Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs), nach Typ (diskreter IGBT, IGBT-Modul), nach Nennleistung (hohe Leistung, mittlere Leistung, niedrige Leistung), nach Anwendung und Prognose, 2024–2032

Insulated-gate Bipolar Transistoren Marktgröße

Insulated-gate Bipolar Transistoren Der Markt wurde 2023 auf 12,5 Mrd. USD geschätzt und wird zwischen 2024 und 2032 auf eine CAGR von über 10 % geschätzt. Die Einführung von Elektrofahrzeugen (EVs) und Hybridfahrzeugen ist ein bedeutender Wachstumstreiber für den IGBT-Markt aufgrund der integralen Rolle in den Antriebssystemen dieser Fahrzeuge.

IGBTs sind für die Steuerung des Stroms von elektrischer Energie in EV- und Hybridantrieben unerlässlich, was eine effiziente Energieumwandlung und -management ermöglicht. Parallel steigt die Nachfrage nach IGBTs mit steigender Nachfrage nach EVs und Hybriden, wodurch das Marktwachstum getrieben wird. So präsentierte Renesas Electronics im August 2022 eine neue Generation kleiner Hochspannungs-IGBTs, um die Leistungselektronik im Kern der EVs zu verbessern. Diese Geräte haben Stromwerte von bis zu 300 A und können Spannungen von bis zu 1.200 V widerstehen. Autohersteller können Batterieleistung sparen und das Sortiment an EVs erhöhen, indem sie in der AE5-Serie des Unternehmens Strom sparen.

Der Anstieg der Smart Grid-Infrastruktur ist ein bedeutender Wachstumstreiber für den IGBT-Markt aufgrund seiner maßgeblichen Rolle bei der Steigerung der Netzeffizienz, Zuverlässigkeit und Nachhaltigkeit. IGBTs sind integrale Bestandteile in Smart-Grid-Systemen, die die effiziente Übertragung und Verteilung von Strom erleichtern, Stromfluss verwalten und Netzstabilisierung ermöglichen. Die Nachfrage nach IGBTs in der Smart-Grid-Infrastruktur wird mit Ländern weltweit steigen, die in die Modernisierung ihrer Stromnetze investieren, um die Integration erneuerbarer Energien zu ermöglichen und den wachsenden Strombedarf zu decken.

Die Zuverlässigkeits- und Haltbarkeitsbedenken im Zusammenhang mit einer längeren Nutzung stellen eine bemerkenswerte Herausforderung im IGBT-Markt dar. Mit ihrem Einsatz in kritischen Bereichen wie Stromnetzen und Automotive-Systemen können Betriebsstörungen zu erheblichen Ausfallzeiten und Sicherheitsrisiken führen. Darüber hinaus beschleunigen die anspruchsvollen Betriebsbedingungen, einschließlich hoher Temperaturen und elektrischer Spannungen, Verschleiß und Abbau. Dies unterstreicht die Notwendigkeit für strenge Design- und Teststandards, um langfristige Leistung und Zuverlässigkeit zu erhalten.

Insulated-Gate Bipolar Transistoren Markt Trends

Intelligente Netztechnologien nutzen fortschrittliche Leistungselektronik wie IGBTs, in netzgebundenen Wechselrichtern, Spannungsreglern und Leistungsqualitätssystemen. Diese Komponenten ermöglichen eine effiziente Umwandlung, Regelung und Wartung des Stromflusses innerhalb des Netzes. Die Nachfrage nach IGBTs erhöht die Zuverlässigkeit, optimiert die Energieverteilung und integriert erneuerbare Quellen.

IGBTs werden zunehmend in Aerospace und Verteidigung für leichte, leistungsstarke Elektronik eingesetzt. Sie optimieren das Energiemanagement in Flugzeugen, verbessern die Effizienz der Antriebssysteme und verbessern die Fähigkeiten des Radarsystems. Durch ihre Robustheit und Leistungsfähigkeit sind sie für anspruchsvolle Anwendungen geeignet, die fortschrittliche Funktionalitäten ermöglichen und gleichzeitig hohe Anforderungen an Gewicht und Leistung erfüllen, die für den Luft- und Verteidigungsbetrieb in unterschiedlichen Umgebungen unerlässlich sind.

Insulated-Gate Bipolar Transistoren Marktanalyse

Aufgrund der Leistungsfähigkeit wird der isolierte bipolare Transistorenmarkt in hohe Leistung, mittlere Leistung und geringe Leistung segmentiert. Das High-Power-Segment soll bis 2032 über 15 Milliarden USD erreichen.

• Die zunehmende Übernahme von EVs und Hybrid Electric Vehicles (HEVs) erfordert leistungsstarke IGBT-Module für Motorsteuerungs- und Batteriemanagementsysteme. Mit dem globalen Schub in Richtung Fahrzeugelektrifizierung wird erwartet, dass die Nachfrage nach leistungsstarken IGBTs steigt und das Marktwachstum weiter ankurbelt.
• Es besteht ein wachsender Bedarf an hochleistungsfähigen IGBTs in Großumrichtern und Umrichtern, die in netzgebundenen Systemen mit zunehmender Nachfrage nach erneuerbaren Energiequellen wie Wind und Solarstrom eingesetzt werden. Diese Geräte ermöglichen eine effiziente Stromumwandlung und Netzintegration und treiben das Marktwachstum.

Basierend auf Typ wird der Markt in diskretes IGBT- und IGBT-Modul segmentiert. Das diskrete IGBT-Segment soll während des Prognosezeitraums einen CAGR von über 11% registrieren.

• Diskrete IGBTs bieten modulare Designflexibilität, so dass Ingenieure Schaltungen für bestimmte Anwendungen einfach anpassen können. Besonders vorteilhaft ist diese Anpassungsfähigkeit in sich schnell entwickelnden Branchen wie Automotive und erneuerbare Energien, wo unterschiedliche Leistungsanforderungen maßgeschneiderte Lösungen erfordern.
• Diskrete IGBTs werden häufig gewählt, um ältere Technologien, wie MOSFETs und BJTs, durch ihre überlegenen Leistungseigenschaften, wie höhere Leistungsfähigkeiten und schnellere Schaltgeschwindigkeiten, zu ersetzen. Dieser Ersatztrend treibt ein erhebliches Wachstum, da die Industrien ihre Systeme für eine verbesserte Effizienz und Zuverlässigkeit aufrüsten.

Asien-Pazifik dominierte 2023 den globalen IGBT-Markt mit über 40% des Gesamtumsatzes. Der boomende Industriesektor der Region, insbesondere in Ländern wie China, Indien und Japan, treibt die Nachfrage nach IGBTs in verschiedenen Anwendungen wie Motorantriebe, erneuerbare Energiesysteme und industrielle Automatisierung an. Zweitens: Die rasante Urbanisierung und Infrastrukturentwicklung im asiatisch-pazifischen Raum treibt die Notwendigkeit einer fortschrittlichen Leistungselektronik für ein effizientes Energiemanagement und -verteilung. Darüber hinaus stimulieren die unterstützenden Politiken und Investitionen in saubere Energietechnologien das Wachstum des IGBT-Marktes in der Region.

Insulated-gate Bipolar Transistoren Marktanteil

Die Infineon Technologies AG, Ltd. und Renesas Electronics Corporation hielten 2023 einen erheblichen Anteil von über 15% am IGBT-Markt. Die Infineon Technologies AG, ein führendes Halbleiterunternehmen mit Sitz in Deutschland, ist darauf spezialisiert, IGBTs für verschiedene Anwendungen anzubieten. Mit einem umfangreichen Portfolio hochwertiger IGBT-Produkte bietet das Unternehmen vielfältige Branchen wie Automotive, Industrie, Erneuerbare Energien und Unterhaltungselektronik. Seine Lösungen konzentrieren sich auf die Optimierung der Leistungseffizienz, die Verbesserung der Zuverlässigkeit und die Ermöglichung fortschrittlicher Funktionalitäten und tragen so zur Entwicklung energieeffizienter und leistungsstarker elektronischer Systeme weltweit bei.

Renesas Electronics Corporation ist ein führendes Halbleiterunternehmen, das fortschrittliche Lösungen im IGBT-Markt anbietet. Das Unternehmen bietet ein umfassendes Portfolio an IGBT-Produkten, die auf vielfältige Anwendungen wie Automotive, Industrial und Consumer Electronics zugeschnitten sind. Das Angebot umfasst leistungsstarke IGBT-Module, Treiber-ICs und Power Management-Lösungen. Renesas betont Innovation, Zuverlässigkeit und Effizienz in seinen Produkten, die den wachsenden Anforderungen des globalen Marktes gerecht werden.

Insulated-gate Bipolar Transistoren Markt Unternehmen

Hauptakteure der IGBT-Branche sind:

• Infineon Technologies AG
• Mitsubishi Electric Corporation
• NXP Halbleiter
• ON Semiconductor Corporation
• Renesas Electronics Corporation
• Instrumente in Texas
• Toshiba Corporation

Insulated-gate Bipolar Transistoren Industry News

• Im März 2023 führte die Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation die GT30J65MRB, eine 650V diskrete IGBT für Power Factor Correction (PFC) Schaltungen in Klimaanlagen und große Stromversorgungen für industrielle Geräte ein. Der GT30J65MRB ist Toshibas erster IGBT für PFC für den Einsatz unter 60 kHz [6], und es wurde ermöglicht, Schaltverluste (Abschaltverlust) zu senken, um einen höheren Frequenzbetrieb zu gewährleisten.
• Im Januar 2023 kündigte Microchip Technology ein neues umfassendes Hybrid-Drehstrom-Antriebsmodul an, die erste Variante in der neuen Produktlinie von Leistungsgeräten, die in 12 verschiedenen Varianten mit Silicon Carbide (SiC) MOSFETs oder IGBTs zur Verfügung stehen, um den Anforderungen einer integrierten und rekonfigurierbaren Leistungslösung für Luftfahrtanwendungen gerecht zu werden.

Der isolierte bipolare Transistoren Marktforschungsbericht beinhaltet eine eingehende Erfassung der Industrie mit Schätzungen und Prognosen in Bezug auf Umsatz (USD Million) von 2021 bis 2032, für die folgenden Segmente:

Markt, nach Typ

• Diskont IGBT
• IGBT Modul

Markt, nach Leistungsbewertung

• Hohe Leistung
• mittlere Leistung
• Niedrige Leistung

Markt, nach Anwendung

• Energie und Energie
• Verbraucherelektronik
• Inverter & UPS
• Elektrisches Fahrzeug
• Industriesystem
• Sonstige

Die vorstehenden Angaben sind für die folgenden Regionen und Länder angegeben:

• Nordamerika
  • US.
  • Kanada
• Europa
  • Deutschland
  • Vereinigtes Königreich
  • Frankreich
  • Italien
  • Spanien
  • Rest Europas
• Asia Pacific
  • China
  • Indien
  • Japan
  • Südkorea
  • ANZ
  • Rest von Asia Pacific
• Lateinamerika
  • Brasilien
  • Mexiko
  • Rest Lateinamerikas
• MENSCHEN
  • VAE
  • Saudi Arabien
  • Südafrika
  • Rest von MEA