Silicon Carbide Semiconductor Devices Marktgrößenbericht 2034

Silicon Carbide Halbleiter-Geräte Marktgröße

Der globale Siliziumkarbid-Halbleiter-Gerätemarkt wurde 2024 auf 2,1 Mrd. USD geschätzt und wird bis 2034 mit einem CAGR von 25,9% auf 21 Mrd. USD wachsen. Das Wachstum der Siliziumkarbid-Halbleitergeräteindustrie wird von den Schlüsselfaktoren wie der Nachfrageschub für Elektrofahrzeuge, der zunehmenden Anwendung von Siliziumkarbid-Halbleitergeräten in Luft- und Verteidigungsanwendungen sowie der wachsenden Anzahl von Netzmodernisierung und erneuerbaren Energieprojekten angetrieben.

Es steigt die Neigung zur Einführung von Elektrofahrzeugen, die einen positiven Einfluss auf das Wachstum der Siliziumkarbid-Halbleitergeräteindustrie zeigen. Es besteht zunehmend Bedarf an kompakter, effizienter und hitzebeständiger Leistungselektronik, die ihre Batteriesysteme, elektrische Antriebsstrange und Ladeinfrastruktur verwalten. Daher sind SiC-Halbleiter kritische Bauteile, die in den Antriebsstrangen von EVs innerhalb der Wechselrichter, DC-DC-Wandler und Bordladegeräte eingesetzt werden. Außerdem sind verbesserte Wärmebeständigkeit, steigende Schaltfrequenzen und hohe Durchbruchspannung mehrere Eigenschaften, die zu einer höheren Fahrzeugeffizienz und einem größeren Fahrbereich führen. Nach Angaben der Internationalen Energieagentur (IEA) wurden im Jahr 2024 weltweit fast 16.6 Millionen Elektroautos verkauft, was einen Anstieg von 13,7 Millionen Elektroautos im Jahr 2023 darstellt. Somit ist der Anstieg von Elektroautos direkt mit der Nachfrage nach Siliziumkarbid-Halbleitergeräten verbunden, was wiederum das Marktwachstum weltweit beschleunigt.

Darüber hinaus führt die zunehmende Anzahl von Netzmodernisierungs- und Erneuerbare-Energie-Projekten zu einem Anstieg der Einführung von Siliziumkarbid-Halbleitergeräten. Die Einbindung von SiC-Halbleitern in Leistungsumwandlungssysteme verbessert ihre Effizienz und Zuverlässigkeit, insbesondere bei der Integration erneuerbarer Energiequellen wie Wind und Solar in das Netz. Die Nutzung von SiC-Technologien erhöht die Leistung von mittleren Spannungs-Leistungs-Umwandlungssystemen, die in der effektiven Verteilung und Speicherung von elektrischer Energie von grundlegender Bedeutung sind. Die Verbreitung von SiC-Leistungshalbleitern sowie die batterieerneuerbaren Energieprojekte beschleunigen die Umsetzung dieser Systeme in verschiedenen Branchen. Zum Beispiel, im März 2025, TS Conductor kündigte ihre Pläne, eine neue Produktionsanlage in Hardeeville, South Carolina, die in der Nähe des Hafens von Savannah. Das 134 Mio. USD-Projekt ist Teil der laufenden Netzmodernisierungsbemühungen, die steigende Nachfrage nach Stromleitungen mit hoher Kapazität zu decken. Die Anlage wird fortschrittliche Leiter produzieren, die die Netzübertragungsfähigkeit erhöhen und gleichzeitig die Zuverlässigkeit und Effizienz steigern sollen. Das Projekt steht im Einklang mit größeren Initiativen zur Aktualisierung des amerikanischen Stromsystems, das durch eine verstärkte heimische Produktion und den wachsenden Bedarf an Strom aus künstlichen Intelligenz-Datenzentren gefördert wird. Mit Hilfe der TS Conductor-Technologie können Versorgungsunternehmen die Übertragungskapazität erhöhen und die Netzfestigkeit gegenüber starken Wetterbedingungen verbessern. Der Fokus auf die Einführung nachhaltiger Energielösungen getrieben die Nachfrage nach SiC-Halbleitergeräten aufgrund ihrer zentralen Rolle bei der Steigerung der Effizienz und Zuverlässigkeit zeitgenössischer Energiesysteme.

Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Trends

• Das Wachstum in Hochvolt-Hochladenetzen ist der Haupttrend, der eine Wachstumstrajektorie des globalen Marktes darstellt. Die Technologie von Siliziumkarbid spielt eine wichtige Rolle bei der Weiterentwicklung der schnellen Schnellladestationen, die zur Verbesserung der Effizienz notwendig sind, mit denen Elektrofahrzeuge (EV) gewartet und eingesetzt werden. SiC-Halbleiter besitzen neben erhöhter Durchbruchsspannung, hoher Schaltgeschwindigkeit und geringer Widerstand gegenüber Silizium-basierten Geräten eine überlegene Wärmeleitfähigkeit. Diese chararacteristics machen SIC-Konverter bei der Stromumwandlung effizienter und reduzieren Energieverluste in High-Power-Anwendungen wie EV schnelle Ladegeräte.
• Darüber hinaus die Verwendung von Siliziumkarbid-Halbleitergeräten in aufstrebenden Anwendungen in Urban Air Mobility (UAM) und Elektroschiffen. Die Leistungseffizienz und die Leistungsdichte der SiC-Technologie sind für diese Anwendungen gegenüber der herkömmlichen Silizium-basierten Technologie überlegen. Für UAM benötigen elektrische vertikale Start- und Landung (eVTOL)-Flugzeuge eine effiziente, kompakte, gewichtsarme Leistungselektronik, um Hochvolt-Betriebe unter extremen Bedingungen zu verwalten. SiC-Geräte sind in der Lage, höhere Schaltfrequenzen mit größeren Leistungsdichten bei höheren Betriebstemperaturen zu integrieren, was für die eVTOL-Systeme von Vorteil ist. Daher helfen diese Faktoren, Leistung, Reichweite und Gewicht zu verbessern, das für die Lösungen für UAM unerlässlich ist, was das Marktwachstum mit einer erheblichen Rate beschleunigt.
• Darüber hinaus ist die steigende Neigung zu effizienten Rechenzentren und Cloud Computing ein weiterer wichtiger Trend, der zu einer schnellen Markterweiterung führt. SiC Kühler benötigen deutlich weniger Energie, um mit voller Kapazität zu arbeiten, so dass SiC-Technologie sehr effektiv. Wie andere Rechenzentren hat diese drastisch reduziert es sind Energiekosten, Betriebskosten und Ressourcennutzung. Sie eignen sich im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-basierten Geräten besser für hohe Leistungsanforderungen. Mit zunehmender Nutzung der Cloud wollen Rechenzentren den Energieeinsatz mit erhöhten Arbeitsbelastungen ausgleichen. Diese Herausforderung kann durch SiC Semiconductors gelöst werden, da sie effizientere Stromumwandlungs- und Wärmemanagementsysteme einsetzen, was zu einer erhöhten Leistung und Zuverlässigkeit führt. Das wachsende Interesse an einer effizienten Stromnutzung in Rechenzentren und Cloud-Computing-Einrichtungen beschleunigt daher den Einbau von SiC-Halbleiter-Geräten in die Industrie.

Silicon Carbide Semiconductor Devices Marktanalyse

Basierend auf dem Bauteil wird der Markt in schottky Dioden, FET/MOSFET-Transistoren, integrierte Schaltungen, Gleichrichter/Dioden, Leistungsmodule und andere segmentiert.

• Das Segment Power Module belief sich 2024 auf 581 Mio. USD. Das Segment expandiert, weil die SiC-Leistungsmodule kleinere und leichtere Leistungssysteme durch die Senkung der Kühlanforderungen ermöglichen. Dabei gewinnen die Leistungsmodule hohe Beliebtheit in Elektrofahrzeugen, Unterhaltungselektronik und tragbaren Leistungssystemen. Auch die weit verbreitete Einführung von Elektrofahrzeugen treibt die Produktion von Hochgeschwindigkeits-Elektro-Ladeinfrastruktur voran. Der aufladbare Verbrauch für SiC-Strommodule an ultraschnellen Ladestationen (über 800V) ist ohne oder sehr lesbare Energieverschwendung tragbar.
• Integrierte Schaltkreise waren das am schnellsten wachsende Segment, das im Jahr 2034 voraussichtlich 2,3 Milliarden USD erreichen dürfte. Es gibt eine rasche Verbreitung der 5G-Infrastruktur, und die zunehmende industrielle Automatisierung weckt die Nachfrage nach SiC-ICs. Darüber hinaus ist der zunehmende Einsatz von Infrastrukturen, die erneuerbare Energiequellen unterstützt, ein weiterer wichtiger Markt für integrierte Schaltungen von SiC-Halbleitern, wie sie für Netzumbau, Solarinverter, Windenergieanlagen und Energiespeicheranwendungen verwendet werden.

Basierend auf der Wafergröße wird der Siliziumkarbid-Halbleiter-Gerätemarkt in 1 Zoll auf 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll aufgeteilt.

• Das Segment 6 Zoll wird voraussichtlich im Jahr 2024 55,7% des Weltmarktes ausmachen, da 6-Zoll-SiC-Wafer eine bessere Ausbeute pro Wafer und geringere Produktionskosten pro Gerät bereitstellen, was zu geringeren Kosten für Hersteller im Vergleich zu 4-Zoll-Wafern führt. Auch werden 6 Zoll-Wafer häufiger verwendet, um Hochspannungs-, energieeffiziente SiC-Komponenten für energiekonzentrierte Ladeanwendungen mit der Zunahme von EFI-Ladestationen für EVs herzustellen. Darüber hinaus gibt es eine Verlagerung des Marktes auf die Verwendung von 6 Zoll Wafer, um Größenvorteile zu gewinnen, die die Verwendung in der Automobil- und Erneuerungsindustrie erhöhen, wiederum beschleunigt das Segmentwachstum weltweit.
• Das Segment 8 Zoll entfiel auf CAGR von 31,3% im Jahr 2025-2034. Die 8-Zoll-Wafer sind aufgrund der größeren Oberfläche kostengünstiger, was eine höhere Anzahl von Chips pro Wafer ermöglicht, wodurch die Kosten pro Gerät gesenkt und die finanzielle Durchführbarkeit der SiC-Technologie verbessert wird. Die SiC-Halbleiter werden in den Anwendungen über 600V umfangreich eingesetzt. Die verbesserte Leistung dieser Leistungsmodule, die für EV Schnellladegeräte, Netzanlagen und Industriemaschinen verwendet werden, wird durch die hohe Leistung der Leistungsmodule mit der größeren Größe des Wafers über den Silizium ermöglicht. Darüber hinaus gibt es eine signifikante Zunahme der wirtschaftlichen Ausgaben und Partnerschaften, die auf die Verbesserung der Supply-Chain-Resilienz ausgerichtet sind, was zu großen Halbleiterherstellern führt, die die Produktionskapazität der 8 Zoll Wafer erhöhen.

Der Siliziumkarbid-Halbleiter-Gerätemarkt wird auf Basis des Produkts in optoelektronische Geräte, Leistungshalbleiter und Frequenzeinrichtungen segmentiert.

• Das Segment Frequenzgeräte dominierte die Marktrechnung von 885,2 Mio. USD im Jahr 2024. Die Luft- und Raumfahrt-, Verteidigungs- und Rundfunkindustrien nutzen SiC-Geräte, die aufgrund ihrer Kapazität bei hohen Leistungs- und Frequenzbedingungen Funkfrequenzkomponenten aufweisen. SiC bietet auch Geräte mit hoher Geschwindigkeit und Leistungsfähigkeit, da im Gegensatz zu Silizium, da sie eine bessere Durchbruchspannung, eine höhere Bandap und eine größere Wärmeleitfähigkeit haben, die das Segmentwachstum fördert. Darüber hinaus führt die Verbreitung neuer Technologien wie Wi-Fi 6, Satelliten-Internet und Ultra-wideband (UWB) zu einer starken, stabilen Datenübertragung, die von SiC-Frequenzgeräten unterstützt wird, zu einer erheblichen Steigerung der Nachfrage nach Frequenzgeräten.
• Das Segment Optoelektronische Geräte wird während der Prognosezeit bei einem CAGR von 31,1% wachsen. SiC optoelektronische Geräte wie LEDs, Laserdioden und Photodetektoren sind hoch robust, so dass diese Geräte in extremen Temperaturen und Umgebungen mit hoher Strahlung funktionieren, was diese Geräte ideal für den Einsatz in Luft- und Raumfahrt und Verteidigung sowie industrielle Anforderungen macht. Der Anstieg des Datenverbrauchs sowie die Notwendigkeit einer schnelleren Datenübertragung treibt die Implementierung von SiC-basierten Photodetektoren und Laserdioden in Kommunikationsnetzen für Glasfasern an. Darüber hinaus werden auf SiC-Basis medizinische bildgebende Geräte, Biosensoren und diagnostische Geräte eingesetzt, die eine verbesserte Leistung bei Präzisionserkennungs- und Überwachungsanwendungen bieten.

Basierend auf Endverbraucher wird der Siliziumkarbid-Halbleiter-Gerätemarkt in Automobil-, Energie- und Leistungs-, Unterhaltungselektronik, Luft- und Raumfahrt & Verteidigungs-, Medizin-, Daten- & Kommunikations-Geräte und andere veredelt.

• Das Automotive-End-Nutzersegment dominierte den Markt, was im Jahr 2024 auf 707.1 Mio. USD aufgrund der steigenden Nutzung von SiC-Geräten, die Antriebskräfte effizienter machen, Energieverschwendung minimieren und die Lebensdauer der Batterie erhöhen würde, die mit den aufstrebenden Trends von EVs und HEVs integriert ist. Auch die Gesamtsystemleistung steigt mit Reichweite aufgrund höherer Schaltfrequenzen und geringerer Energieverluste mit SiC-Leistungsmodulen und Wechselrichtern. Darüber hinaus erfordern die zunehmende Übernahme strenger Emissionsnormen und Anreize für den Einsatz von EVs eine modernisierte Automatisierung, die kraftstoffeffizient ist und geringere CO2-Emissionen auf Autohersteller integriert, den Fokus auf den Einsatz von SiC-Technologie verschoben hat, was wiederum die Nachfrage nach Siliziumcarbid-Halbleitergeräten im Automotive-Endbenutzersegment erhöht.
• Der Energie- und Energiemarkt wird voraussichtlich während des Prognosezeitraums ein Höchstwachstum verzeichnen, das 2025 bis 2034 bei einem CAGR von 28% zunimmt. SiC-Komponenten sind entscheidend für die Integration von Smart Grids in überholte Infrastrukturen, die von Energieversorgern und Regierungen aufgerüstet werden, um eine effektive Verwaltung von Strom, Spannungsregelung und minimierte Übertragungsverluste zu gewährleisten. Reduzierung des Energieverbrauchs durch die geringeren Schaltverluste von SiC und größere Toleranz gegenüber erhöhten Temperaturen helfen bei der Erreichung von Nachhaltigkeitszielen. Darüber hinaus verlagern die Incentivisierungspaare für die Energieversorgung und die industrielle Compliance mit steigender Annahme von Standards, die darauf abzielen, die Effizienz zu steigern, sowie die Politiken, die die Einführung von sauberer Energie vorantreiben, ihren Fokus auf die SiC-Technologie, die das Wachstum der Energie und Energie auf dem Markt beschleunigt.

Im Jahr 2024 belief sich der US-Markt für Siliziumkarbid-Halbleiter auf 505,9 Mio. USD. Die USA haben einen großen Anstieg der Nachfrage nach Siliziumkarbid-Halbleitergeräten (SiC) durch multifaktorielle Innovationstechnologie und strategische nationale Ziele erlebt. In den USA nimmt die Elektrofahrzeuge (EVs) zunehmend zu, da amerikanische Automobilhersteller wie Tesla, Ford und General Motors schnell SiC-Power-Elektronik einsetzen, um Energieeffizienz zu steigern, Stromumwandlungsverluste zu reduzieren und die Leistung ihrer Fahrzeuge weiter zu steigern. Diese Technologien in Halbleitern verbessern die Konstruktion von Elektroantrieben deutlich, die die Entwicklung von kompakteren, leichteren und hochenergieeffizienten Fahrzeugsystemen erleichtern, die wichtige Verbrauchererwartungen hinsichtlich Reichweite und Ladeleistung angehen. Darüber hinaus gewinnt die Verwendung von SiC-Halbleitern die Traktion im Militär und Verteidigung. Die Luft- und Raumfahrt- und Militärfelder nutzen auch „hi-tech“ Halbleitergeräte, die unter rauen Umweltbedingungen eingesetzt werden, was zur regionalen Markterweiterung beiträgt.

Deutschland Silicon Carbide Semiconductor Der Markt für Geräte wird voraussichtlich während der Prognosezeit bei einem CAGR von 28% wachsen. Der deutsche Markt wird durch den steigenden Bedarf an unterschiedlichen Industrien für hochperformierende Leistungselektronik verstärkt. Eigenschaften wie hohe Wärmeleitfähigkeit und Spannungsfestigkeit, führende SiC-Geräte ideal für verschiedene Anwendungen, die überlegene Leistung erfordern. Darüber hinaus ist das Wachstum des Sektors Erneuerbare ein weiterer Faktor, der die Nachfrage von SiC-Halbleiter-Geräten festlegt. Die starke Energiewende-Politik des Landes erfordert erhebliche Ausgaben für Wind- und Solarenergie sowie für die Modernisierung des Netzes, die eine neue Marktchance für fortschrittliche Leistungselektronik in den erwarteten Jahren bietet.

Der China-Markt wird im Prognosezeitraum bei einem CAGR von 28,2% wachsen. Faktoren wie erneuerbare Energieintegration und schnelles Eindringen von Unterhaltungselektronik wie Smartphones, Tablets, Laptops und anderen elektronischen Geräten. Auch die Nachfrage nach SiC-Halbleitern hat zugenommen, was die Effizienz von EV-Antriebs- und Ladesystemen aufgrund der schnellen Entwicklung des Elektrofahrzeugmarktes in China verbessert. Darüber hinaus haben die wachsenden Investitionen von der Zentralregierung und staatlichen Subventionen zur Verbesserung der chinesischen Halbleiterindustrie dazu beigetragen, die SiC-Technologie zu verbessern, was wiederum Wachstumschancen für die Markterweiterung während des geschätzten Zeitraums nutzt.

Im Jahr 2024 soll Japan einen Anteil von 16,1 % des Marktes für Siliziumkarbid-Halbleitergeräte in Asien-Pazifik ausmachen. Mehrere Faktoren wie die Entstehung fortschrittlicher Technologien, die industrielle Automatisierung und die Regierungsstrategie treiben Japans Nachfrage nach Siliziumcarbid (SiC) Halbleiter-Geräten. Darüber hinaus ist das starke Elektronik-Produktions-Ökosystem des Landes ein weiterer wichtiger Treiber für die Annahme von SiC-Halbleitern. Die japanischen elektronischen Unternehmen nutzen nach und nach SiC-Geräte in Hochleistungs-Computing, Telekommunikationsinfrastruktur und fortschrittlichen Industrieanlagen, die auf das Wachstum des regionalen Marktes mit einer erheblichen Rate zurückzuführen sind.

Der Südkorea-Markt entfiel 2024 auf 1 Mrd. USD. Südkorea wird mit der schnellen Rolle aus 5G-Technologie, die hohe Leistungshalbleiter benötigt, um die höheren Daten- und Frequenzmengen zu verwalten. Die fortgeschrittenen Telekommunikationsnetze benötigen die unterstützende Infrastruktur, die von SiC-Geräten bereitgestellt wird. Darüber hinaus investiert das südkoreanische Halbleiterbau-Ökosystem unter der Leitung von Global Powerhouses Samsung und SK Hynix stark in die Forschung und Produktion von SiC-Geräten. Die Regierungsstrategien, einschließlich der Unterstützung von Forschungsinitiativen, der technologischen Entwicklung und der politischen Incentivisierung, erhöhen die heimische SiC-Halbleiterversorgungskette, die Wachstumsaussichten für die südkorea-Siliziumcarbid-Halbleitergeräteindustrie zeigt.

Silicon Carbide Semiconductor Devices Marktanteil

Der Siliziumcarbid (SiC) Halbleiter-Gerätemarkt wird konsolidiert. Es gibt nur wenige konzentrierte Marktteilnehmer aufgrund von hohen Investitions- und Technologieanforderungen in den Bereichen SiC-Waferproduktion, Gerätefertigung sowie R&D. Unternehmen wie Wolfspeed, Infineon Technologies und STMicroelectronics haben eine beachtliche Präsenz auf dem Markt und halten höchste Marktanteile von fast 48,7%. Diese Unternehmen haben einen Wettbewerbsvorteil aufgrund ihrer eigenen Technologien sowie der Nutzung der vertikalen Integration. Ihre Positionen werden auch durch langfristige Lieferverträge und Partnerschaften mit Automobil- und erneuerbaren Energieunternehmen gestärkt.

Der Markt für Siliziumkarbid-Halbleiter-Geräte entwickelt sich kontinuierlich mit neuen Produktinnovationen, die auf die Entwicklung von Siliziumkarbid-Wafer-Funktionen zugeschnitten sind. So stellte AIXTRON SE im September 2022 sein neues G10-SiC 200 mm-System für die hochvolumige Produktion der neuesten Generation von Siliziumcarbid ("SiC")-Leistungsgeräten auf 150/200 mm SiC-Wafern vor. Die International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) gab diese Hochtemperatur-CVD-Technologie bekannt, die Innovationen auf das nächste Level treibt. SiC, ein Material mit einem breiten Bandspalt, wird zu einer gemeinsamen Technologie für effektive Leistungselektronik. SiC unterstützt den Klimaschutz, indem sie maßgeblich zur Dekarbonisierung unserer heutigen Gesellschaft beiträgt.

Wolfspeed vertikal integriertes Siliziumkarbid führendes Unternehmen als die Umstellung von Silizium auf Siliziumkarbid in Komponenten und Geräten. Das Unternehmen Portfolio umfasst Siliziumkarbid-Material, Power-Module, diskrete Power-Geräte und Power-Die-Produkte, die zur Verbesserung von Automobilen, Flugzeugen, erneuerbaren Energiequellen, Rennteams, Städten und vielen anderen Anwendungen beitragen.

STMicroelectonics ist einer der Branchenführer in SiC mit einem beträchtlichen Portfolio an wichtigen Patenten und 25 Jahren Engagement für Forschung und Entwicklung. Als Standort der größten R&D- und Fertigungsanlagen von SiC ist Catania seit langem ein wichtiger Standort für ST's Innovation und unterstützt effektiv bei der Schaffung neuer Methoden zur Schaffung von mehr und besseren SiC-Geräten. STMicroelectonics Portfolio umfasst STPOWER SiC MOSFETs, die in der Branche bei 200 °C die höchste Temperaturklasse für effektivere und unkomplizierte Designs haben, und STPOWER SiC Dioden, die Schaltverluste aufweisen, die vernachlässigbar sind und eine 15% niedrigere Vorwärtsspannung (VF) als herkömmliche Siliziumdioden.

Silicon Carbide Semiconductor Devices Market Companies

Führende Unternehmen in der Siliziumcarbid-Halbleiter-Geräte-Industrie umfassen:

• Wer ist da?
• STMicroelectronics
• Infineon Technologies
• Onsemi
• ROHM Halbleiter

Silicon Carbide Semiconductor Devices Industry News

• Im März 2025 gründete RFMW, eine Division der Exponential Technology Group, Inc., eine strategische Partnerschaft mit CoolCAD Electronics, um ihre Linie von High-Power- und High-Spannungs-Siliziumcarbid (SiC) Halbleiterbauelementen zu erweitern. Dieser Vertrag verbessert die Fähigkeit von RFMW, Kunden mit modernsten breiten Bandgap-Lösungen zu versorgen, was eine erhöhte Effizienz, Leistung und Zuverlässigkeit in Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen ermöglicht. CoolCAD's breite Bandgap-Siliziumcarbid (SiC) Halbleitertransistoren und integrierte Schaltungen (ICs) werden von RFMW im Rahmen dieser Zusammenarbeit verteilt.
• Im Februar 2025, Infineon Technologies Der Plan der AG für Siliziumkarbid (SiC) bei 200 mm hat sich deutlich weiterentwickelt. Die in Villach, Österreich produzierten Geräte bieten erstklassige SiC-Stromtechnik für Hochspannungsanwendungen wie Elektrofahrzeuge, Züge und erneuerbare Energiequellen. Darüber hinaus ist Infineon im Zeitplan, um von 150-Millimeter-Wafern auf die größeren und effektiveren 200-Millimeter-Durchmesser-Wafer in seiner Fertigungsstätte in Kulim, Malaysia, umzuschalten.
• Im Juni 2024 hat ROHM Co. Ltd., ein in Japan ansässiger Hersteller von Leistungshalbleitern, den EcoSiC-Namen als Marke für Siliziumcarbid (SiC)-Geräte eingeführt. Die EcoSiC-Marke-Start zielt darauf ab, eine Reihe von strategischen Zielen zu erreichen, einschließlich gesteigerter Leistung, Nachhaltigkeit und technologischer Innovation. Das EcoSiC-Logo ist Bestandteil der Markenidee "Power Eco Family" von ROHM, die die Effizienz und Kompaktheit elektronischer Anwendungen optimieren und gleichzeitig eine günstige Umweltauswirkung erzielen will.

Dieser Marktforschungsbericht für Siliziumkarbid-Halbleitergeräte enthält eine tiefgreifende Erfassung der Industrie mit Schätzungen und Prognosen in Bezug auf Umsatz (USD Million) von 2021 bis 2034, für die folgenden Segmente:

Markt, by Component

• Schottky Dioden
• FET/MOSFET-Transistoren
• Integrierte Schaltungen
• Gleichrichter / Dioden
• Leistungsmodule
• Sonstige

Markt, von Wafer Größe

• 1 Zoll auf 4 Zoll
• 6 Zoll
• 8 Zoll

Markt, nach Produkt

• Optoelektronische Geräte
• Leistungshalbleiter
• Frequenzgeräte

Markt, Durch Endverwendung

• Automobilindustrie
• Energie und Energie
• Verbraucherelektronik
• Luft- und Raumfahrt
• Medizinische Geräte
• Daten- und Kommunikationsgeräte
• Sonstige

Die vorstehenden Angaben sind für die folgenden Regionen und Länder angegeben:

• Nordamerika
  • US.
  • Kanada
• Europa
  • Vereinigtes Königreich
  • Deutschland
  • Frankreich
  • Italien
  • Spanien
  • Russland
• Asia Pacific
  • China
  • Indien
  • Japan
  • Südkorea
  • ANZ
• Lateinamerika
  • Brasilien
  • Mexiko
• MENSCHEN
  • VAE
  • Saudi Arabien
  • Südafrika