte ecosistema de empresas semiconductoras, institutos de investigación y empresas tecnológicas que estimulan la innovación y el avance en tecnologías avanzadas de memoria. Además, hay una demanda creciente de soluciones de memoria más rápidas y eficientes de potencia debido a la creciente necesidad de aplicaciones de computación de bordes, centros de datos y computación de alto rendimiento.
Además, América del Norte tiene varios actores clave en la industria semiconductora como Intel, Micron Technology e IBM que están invirtiendo fuertemente en la memoria de próxima generación como MRAM (Magneto resistive Random Access Memory), PCM (Phase-Change Memory) y ReRAM (Resistive Random Access Memory). Estos negocios trabajan junto con las startups empresariales junto con instituciones académicas con el objetivo de la comercialización rápida y la adopción de estas invenciones.
Samsung y Micron Technology, Inc. realizaron una parte de más del 18% en el mercado en 2023. Samsung es un jugador dominante en el mercado de memoria de próxima generación, que ocupa el papel de un líder de innovación a través de sus tecnologías de memoria avanzadas que ofrece al mercado tecnológico. 3D NAND memoria flash, LPDDR5 DRAM y HBM2E son algunos de los recuerdos de la próxima generación que Samsung ha sido capaz de producir a través de su semiconductor haciendo experiencia.
Micron Technology, Inc. es un importante jugador en el mercado de memoria Next Generation debido a su experiencia en semiconductores y soluciones de memoria. La empresa participa activamente en el desarrollo y comercialización de tecnologías avanzadas de memoria como 3D XPoint, desarrolladas junto con Intel como una tecnología de memoria no volátil.
Los principales jugadores que operan en la industria de la memoria de próxima generación son:
Mercado, por tecnología, 2018 - 2032
Mercado, por tamaño de la ola de memoria, 2018 – 2032
Mercado, por solicitud, 2018 – 2032
La información anterior se proporciona a las siguientes regiones y países: