Next-Generation Speicher Markt Größe

Die Größe des Next-Generation Memory Market wurde im Jahr 2023 auf über USD 6,7 Milliarden geschätzt und wird geschätzt, eine CAGR von über 24.8% zwischen 2024 und 2032 zu registrieren. Das zunehmende Interesse an IoT-Geräten treibt die Markterweiterung voran.

IoT-Geräte produzieren Big Data, die effektiv gespeichert und analysiert werden müssen, wodurch sich eine steigende Anforderung an fortschrittliche Speichertechnologien ergibt. Next-gen-Speicherlösungen bieten viele Vorteile, wie ihre kompakte Größe und große Datenspeicherkapazität und geringen Stromverbrauch, die auf IoT-bezogene Bedürfnisse und Anwendungen wie Smart Meter und vernetzte Autos zugeschnitten sind.

Dieser Speichermarkt der nächsten Generation hat als Reaktion auf die steigende Nachfrage nach nichtflüchtigen Speicherprodukten ein erhebliches Wachstum erlebt. Kritische Anwendungen, die eine konstante Speicherung erfordern, wie z.B. Unternehmensspeicher, Rechenzentren, Automotive-Elektronik & IoT-Geräte bevorzugen keinen flüchtigen Speicher, da sie beim Ausschalten von Strom keine Daten speichern. Vor herkömmlichen nichtflüchtigen Speichern wie NAND Flash & Hard Disk Drives (HDDs) sind Speichertechnologien der nächsten Generation einschließlich Resistive RAM (ReRAM), Phase-Change Memory (PCM) und Magnetic RAM (MRAM) aufgrund ihrer schnelleren Zugriffszeiten, vermindertem Stromverbrauch und höherer Dichte signifikant vorteilhaft.

In der Anstrengung, mit der nächsten Generation Speicher, gibt es viele Probleme. Auch der Wunsch nach schnelleren Geschwindigkeiten, mehr Kapazitäten und geringerem Stromverbrauch in der Speichertechnologie ist teuer. Das ist die Realität, dass die Einführung neuer Technologien in aktuelle Systeme und Normen eine eigene Reihe von Problemen darstellt. Beispielsweise erfordert eine Überwindung von physikalischen Einschränkungen, die in sich aufstrebenden Speichertechnologien wie Phasenänderung oder widersprüchliche zufällige Zugriffsspeicher sind, umfangreiche Forschung und Entwicklung.

Next-Generation Memory Market Trends

High-Performance Computing (HPC) wird zunehmend gefragt, so dass es der primäre Wachstumstreiber auf dem Markt. Aktuelle wissenschaftliche Simulationen, künstliche Intelligenz, tiefes Lernen und Datenanalyse erfordern enorme Mengen an Daten und groß angelegten Verarbeitungskapazitäten. Dies sind Speicher mit höheren Bandbreiten aufgrund ihrer aufstrebenden Technologien, die aus Resistive RAM (ReRAM), Phase-Change Memory (PCM) und Magnetic RAM (MRAM) bestehen.

Sie sind aufgrund dieser Eigenschaften ideal für HPC-Umgebungen. Im November 2023 stellte Altair, eine HPC- und AI-Firma, Altair HPCWorks, eine HPC- und Cloud-Plattform vor. Es verfügt über ein KI-gesteuertes Benutzerportal, das erweiterte HPC-Überwachungs- / Reporting-Tools für eine einfachere Cloud-Skalierung sowie Next-Gen-Distributed Workflow-Tech umfasst.

Datenspeicherung und -verarbeitung sind die prominenten Trends im Speichermarkt der nächsten Generation. Die Nachfrage nach schnelleren Speicherlösungen wurde durch die massiven Datenmengen, die von Big Data, Internet of Things (IoT), Artificial Intelligence (AI), maschinelles Lernen usw. verursacht wurden, getrieben. Diese Lösungen sind effizienter und sparen Energie, um Big Data zu speichern und zu verarbeiten. Im Vergleich zu herkömmlichen Speicherlösungen bieten Speichertechnologien der nächsten Generation wie Resistive RAM (ReRAM), Phase-Change Memory (PCM) und Magnetic RAM (MRAM) sowohl schnelle, langlebige als auch energieverbrauchende Produkte.

Next-Generation Memory Market Analyse

Auf Basis der Speicherwafergröße wird der Markt in 200 mm und 300 mm segmentiert. Das Segment 300 mm hielt 2023 den größten Marktanteil von über 55 %. Zu den Vorteilen des Umzugs auf größere Wafer wie 300mm gehören eine Steigerung der Effizienz bei der Produktion, bessere Ertragsraten und niedrigere Preise für die Herstellung pro Einheit.

Darüber hinaus profitieren neuere Speicher der Generation wie Resistive RAM (ReRAM), Phase-Change Memory (PCM) und Magnetic RAM (MRAM) von den Größenvorteilen über 300mm Waferherstellung, da es höhere Volumina zu erschwinglichen Kosten ermöglicht. Auch durch die Verwendung von 300mm-Domain nehmen Halbleiterhersteller fortschrittlichere Prozessknoten auf und erhalten höhere Chipdichten, die die Leistung verbessern und Speicherkapazitäten in zukünftigen Speichergeräten erhöhen.

Basierend auf der Technologie wird der Speichermarkt der nächsten Generation in nichtflüchtige Speicher und flüchtige Speicher segmentiert. Nichtflüchtige Speicher werden weiter unterteilt in SRAM, magnetoresistiver Zufalls-Access-Speicher, Ferroelectric RAM (FRAM), Resistive Random Access Memory (ReRAM), Nano RAM und andere. Volatile Speicher werden weiter in Hybrid Memory Cube (HMC) und High Bandwidth Memory (HBM) unterteilt. Das nichtflüchtige Speichersegment soll von 2024 bis 2032 einen CAGR von über 26 % registrieren.

Nichtflüchtige Speicherlösungen haben die Fähigkeit, Daten auch beim Ausschalten der Leistung zu speichern, so dass sie für die Speicherung von Daten für Bemühungen wie Fahrzeugelektronik, Enterprise Storage und Internet von Dingen unerlässlich sind. Fortschritte bei nichtflüchtigen Speichertechnologien wie Resistive RAM (ReRAM), Phase-Change Memory (PCM) und Magnetic RAM (MRAM) haben erhöhte Geschwindigkeit und Energieeffizienz sowie Ausdauer gegenüber herkömmlichen nichtflüchtigen Speichern wie NAND Flash und Hard Disk Drives (HDD). Diese Fortschritte entsprechen den wachsenden Anforderungen für eine schnellere Datenspeicherung, Abruf und Verarbeitung in datenintensiven Anwendungen, die von Trends wie Big Data, Artificial Intelligence (AI) und Internet of Things angetrieben werden.

Nordamerika verzeichnete 2023 einen erheblichen Anteil am Speichermarkt der nächsten Generation mit einem Marktanteil von über 36,5%. Die Region zeichnet sich durch ein starkes Ökosystem von Halbleiterfirmen, Forschungsinstituten und Technologieunternehmen aus, die Innovation und Weiterentwicklung in fortschrittlichen Speichertechnologien fördern. Darüber hinaus besteht aufgrund des wachsenden Bedarfs an Edge Computing-Anwendungen, Rechenzentren und High-Performance Computing eine steigende Nachfrage nach schnelleren und leistungseffizienteren Speicherlösungen.

Darüber hinaus hat Nordamerika mehrere Schlüsselakteure in der Halbleiterindustrie wie Intel, Micron Technology und IBM, die stark auf Speicher der nächsten Generation wie MRAM (Magneto resistive Random Access Memory), PCM (Phase-Change Memory) und ReRAM (Resistive Random Access Memory) investieren. Diese Unternehmen arbeiten zusammen mit unternehmerischen Startups neben wissenschaftlichen Institutionen mit einem Ziel der schnellen Vermarktung sowie der Annahme dieser Erfindungen.

Next-Generation Memory Market Share

Samsung und Micron Technology, Inc. hielt einen Anteil von über 18% auf dem Markt im Jahr 2023. Samsung ist ein dominierender Player im Speichermarkt der nächsten Generation, der die Rolle eines Innovationsführers durch seine fortschrittlichen Speichertechnologien übernimmt, die es dem Technologiemarkt bietet. 3D NAND Flash-Speicher, LPDDR5 DRAM und HBM2E sind einige der nächsten Generation Erinnerungen, die Samsung in der Lage, durch seine Halbleiterherstellung Erfahrung zu produzieren.

Micron Technology, Inc. ist aufgrund seiner Expertise in Halbleitern und Speicherlösungen ein wichtiger Player im Speichermarkt der nächsten Generation. Das Unternehmen beteiligt sich aktiv an der Entwicklung und Vermarktung fortschrittlicher Speichertechnologien wie 3D XPoint, entwickelt zusammen mit Intel als nichtflüchtige Speichertechnologie.

Next-Generation Memory Market Unternehmen

Die wichtigsten Akteure der Speicherindustrie der nächsten Generation sind:

• Samsung
• Micron Technology, Inc.
• Fujian
• SK HYNIX INC.
• Flitterwochen Inc.
• Microchip Technology Inc.
• Everspin Technologies Inc.

Nachrichten der Next-Generation Memory Industry

• Im Mai 2023, Micron Technology, ein Halbleiterunternehmen, kündigte die Herstellung von DRAM, der 1 Gamma-Knoten mit einer Extreme Ultraviolet (EUV) Technologie. Diese Entwicklung erweiterte die Speicherherstellung der nächsten Generation.
• Im August 2022 startete Samsung Petabyte Storage, eine Speichertechnologie der nächsten Generation, um die Effizienz des Rechenzentrums in einer zunehmend datengesteuerten Welt zu maximieren. Die neue Lösung ermöglicht es einer einzigen Servereinheit, mehr als einen Petabyte Speicher zu verpacken, so dass Serverhersteller ihre Speicherkapazität innerhalb desselben Bodenraums mit einer minimalen Anzahl von Servern scharf erhöhen können.

Der Forschungsbericht zum Speichermarkt der nächsten Generation umfasst eine eingehende Erfassung der Industrie mit Schätzungen und Prognosen in Bezug auf Umsatz (USD Million) von 2018 bis 2032, für die folgenden Segmente:

Markt, By Technology, 2018 - 2032

• Nichtflüchtige Memories
  • SRAM
  • Magnet-Resistive Random-Access-Speicher (MRAM)
  • Ferroelektrischer RAM (FRAM)
  • Resistive Random-Access-Speicher (ReRAM)
  • Nano
  • Sonstige
• Freiwillige Memories
  • Hybrid Memory Cube (HMC)
  • Hochleistungsspeicher (HBM)

Markt, By Memory Wafer Größe, 2018 – 2032

• 200 mm
• 300 mm

Markt, Durch Anwendung, 2018 – 2032

• BFSI
• Verbraucherelektronik
• Regierung
• Telekommunikation
• Informationstechnologie
• Sonstige

Die vorstehenden Angaben sind für die folgenden Regionen und Länder angegeben:

• Nordamerika
  • US.
  • Kanada
• Europa
  • Vereinigtes Königreich
  • Deutschland
  • Frankreich
  • Italien
  • Spanien
  • Russland
  • Rest Europas
• Asia Pacific
  • China
  • Indien
  • Japan
  • Südkorea
  • ANZ
  • Rest von Asia Pacific
• Lateinamerika
  • Brasilien
  • Mexiko
  • Rest Lateinamerikas
• MENSCHEN
  • VAE
  • Saudi Arabien
  • Südafrika
  • Rest von MEA