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High-k und ALD/CVD Metall Precursor Markt Die Größe lag 2015 über 220 Mio. USD, sie soll bis 2024 USD 950 Mio. übersteigen, mit 17,8% CAGR über die Prognosezeit.
Wichtige Prozessentwicklungsinitiativen und eine hohe Nachfrage nach verbesserten Halbleiterbauelementen werden in den kommenden Jahren die Marktgröße von High-k und ALD/CVD-Metallvorläufern steigern. Phase-Change Materials (PCM) wurden durch physikalische Aufdampftechniken oder andere Sputterverfahren abgeschieden. Diese sind im Hinblick auf die Gleichmäßigkeit der Ablagerung inhärent schwach. Daher haben alternative Abscheideverfahren wie MOCVD die Nachfrage getrieben, was vor allem auf die Vorteile der industriellen Skalierung und der kompositorischen Kontrolle zurückzuführen ist.
Die zunehmende oberflächentopographische Komplexität in Verbindung mit einem hohen Aspektverhältnis hat dazu geführt, dass gto eine gleichmäßige Abdeckung auf der dünnen Filmoberfläche beibehält. Innovative Materialien und Nanotechnologie-Geräte-Methoden haben Verbesserungen gesehen, die Entwicklungsbemühungen unterstützen werden. Die industrielle Anwendung im LED-Raum stellt ein erhebliches Wachstumspotenzial dar. Langsam dünne Filmbildungsrate kann die Größe der Industrie über die prognostizierte Zeitlinie behindern.
Berichtsattribute | Details |
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Basisjahr: | 2015 |
High-k Size in 2015: | 220 Million (USD) |
Prognosezeitraum: | 2016 to 2024 |
Prognosezeitraum 2016 to 2024 CAGR: | 17.8% |
2024Wertprojektion: | 965 Million (USD) |
Historische Daten für: | 2013 to 2015 |
Anzahl der Seiten: | 88 |
Tabellen, Diagramme & Abbildungen: | 66 |
Abgedeckte Segmente | Technologie und Region |
Wachstumstreiber: |
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Fallstricke und Herausforderungen: |
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Interconnects führte die globale Nachfrage im Jahr 2015 mit über 45% des Marktanteils von High-k und ALD/CVD-Metallvorläufern im selben Jahr. Nicht-planar-Transistoren und neue Speichertechnologien sollen Chancen für Dünnschicht-Materiallieferanten erweitern, um Fertigungsprozesse und Marktzeit zu beschleunigen.
Der Marktanteil von High-k-Metall-Gate-Vorläufern wird von 2016 bis 2024 mit über 22% CAGR-Schätzungen wachsen. Diese weisen ein erhebliches Potential für die Ablagerung von Siliziumoxid im 65 nm CMOS-Technologieraum auf. Die wichtigsten Anforderungen sind die thermische und chemische Stabilität, eine hohe Dielektrizitätskonstante und hohe Bandversatz mit Elektroden. Weitere wünschenswerte Eigenschaften sind die Kompatibilität mit dem Gate-Elektrodenmaterial und der Interface-Zustandsdichte. Wesentlicher Bedarf an einer Timeline und einer genauen Übersetzung großer Inhalte wird die Nachfrage in verschiedenen Technologiebranchen vorantreiben.
China-Metall-Vorläufer-Marktanteil lag 2015 bei über 35 % des Asien-Pazifik-Umsatzes. Die zunehmende Nachfrage nach Halbleitern aus BRIC-Ländern aufgrund des hohen Elektronikverbrauchs kann die Adoption erheblich vorantreiben. Weitere Faktoren sind Portabilität, geringe Kosten und erhebliche Anzahl von Optionen. UP Chemical und Chemtura Corporation gründeten ein Joint-Venture, um hochreine MO-Vorläufer zu produzieren, um auf den LED-Sektor zu achten und insbesondere Asien-Pazifik und Südkorea zu fokussieren.
Europa High-k- und ALD/CVD-Metall-Vorläufer-Marktgröße hat Potenzial für die Very Large Scale Integrated Circuit (VLSI) Fertigung mit hohem projizierten Wachstum in Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) und Dynamic Random Access Memory (DRAM) Anwendungen. Sie haben auch einen erheblichen Umfang in Bereichen wie Resistive RAM-Speicher, Metal-Insulator-Metal (MIM)-Dioden, ferroelektrische Logik und Speichereinrichtungen. Robuste inländische IC-Anforderung, hohe Abhängigkeit von der Einfuhr von Halbleitern und nachweisbare Bedenken hinsichtlich der Abhängigkeit von ausländischen Quellen werden die deutsche Industrie positiv beeinflussen. Riesige Investitionen in fortschrittliche Wafer-Produktionsprozesse und LED-Technologie wird geschätzt, um den Vorteil in Kosten, Ertrag und Produktionskapazität zu erweitern.
Unternehmen, die einen Marktanteil von High-k und ALD/CVD-Metallvorläufern ausmachen, sind
Es wird erwartet, dass eine Erhöhung der Hinterkantengeräte das Internet der Dinge (IoT) und der Unterhaltungselektronik unterstützen. Fusionen und Akquisitionen sowie strategische Joint Ventures gehören zu den Schlüsselstrategien.
Das Supply Chain Management wird zu einer kritischen Kompetenz für Materiallieferanten. Die steigende Nachfrage nach Halbleitermaterialien aufgrund der Prozesskomplexität hat den Fokus auf die Formulierung von Sublieferanten erhöht. Der Markt umfasst in erster Linie eine Vielzahl von Siliziumwafer und mechanischen Bauteilherstellern. Samsung ist ein wichtiger Akteur in Korea; um Produktdifferenzierung und Rentabilität zu treiben, hat das Unternehmen die Herstellung seiner 20 nm Klasse von DRAM erweitert.