Tamaño del mercado de memoria flash 3D NAND

3D NAND mercado de memoria flash fue valorado en USD 19 mil millones en 2023 y se prevé que crezca en una CAGR de más del 15% entre 2024 y 2032. Avances tecnológicos, apilamiento de capas superiores, así como avances en el diseño y arquitectura del circuito actual, como algoritmos de corrección de errores mejorados y técnicas de nivel de desgaste, permiten un mayor rendimiento y vida útil de la memoria flash 3D NAND.

Las innovaciones en la arquitectura celular, como el desarrollo de estructuras celulares más altas, permiten empaquetar más células en cada capa, aumentando aún más densidad de almacenamiento sin ampliar significativamente la huella del chip de memoria. Estas innovaciones son críticas a medida que las células de memoria se vuelven más pequeñas y más densas empaquetadas. Por ejemplo, en febrero de 2024, Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. lanzó su X1-9050, la segunda generación de los productos de memoria flash NAND 3D de YMTC. Está construido sobre la arquitectura Xtacking, que es la tecnología patentada 3D NAND de YMTC. Con el apoyo de los principales controladores industriales, puede ser ampliamente utilizado en el desarrollo de productos de consumo, empresa y almacenamiento móvil, mostrando el futuro del almacenamiento digital.

Con el creciente uso de cámaras de alta resolución y la creciente capacidad de grabación de vídeo 4K/8K, la demanda de almacenamiento de alta capacidad en dispositivos móviles aumenta considerablemente. La capacidad de almacenamiento está ganando rápidamente la tracción como uno de los criterios más importantes para los que los OEM de los teléfonos inteligentes compiten entre sí, especialmente en el segmento de Android premium. Mejores cámaras, pantallas de mayor resolución y conectividad inalámbrica más rápida han mejorado la ubicuidad de vídeos de alta resolución, creando una mayor demanda para la memoria NAND del smartphone.

La cantidad de datos sensibles almacenados está creciendo con la creciente capacidad de almacenamiento debido a la incorporación de tecnologías avanzadas 3D NAND, haciendo que estos dispositivos de almacenamiento sean más propensos a los ciberataques. La complejidad del firmware en dispositivos 3D NAND puede exponer vulnerabilidades que los hackers pueden explotar para obtener acceso o control no autorizado sobre los datos almacenados.

Mercado de memoria flash 3D NAND Tendencias

La creciente demanda de almacenamiento de alta capacidad en la industria de memoria flash 3D NAND se rige por diversos factores, incluyendo aplicaciones de gran densidad de datos, crecimiento empresarial, electrónica de consumo, IoT y avances tecnológicos. Esta demanda influye en el desarrollo de productos, la expansión del mercado, la dinámica económica y las estrategias competitivas dentro de la industria. La tendencia hacia mayores capacidades de almacenamiento en dispositivos móviles es impulsada por consumidores que exigen más espacio para aplicaciones, fotos, videos y otros medios. Por ejemplo, en abril de 2024, Samsung Electronics comenzó la producción masiva de los chips de memoria flash NAND más avanzados del mundo con capacidad de almacenamiento de datos ampliada. Esta es la memoria 3D NAND de novena generación, que se puede utilizar en centros de datos de inteligencia artificial, así como en smartphones.

Las empresas dependen cada vez más de la analítica de datos para obtener información de grandes cantidades de datos. Las plataformas Cloud ofrecen recursos de almacenamiento y cálculo escalables para manejar grandes datos, lo que lleva a una mayor necesidad de soluciones de almacenamiento de alta capacidad y alto rendimiento como la memoria flash 3D NAND. La proliferación de dispositivos de Internet de las cosas (IoT) genera volúmenes masivos de datos que necesitan ser almacenados y procesados en la nube. Esta explosión de datos requiere soluciones de almacenamiento fiables y escalables.

Análisis del mercado de memoria flash 3D NAND

Basado en el tipo, el mercado se segmenta en celdas de un solo nivel, celdas de varios niveles y celdas de tres niveles. El segmento de células de tres niveles es el segmento de crecimiento más rápido con una CAGR de más del 15% entre 2024 y 2032.

• La creciente adopción de la tecnología de células de triple nivel en el mercado está impulsada por su eficiencia en función de los costos, los avances tecnológicos y la creciente demanda de almacenamiento de alta capacidad. Los fabricantes de flashes NAND utilizan comúnmente TLC con flash 3D NAND, en el que las células de memoria se apilan verticalmente en el chip. La industria de la memoria se trasladó al flash 3D NAND mientras los fabricantes alcanzaban los límites de escalado de la tecnología de almacenamiento 2D o planar, que utiliza una sola capa de células de memoria.
• Los fabricantes están ampliando sus líneas de productos para incluir una variedad de soluciones basadas en TLC, desde SSDs de grado de consumo a sistemas de almacenamiento a nivel empresarial. Existe una tendencia creciente hacia el desarrollo de soluciones de almacenamiento personalizadas que aprovechen TLC NAND para satisfacer los requisitos específicos de diferentes segmentos de mercado.

Basado en la aplicación, el mercado se segmenta en cámaras, ordenadores portátiles, teléfonos inteligentes y tabletas, y otros. El segmento de teléfonos inteligentes y tabletas domina el mercado y se espera que alcance más de 40 mil millones en 2032.

• Los smartphones y tabletas modernos están incorporando cada vez más capacidades de aprendizaje automático y de inteligencia artificial para características tales como reconocimiento facial, asistentes de voz y traducción de idiomas en tiempo real. Estas características requieren una capacidad sustancial de procesamiento y almacenamiento de datos para el almacenamiento de diversas aplicaciones.
• AI mejora la experiencia de usuario a través de recomendaciones personalizadas, fotografía más inteligente (como reconocimiento de escena y mejora de imagen), y texto predictivo. Los datos y modelos subyacentes utilizados para estas características requieren importantes recursos de almacenamiento.

El mercado de memoria flash 3D NAND está experimentando un crecimiento significativo en Asia Pacífico, estimado para alcanzar USD 15 mil millones en 2032. Asia Pacífico, en particular países como China, Japón, Corea del Sur y Taiwán, es el hogar de algunas de las mayores empresas de fabricación de semiconductores del mundo. Las inversiones significativas en la región de la región han dado lugar a avances tecnológicos en la NAND 3D, mejorando el rendimiento, la capacidad y la rentabilidad.

La infraestructura de fabricación avanzada de Japón garantiza una producción de alta calidad de memoria flash 3D NAND. El compromiso del país con la ingeniería de precisión y el control de calidad ayuda a mantener su ventaja competitiva. Por ejemplo, en abril de 2024, Kioxia, con sede en Japón, anunció su plan de producir en masa la memoria 3D NAND con más de 1.000 capas para 2031.

En abril de 2024, Samsung con sede en Corea del Sur anunció su plan para desarrollar un producto 3D NAND de 10 generaciones con más de 400 capas. Del mismo modo, Compatriot SK Hynix produce memoria NAND de 238 capas de masa, mientras que Kioxia Holdings produce memoria NAND de 162 capas de masa.

El despliegue de redes 5G en toda América del Norte está impulsando la demanda de soluciones de almacenamiento de alta capacidad y alta velocidad. Los dispositivos y servicios habilitados para 5G generan " grandes volúmenes de datos, necesitando tecnologías avanzadas de almacenamiento como la memoria flash 3D NAND.

Mercado de memoria flash 3D NAND Share

Samsung Electronics Co., Ltd. y Northrop Grumman Corporation juntos celebraron más del 15% de cuota de mercado de la industria de memoria flash 3D NAND en 2023. Samsung Electronics Co., Ltd., con sus tecnologías innovadoras, fuertes capacidades de fabricación e inversiones estratégicas, se ha establecido como una fuerza dominante en la industria semiconductora.

Micron Technology es uno de los mayores fabricantes de soluciones de memoria y almacenamiento a nivel mundial, desempeñando un papel crítico en el avance de las tecnologías de memoria, incluyendo la memoria flash 3D NAND. La empresa ha estado a la vanguardia de desarrollar avanzada arquitectura 3D NAND, que apila las células de memoria verticalmente para aumentar la densidad de almacenamiento y mejorar el rendimiento.

3D NAND Flash Memory Market Companies

Los principales jugadores que operan en la industria de memoria flash 3D NAND son:

• Samsung Electronics Co., Ltd.
• Micron Technology, Inc.
• SK Hynix Inc.
• Intel Corporation
• Kioxia Corporation
• Western Digital Corporation
• Nanya Technology Corporation

3D NAND Flash Memory Industry News

• En octubre de 2023, Tokyo Electron, una empresa con sede en Japón, reveló una innovación en la tecnología de memoria flash 3D NAND. Esta innovación, dirigida a aumentar la densidad de almacenamiento, implica un nuevo método para el anclaje de canales en las células de memoria.
• En julio de 2023, Neo Semiconductor lanzó su innovadora tecnología, 3D X-DRAM. Este desarrollo fue la primera serie de células de DRAM 3D NAND-like del mundo, dirigida a resolver el cuello de botella de capacidad de DRAM y reemplazar todo el mercado 2D DRAM. 3D X-DRAM se puede fabricar utilizando el proceso de memoria flash 3D NAND existente con cambios menores, reduciendo significativamente el tiempo y coste gastado desarrollando un nuevo proceso 3D.

El informe de investigación del mercado de memoria flash 3D NAND incluye una cobertura profunda de la industria con estimaciones " en términos de ingresos (USD millones) de 2024 a 2032, para los siguientes segmentos:

Mercado, por tipo

• Celda de nivel único
• Celda multinivel
• Celda de nivel triple

Mercado, por aplicación

• Cámara
• Laptops y PCs
• Smartphones & tabletas
• Otros

Mercado, por fin uso

• Automoción
• Consumer electronics
• Enterprise
• Salud
• Otros

La información anterior se proporciona a las siguientes regiones y países:

• América del Norte
  • EE.UU.
  • Canadá
• Europa
  • Alemania
  • UK
  • Francia
  • Italia
  • España
  • El resto de Europa
• Asia Pacífico
  • China
  • Japón
  • India
  • Corea del Sur
  • ANZ
  • El resto de Asia Pacífico
• América Latina
  • Brasil
  • México
  • El resto de América Latina
• MEA
  • UAE
  • Arabia Saudita
  • Sudáfrica
  • Rest of MEA